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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
2SC6042,T2WNLQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6042,T2WNLQ(J -
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ECAD 6294 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC6042 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 375V 1A 100μA(ICBO) NPN 1V @ 100mA, 800mA 100 @ 100mA, 5V -
2SK2962,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962,T6F(M -
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ECAD 4332 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SK2962 TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 1A(티제이)
RN4904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4904,LXHF(CT 0.4400
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4904 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 47k옴 47k옴
RN2408,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2408,LXHF 0.3400
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ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2408 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 47kΩ
RN1108,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1108,LXHF(CT 0.3300
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ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1108 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22kΩ 47kΩ
TK170V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK170V65Z,LQ 3.6700
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 4-VSFN 옆형 패드 TK170V65 MOSFET(금속) 4-DFN-EP(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 650V 18A(타) 10V 170m옴 @ 9A, 10V 4V @ 730μA 29nC @ 10V ±30V 300V에서 1635pF - 150W(Tc)
RN1412,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1412,LXHF 0.0645
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ECAD 6934 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1412 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 22kΩ
TPCC8105,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105,L1Q 0.8200
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ECAD 3350 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 8-VDFN 옆 패드 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.3x3.3) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 P채널 30V 23A(타) 4.5V, 10V 7.8m옴 @ 11.5A, 10V 2V에서 500μA 76nC @ 10V +20V, -25V 10V에서 3240pF - 700mW(Ta), 30W(Tc)
RN1315,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1315,LXHF 0.3900
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ECAD 8527 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1315 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 10kΩ
RN4982FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4982FE,LXHF(CT 0.3800
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ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4982 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 10k옴 10k옴
TK4K1A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4K1A60F,S4X 0.8300
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ECAD 8560 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK4K1A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 2A(타) 10V 4.1옴 @ 1A, 10V 4V @ 190μA 8nC @ 10V ±30V 300V에서 270pF - 30W(Tc)
RN2410,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2410,LF 0.1900
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2410 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 4.7kΩ
TPC6113(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6113(TE85L,F,M) -
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ECAD 4053 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 TPC6113 MOSFET(금속) VS-6(2.9x2.8) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 5A(타) 2.5V, 4.5V 55m옴 @ 2.5A, 4.5V 200μA에서 1.2V 10nC @ 5V ±12V 10V에서 690pF - 700mW(타)
TJ60S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L,LXHQ 1.6500
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TJ60S06 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 60V 60A(타) 6V, 10V 11.2m옴 @ 30A, 10V 3V @ 1mA 156nC @ 10V +10V, -20V 7760pF @ 10V - 100W(Tc)
TK100E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK100E08N1,S1X 3.9800
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ECAD 7657 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK100E08 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 80V 100A(타) 10V 3.2m옴 @ 50A, 10V 4V @ 1mA 130nC @ 10V ±20V 40V에서 9000pF - 255W(Tc)
TK560A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK560A65Y,S4X 1.5700
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ECAD 12 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK560A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 7A(TC) 10V 560m옴 @ 3.5A, 10V 4V @ 240μA 14.5nC @ 10V ±30V 300V에서 380pF - 30W
RN2904FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE(T5L,F,T) -
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ECAD 8069 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2904 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47k옴 47k옴
2SC4793,HFEF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793,HFEF(M -
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ECAD 4903 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC4793 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 230V 1A 1μA(ICBO) NPN 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 100MHz
SSM3J144TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU,LXHF 0.4300
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ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 MOSFET(금속) UFM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 3.2A(타) 1.5V, 4.5V 93m옴 @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1mA 4.7nC @ 4.5V +6V, -8V 10V에서 290pF - 500mW(타)
TK72E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK72E08N1,S1X 2.4400
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ECAD 45 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK72E08 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 80V 72A(타) 10V 4.3m옴 @ 36A, 10V 4V @ 1mA 81nC @ 10V ±20V 40V에서 5500pF - 192W(Tc)
MT3S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S16U(TE85L,F) 0.2500
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 MT3S16 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 4.5dBi 5V 60mA NPN 80 @ 5mA, 1V 4GHz 2.4dB @ 1GHz
RN1905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1905FE,LF(CT 0.2700
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ECAD 458 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1905 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2k옴 47k옴
TPCA8A01-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8A01-H(TE12L,Q -
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ECAD 3926 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8A01 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 36A(타) 4.5V, 10V 5.6m옴 @ 18A, 10V 2.3V @ 1mA 35nC @ 10V ±20V 1970pF @ 10V - 1.6W(Ta), 45W(Tc)
SSM3J15CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15CT,L3F 0.3100
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ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SC-101, SOT-883 MOSFET(금속) CST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 P채널 30V 100mA(타) 2.5V, 4V 12옴 @ 10mA, 4V 1.7V @ 100μA ±20V 9.1pF @ 3V - 100mW(타)
SSM3K361R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361R,LXHF 0.6400
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ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 100V 3.5A(타) 4.5V, 10V 69m옴 @ 2A, 10V 100μA에서 2.5V 3.2nC @ 4.5V ±20V 15V에서 430pF - 1.2W(타)
RN2114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2114MFV,L3F 0.2000
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ECAD 7888 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2114 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 1kΩ 10kΩ
TPHR6503PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL1,LQ 2.2000
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ECAD 24 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-SOP 고급(5x5.75) - 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 150A(Tc) 4.5V, 10V 0.65m옴 @ 50A, 10V 2.1V @ 1mA 110nC @ 10V ±20V 10000pF @ 15V - 960mW(Ta), 210W(Tc)
SSM3K7002KFU,LXH Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KFU,LXH 0.4000
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ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SC-70, SOT-323 MOSFET(금속) USM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 400mA(타) 4.5V, 10V 1.5옴 @ 100mA, 10V 2.1V @ 250μA 0.6nC @ 4.5V ±20V 10V에서 40pF - 150mW(타)
TPH1R306PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL,L1Q 2.0800
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ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPH1R306 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 100A(Tc) 4.5V, 10V 1.34m옴 @ 50A, 10V 2.5V @ 1mA 91nC @ 10V ±20V 30V에서 8100pF - 960mW(Ta), 170W(Tc)
TK40E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK40E10N1,S1X 1.9900
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ECAD 3520 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK40E10 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 90A(Tc) 10V 8.2m옴 @ 20A, 10V 4V에서 500μA 49nC @ 10V ±20V 50V에서 3000pF - 126W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고