 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | FET 종류 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) | 모델 지수(dB 일반 @ f) | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC6042,T2WNLQ(J | - |  | 6294 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | SC-71 | 2SC6042 | 1W | MSTM | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 375V | 1A | 100μA(ICBO) | NPN | 1V @ 100mA, 800mA | 100 @ 100mA, 5V | - | |||||||||||||||||||
|  | 2SK2962,T6F(M | - |  | 4332 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 | 2SK2962 | TO-92MOD | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 1A(티제이) | ||||||||||||||||||||||||||
|  | RN4904,LXHF(CT | 0.4400 |  | 3 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN4904 | 200mW | US6 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500nA | NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) | 250μA에서 300mV, 5mA | 80 @ 10mA, 5V | 200MHz, 250MHz | 47k옴 | 47k옴 | |||||||||||||||||
|  | RN2408,LXHF | 0.3400 |  | 6 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN2408 | 200mW | S-미니 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500nA | PNP - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 300mV, 5mA | 80 @ 10mA, 5V | 200MHz | 22kΩ | 47kΩ | |||||||||||||||||
|  | RN1108,LXHF(CT | 0.3300 |  | 6 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SC-75, SOT-416 | RN1108 | 100mW | SSM | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500nA | NPN - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 300mV, 5mA | 80 @ 10mA, 5V | 250MHz | 22kΩ | 47kΩ | |||||||||||||||||
|  | TK170V65Z,LQ | 3.6700 |  | 2 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | DTMOSVI | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C | 표면 실장 | 4-VSFN 옆형 패드 | TK170V65 | MOSFET(금속) | 4-DFN-EP(8x8) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 650V | 18A(타) | 10V | 170m옴 @ 9A, 10V | 4V @ 730μA | 29nC @ 10V | ±30V | 300V에서 1635pF | - | 150W(Tc) | |||||||||||||
|  | RN1412,LXHF | 0.0645 |  | 6934 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1412 | 200mW | S-미니 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 300mV, 5mA | 120@1mA, 5V | 250MHz | 22kΩ | ||||||||||||||||||
|  | TPCC8105,L1Q | 0.8200 |  | 3350 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 유모스비 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C | 표면 실장 | 8-VDFN 옆 패드 | MOSFET(금속) | 8-TSON 고급(3.3x3.3) | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | P채널 | 30V | 23A(타) | 4.5V, 10V | 7.8m옴 @ 11.5A, 10V | 2V에서 500μA | 76nC @ 10V | +20V, -25V | 10V에서 3240pF | - | 700mW(Ta), 30W(Tc) | |||||||||||||||
|  | RN1315,LXHF | 0.3900 |  | 8527 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | RN1315 | 100mW | SC-70 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500nA | NPN - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 300mV, 5mA | 50 @ 10mA, 5V | 250MHz | 2.2kΩ | 10kΩ | |||||||||||||||||
|  | RN4982FE,LXHF(CT | 0.3800 |  | 6 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | RN4982 | 100mW | ES6 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 500nA | NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) | 250μA에서 300mV, 5mA | 50 @ 10mA, 5V | 250MHz, 200MHz | 10k옴 | 10k옴 | |||||||||||||||||
|  | TK4K1A60F,S4X | 0.8300 |  | 8560 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 튜브 | 활동적인 | 150°C | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TK4K1A60 | MOSFET(금속) | TO-220SIS | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 2A(타) | 10V | 4.1옴 @ 1A, 10V | 4V @ 190μA | 8nC @ 10V | ±30V | 300V에서 270pF | - | 30W(Tc) | |||||||||||||
|  | RN2410,LF | 0.1900 |  | 2 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN2410 | 200mW | S-미니 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 300mV, 5mA | 120@1mA, 5V | 200MHz | 4.7kΩ | ||||||||||||||||||
|  | TPC6113(TE85L,F,M) | - |  | 4053 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 유모스비 | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | TPC6113 | MOSFET(금속) | VS-6(2.9x2.8) | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 5A(타) | 2.5V, 4.5V | 55m옴 @ 2.5A, 4.5V | 200μA에서 1.2V | 10nC @ 5V | ±12V | 10V에서 690pF | - | 700mW(타) | |||||||||||||
|  | TJ60S06M3L,LXHQ | 1.6500 |  | 3 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 유모스비 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 175°C | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TJ60S06 | MOSFET(금속) | DPAK+ | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | P채널 | 60V | 60A(타) | 6V, 10V | 11.2m옴 @ 30A, 10V | 3V @ 1mA | 156nC @ 10V | +10V, -20V | 7760pF @ 10V | - | 100W(Tc) | ||||||||||||||
|  | TK100E08N1,S1X | 3.9800 |  | 7657 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSVIII-H | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TK100E08 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 80V | 100A(타) | 10V | 3.2m옴 @ 50A, 10V | 4V @ 1mA | 130nC @ 10V | ±20V | 40V에서 9000pF | - | 255W(Tc) | |||||||||||||
|  | TK560A65Y,S4X | 1.5700 |  | 12 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | DTMOSV | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TK560A65 | MOSFET(금속) | TO-220SIS | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 7A(TC) | 10V | 560m옴 @ 3.5A, 10V | 4V @ 240μA | 14.5nC @ 10V | ±30V | 300V에서 380pF | - | 30W | |||||||||||||
|  | RN2904FE(T5L,F,T) | - |  | 8069 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | RN2904 | 100mW | ES6 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) | 250μA에서 300mV, 5mA | 80 @ 10mA, 5V | 200MHz | 47k옴 | 47k옴 | |||||||||||||||||
|  | 2SC4793,HFEF(M | - |  | 4903 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | 2SC4793 | 2W | TO-220NIS | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 230V | 1A | 1μA(ICBO) | NPN | 1.5V @ 50mA, 500mA | 100 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
|  | SSM3J144TU,LXHF | 0.4300 |  | 5 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C | 표면 실장 | 3-SMD, 플랫 리드 | MOSFET(금속) | UFM | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 3.2A(타) | 1.5V, 4.5V | 93m옴 @ 1.5A, 4.5V | 1V @ 1mA | 4.7nC @ 4.5V | +6V, -8V | 10V에서 290pF | - | 500mW(타) | |||||||||||||||
|  | TK72E08N1,S1X | 2.4400 |  | 45 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSVIII-H | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TK72E08 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 80V | 72A(타) | 10V | 4.3m옴 @ 36A, 10V | 4V @ 1mA | 81nC @ 10V | ±20V | 40V에서 5500pF | - | 192W(Tc) | |||||||||||||
|  | MT3S16U(TE85L,F) | 0.2500 |  | 3 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 125°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | MT3S16 | 100mW | SC-70 | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 4.5dBi | 5V | 60mA | NPN | 80 @ 5mA, 1V | 4GHz | 2.4dB @ 1GHz | |||||||||||||||||
|  | RN1905FE,LF(CT | 0.2700 |  | 458 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | RN1905 | 100mW | ES6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 500nA | 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) | 250μA에서 300mV, 5mA | 80 @ 10mA, 5V | 250MHz | 2.2k옴 | 47k옴 | ||||||||||||||||
|  | TPCA8A01-H(TE12L,Q | - |  | 3926 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | TPCA8A01 | MOSFET(금속) | 8-SOP 사전(5x5) | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 36A(타) | 4.5V, 10V | 5.6m옴 @ 18A, 10V | 2.3V @ 1mA | 35nC @ 10V | ±20V | 1970pF @ 10V | - | 1.6W(Ta), 45W(Tc) | ||||||||||||||
|  | SSM3J15CT,L3F | 0.3100 |  | 9 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C | 표면 실장 | SC-101, SOT-883 | MOSFET(금속) | CST3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | P채널 | 30V | 100mA(타) | 2.5V, 4V | 12옴 @ 10mA, 4V | 1.7V @ 100μA | ±20V | 9.1pF @ 3V | - | 100mW(타) | |||||||||||||||
|  | SSM3K361R,LXHF | 0.6400 |  | 5 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101, U-MOSVIII-H | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 175°C | 표면 실장 | SOT-23-3 플랫 리드 | MOSFET(금속) | SOT-23F | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 100V | 3.5A(타) | 4.5V, 10V | 69m옴 @ 2A, 10V | 100μA에서 2.5V | 3.2nC @ 4.5V | ±20V | 15V에서 430pF | - | 1.2W(타) | ||||||||||||||
|  | RN2114MFV,L3F | 0.2000 |  | 7888 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SOT-723 | RN2114 | 150mW | 베스엠 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100mA | 500nA | PNP - 사전 바이어스됨 | 500μA에서 300mV, 5mA | 50 @ 10mA, 5V | 1kΩ | 10kΩ | |||||||||||||||||
|  | TPHR6503PL1,LQ | 2.2000 |  | 24 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSIX-H | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 175°C | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 8-SOP 고급(5x5.75) | - | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 30V | 150A(Tc) | 4.5V, 10V | 0.65m옴 @ 50A, 10V | 2.1V @ 1mA | 110nC @ 10V | ±20V | 10000pF @ 15V | - | 960mW(Ta), 210W(Tc) | |||||||||||||||
|  | SSM3K7002KFU,LXH | 0.4000 |  | 5 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | MOSFET(금속) | USM | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 60V | 400mA(타) | 4.5V, 10V | 1.5옴 @ 100mA, 10V | 2.1V @ 250μA | 0.6nC @ 4.5V | ±20V | 10V에서 40pF | - | 150mW(타) | |||||||||||||||
|  | TPH1R306PL,L1Q | 2.0800 |  | 4 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSIX-H | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 175°C | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | TPH1R306 | MOSFET(금속) | 8-SOP 사전(5x5) | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 60V | 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 1.34m옴 @ 50A, 10V | 2.5V @ 1mA | 91nC @ 10V | ±20V | 30V에서 8100pF | - | 960mW(Ta), 170W(Tc) | ||||||||||||||
|  | TK40E10N1,S1X | 1.9900 |  | 3520 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSVIII-H | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TK40E10 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 100V | 90A(Tc) | 10V | 8.2m옴 @ 20A, 10V | 4V에서 500μA | 49nC @ 10V | ±20V | 50V에서 3000pF | - | 126W(Tc) | 

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

전세계 제조업체

재고 창고