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트랜지스터(2488)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)
TDTC123J,LM	0.1800	보상요청	3	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TDTC123		320mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100mA	500nA	NPN - 사전 바이어스됨	500μA, 10mA에서 300mV	80 @ 10mA, 5V	250MHz	2.2kΩ
SSM6P39TU,LF	0.4800	보상요청	2	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C	표면 실장	6-SMD, 플랫 리드	SSM6P39	MOSFET(금속)	500mW(타)	UF6	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	EAR99	8541.21.0095	3,000	2 P채널(듀얼)		20V	1.5A(타)		213m옴 @ 1A, 4V	1V @ 1mA	6.4nC @ 4V		250pF @ 10V	레벨 레벨 컨트롤러, 1.8V 드라이브
RN1108CT(TPL3)	-	보상요청	5255	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		표면 실장	SC-101, SOT-883	RN1108		50mW	CST3	다운로드		1(무제한)	EAR99	8541.21.0095	10,000													20V	50mA	500nA	NPN - 사전 바이어스됨	250μA에서 150mV, 5mA	120 @ 10mA, 5V		22kΩ	47kΩ
TK25E60X5,S1X	4.5900	보상요청	50	도시바 및 저장	DTMOSIV-H	튜브	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	TK25E60	MOSFET(금속)		TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	EAR99	8541.29.0095	50		N채널	600V	25A(타)	10V	140m옴 @ 7.5A, 10V	4.5V @ 1.2mA	60nC @ 10V	±30V	300V에서 2400pF	-	180W(Tc)
TPN13008NH,L1Q	1.0600	보상요청	656	도시바 및 저장	U-MOSVIII-H	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN	TPN13008	MOSFET(금속)		8-TSON 고급(3.1x3.1)	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)	EAR99	8541.29.0095	5,000		N채널	80V	18A(TC)	10V	13.3m옴 @ 9A, 10V	4V @ 200μA	18nC @ 10V	±20V	40V에서 1600pF	-	700mW(Ta), 42W(Tc)
SSM6L35FU(TE85L,F)	0.4000	보상요청	2	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SSM6L35	MOSFET(금속)	200mW	US6	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	EAR99	8541.21.0095	3,000	N 및 P 채널		20V	180mA, 100mA		3옴 @ 50mA, 4V	1V @ 1mA	-		9.5pF @ 3V	레벨 레벨 컨트롤러, 1.2V 드라이브
TK1K0A60F,S4X	1.1100	보상요청	68	도시바 및 저장	-	튜브	활동적인	150°C	스루홀	TO-220-3 풀팩	TK1K0A60	MOSFET(금속)		TO-220SIS	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	EAR99	8541.29.0095	50		N채널	600V	7.5A(타)	10V	1옴 @ 3.8A, 10V	4V @ 770μA	24nC @ 10V	±30V	300V에서 890pF	-	40W(Tc)
2SA1244-Y(T6L1,NQ)	0.9600	보상요청	8236	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			1W	PW-MOLD	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	EAR99	8541.29.0095	2,000													50V	5A	1μA(ICBO)	PNP	400mV @ 150mA, 3A	70 @ 1A, 1V	60MHz
2SA1930(ONK,Q,M)	-	보상요청	2894	도시바 및 저장	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	2SA1930		2W	TO-220NIS	다운로드		1(무제한)	EAR99	8541.29.0075	1													180V	2A	5μA(ICBO)	PNP	1V @ 100mA, 1A	100 @ 100mA, 5V	200MHz
2SA1971(TE12L,F)	0.6500	보상요청	900	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	TO-243AA			500mW	PW-미니	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	EAR99	8541.21.0095	1,000													400V	500mA	10μA(ICBO)	PNP	1V @ 10mA, 100mA	140 @ 100mA, 5V	35MHz
RN1901FETE85LF	0.3900	보상요청	5438	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SOT-563, SOT-666	RN1901		100mW	ES6	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)	EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA	100nA(ICBO)	2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)	250μA에서 300mV, 5mA	30 @ 10mA, 5V	250MHz	4.7kΩ	4.7kΩ
TPCC8003-H(TE12LQM	-	보상요청	5379	도시바 및 저장	U-MOSVI-H	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	8-VDFN 옆 패드	TPCC8003	MOSFET(금속)		8-TSON 고급(3.3x3.3)	다운로드		1(무제한)	EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	30V	13A(타)	4.5V, 10V	16.9m옴 @ 6.5A, 10V	2.3V @ 200μA	17nC @ 10V	±20V	1300pF @ 10V	-	700mW(Ta), 22W(Tc)
TTC004B,Q	0.5300	보상요청	6	도시바 및 저장	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3	TTC004		10W	TO-126N	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)	EAR99	8541.29.0075	250													160V	1.5A	100nA(ICBO)	NPN	500mV @ 50mA, 500mA	140 @ 100mA, 5V	100MHz
2SB1457(T6CNO,A,F)	-	보상요청	2426	도시바 및 저장	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리	2SB1457		900mW	TO-92MOD	다운로드		1(무제한)	EAR99	8541.21.0095	1													100V	2A	10μA(ICBO)	PNP	1.5V @ 1mA, 1A	2000 @ 1A, 2V	50MHz
TK4R3A06PL,S4X	1.3300	보상요청	2	도시바 및 저장	U-MOSIX-H	튜브	활동적인	175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	TK4R3A06	MOSFET(금속)		TO-220SIS	다운로드	ROHS3 준수	해당사항 없음	EAR99	8541.29.0095	50		N채널	60V	68A(Tc)	4.5V, 10V	7.2m옴 @ 15A, 4.5V	500μA에서 2.5V	48.2nC @ 10V	±20V	3280pF @ 30V	-	36W(Tc)
XPH4R10ANB,L1XHQ	2.2600	보상요청	34	도시바 및 저장	U-MOSVIII-H	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	175°C	표면 실장	8-SOIC(0.197", 5.00mm 폭)	XPH4R10	MOSFET(금속)		8-SOP 사전(5x5)	-		1(무제한)	EAR99	8541.29.0095	5,000		N채널	100V	70A(타)	6V, 10V	4.1m옴 @ 35A, 10V	3.5V @ 1mA	75nC @ 10V	±20V	4970pF @ 10V	-	960mW(Ta), 170W(Tc)
RN4902FE,LF(CT	0.2700	보상요청	3	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SOT-563, SOT-666	RN4902		100mW	ES6	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA	500nA	NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중)	250μA에서 300mV, 5mA	50 @ 10mA, 5V	250MHz, 200MHz	10kΩ	10kΩ
TPN2R703NL,L1Q	1.2100	보상요청	4	도시바 및 저장	U-MOSVIII-H	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN	TPN2R703	MOSFET(금속)		8-TSON 고급(3.1x3.1)	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)	EAR99	8541.29.0095	5,000		N채널	30V	45A(Tc)	4.5V, 10V	2.7m옴 @ 22.5A, 10V	300μA에서 2.3V	21nC @ 10V	±20V	15V에서 2100pF	-	700mW(Ta), 42W(Tc)
2SD1407A-Y(F)	-	보상요청	9090	도시바 및 저장	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	2SD1407		30W	TO-220NIS	다운로드		1(무제한)	EAR99	8541.29.0095	50													100V	5A	100μA(ICBO)	NPN	2V @ 400mA, 4A	120 @ 1A, 5V	12MHz
2SA1832-GR,LXHF	0.3900	보상요청	6	도시바 및 저장	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-	표면 실장	SC-75, SOT-416			120mW	SSM	다운로드		1(무제한)	EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	150mA	100nA(ICBO)	PNP	300mV @ 10mA, 100mA	200 @ 2mA, 6V	80MHz
TK19A50W,S5X	2.7800	보상요청	9378	도시바 및 저장	DTMOSIV	튜브	활동적인	150°C	스루홀	TO-220-3 풀팩		MOSFET(금속)		TO-220SIS	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	EAR99	8541.29.0095	50		N채널	500V	18.5A(타)	10V	190m옴 @ 7.9A, 10V	790μA에서 3.7V	38nC @ 10V	±30V	300V에서 1350pF	-	40W(Tc)
RN1106ACT(TPL3)	-	보상요청	1344	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		표면 실장	SC-101, SOT-883	RN1106		100mW	CST3	-		1(무제한)	EAR99	8541.21.0095	10,000													50V	80mA	500nA	NPN - 사전 바이어스됨	250μA에서 150mV, 5mA	80 @ 10mA, 5V		4.7kΩ	47kΩ
RN2906FE,LXHF(CT	0.3800	보상요청	7	도시바 및 저장	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SOT-563, SOT-666	RN2906		100mW	ES6	다운로드		1(무제한)	EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA	500nA	2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)	250μA에서 300mV, 5mA	80 @ 10mA, 5V	200MHz	4.7kΩ	47k옴
TK5P60W,RVQ	1.8600	보상요청	10	도시바 및 저장	DTMOSIV	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	TK5P60	MOSFET(금속)		DPAK	-	ROHS3 준수	1(무제한)	EAR99	8541.29.0095	2,000		N채널	600V	5.4A(타)	10V	900m옴 @ 2.7A, 10V	270μA에서 3.7V	10.5nC @ 10V	±30V	300V에서 380pF	-	60W(Tc)
RN2967FE(TE85L,F)	-	보상요청	6068	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		표면 실장	SOT-563, SOT-666	RN2967		100mW	ES6	다운로드		1(무제한)	EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA	100nA(ICBO)	2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)	250μA에서 300mV, 5mA	80 @ 10mA, 5V	200MHz	10kΩ	47k옴
TPH9R506PL,LQ	0.8300	보상요청	112	도시바 및 저장	U-MOSIX-H	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	175°C	표면 실장	8-PowerVDFN	TPH9R506	MOSFET(금속)		8-SOP 사전(5x5)	다운로드		1(무제한)	EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	60V	34A(티씨)	4.5V, 10V	9.5m옴 @ 17A, 10V	2.5V @ 200μA	21nC @ 10V	±20V	30V에서 1910pF	-	830mW(Ta), 81W(Tc)
SSM3J66MFV,L3F	0.3800	보상요청	7	도시바 및 저장	유모스비	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C	표면 실장	SOT-723	SSM3J66	MOSFET(금속)		베스엠	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	EAR99	8541.21.0095	8,000		P채널	20V	800mA(타)	1.2V, 4.5V	390m옴 @ 800mA, 4.5V	1V @ 1mA	1.6nC @ 4.5V	+6V, -8V	10V에서 100pF	-	150mW(타)
RN4911FE,LXHF(CT	0.3800	보상요청	8	도시바 및 저장	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SOT-563, SOT-666	RN4911		100mW	ES6	다운로드		1(무제한)	EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA	100nA(ICBO)	NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중)	250μA에서 300mV, 5mA	120@1mA, 5V	200MHz, 250MHz	10kΩ	-
2SA1931(노마크,A,Q	-	보상요청	9650	도시바 및 저장	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	2SA1931		2W	TO-220NIS	다운로드		1(무제한)	EAR99	8541.29.0075	1													50V	5A	1μA(ICBO)	PNP	400mV @ 200mA, 2A	100 @ 1A, 1V	60MHz
TK7R7P10PL,RQ	1.0700	보상요청	27	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	175°C	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	TK7R7P10	MOSFET(금속)		DPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	100V	55A(Tc)	4.5V, 10V	7.7m옴 @ 27.5A, 10V	500μA에서 2.5V	44nC @ 10V	±20V	50V에서 2800pF	-	93W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²