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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
TK4R3A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4R3A06PL,S4X 1.3300
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK4R3A06 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 68A(Tc) 4.5V, 10V 7.2m옴 @ 15A, 4.5V 500μA에서 2.5V 48.2nC @ 10V ±20V 3280pF @ 30V - 36W(Tc)
RN4902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902FE,LF(CT 0.2700
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4902 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 10kΩ 10kΩ
TPN2R703NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R703NL,L1Q 1.2100
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ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN2R703 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 45A(Tc) 4.5V, 10V 2.7m옴 @ 22.5A, 10V 300μA에서 2.3V 21nC @ 10V ±20V 15V에서 2100pF - 700mW(Ta), 42W(Tc)
2SB1457(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457(T6CNO,A,F) -
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ECAD 2426 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SB1457 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 100V 2A 10μA(ICBO) PNP 1.5V @ 1mA, 1A 2000 @ 1A, 2V 50MHz
TPC8014(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8014(TE12L,Q,M) -
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ECAD 2019 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TPC8014 MOSFET(금속) 8-SOP(5.5x6.0) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 11A(타) 4.5V, 10V 14mΩ @ 5.5A, 10V 2.5V @ 1mA 39nC @ 10V ±20V 10V에서 1860pF - 1W(타)
XPH4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH4R10ANB,L1XHQ 2.2600
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ECAD 34 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-SOIC(0.197", 5.00mm 폭) XPH4R10 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) - 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 100V 70A(타) 6V, 10V 4.1m옴 @ 35A, 10V 3.5V @ 1mA 75nC @ 10V ±20V 4970pF @ 10V - 960mW(Ta), 170W(Tc)
TTC004B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTC004B,Q 0.5300
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ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-225AA, TO-126-3 TTC004 10W TO-126N 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 250 160V 1.5A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 500mA 140 @ 100mA, 5V 100MHz
SSM6L807R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L807R,LF 0.5200
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ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6L807 MOSFET(금속) 1.4W(타) 6-TSOP-F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N 및 P 채널 30V 4A(타) 39.1m옴 @ 2A, 4.5V 1V @ 1mA 3.2nC @ 4.5V, 6.74nC @ 4.5V 310pF @ 15V, 480pF @ 10V 기준
TK12J60U(F) Toshiba Semiconductor and Storage TK12J60U(F) -
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ECAD 9902 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSII 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 TK12J60 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 12A(타) 10V 400m옴 @ 6A, 10V 5V @ 1mA 14nC @ 10V ±30V 10V에서 720pF - 144W(Tc)
2SD1407A-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1407A-Y(F) -
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ECAD 9090 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SD1407 30W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 100V 5A 100μA(ICBO) NPN 2V @ 400mA, 4A 120 @ 1A, 5V 12MHz
2SA1020-Y(T6TR,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y(T6TR,A,F -
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ECAD 1681년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1020 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN2604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2604(TE85L,F) 0.0865
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ECAD 3829 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN2604 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47k옴 47k옴
TPWR7904PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPWR7904PB,L1XHQ 2.9900
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ECAD 40 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPWR7904 MOSFET(금속) 8-DSOP 어드밴스 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 150A(타) 6V, 10V 0.79m옴 @ 75A, 10V 3V @ 1mA 85nC @ 10V ±20V 10V에서 6650pF - 960mW(Ta), 170W(Tc)
2SA1931,NETQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931,NETQ(M -
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ECAD 6462 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1931 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 50V 5A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 200mA, 2A 100 @ 1A, 1V 60MHz
RN1305,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1305,LXHF 0.3900
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ECAD 6080 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1305 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 47kΩ
SSM3J135TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J135TU,LF 0.3700
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ECAD 20 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 SSM3J135 MOSFET(금속) UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 3A(타) 1.5V, 4.5V 103m옴 @ 1A, 4.5V 1V @ 1mA 4.6nC @ 4.5V ±8V 10V에서 270pF - 500mW(타)
TDTA144E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA144E,LM 0.1800
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ECAD 3791 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTA144 320mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 88 @ 5mA, 5V 250MHz 47kΩ
TPH6R003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R003NL,LQ 0.9300
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH6R003 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 38A(Tc) 4.5V, 10V 6m옴 @ 19A, 10V 2.3V @ 200μA 17nC @ 10V ±20V 15V에서 1400pF - 1.6W(Ta), 34W(Tc)
RN1911FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FETE85LF -
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ECAD 8032 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1911 100mW ES6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 10kΩ -
2SK3132(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3132(Q) -
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ECAD 6621 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3PL 2SK3132 MOSFET(금속) TO-3P(L) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 25 N채널 500V 50A(타) 10V 95m옴 @ 25A, 10V 3.4V @ 1mA 280nC @ 10V ±30V 11000pF @ 10V - 250W(Tc)
TK35E10K3(S1SS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK35E10K3(S1SS-Q) -
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ECAD 8927 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 - 스루홀 TO-220-3 TK35E10 - TO-220 - RoHS 준수 1(무제한) TK35E10K3S1SSQ EAR99 8541.29.0095 50 - - - - - -
TK31E60X,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60X,S1X 5.6700
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ECAD 40 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK31E60 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 30.8A(타) 10V 88m옴 @ 9.4A, 10V 3.5V @ 1.5mA 65nC @ 10V ±30V 300V에서 3000pF - 230W(Tc)
2SC5088-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5088-O(TE85L,F) -
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ECAD 8450 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 SC-82A, SOT-343 2SC5088 100mW USQ - 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 18dB 12V 80mA NPN 80 @ 20mA, 10V 7GHz 1dB @ 500MHz
2SA1182-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1182-Y,LF 0.3300
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ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1182 150mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 500mA 100nA(ICBO) PNP 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 100mA, 1V 200MHz
TPC8111(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8111(TE12L,Q,M) -
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ECAD 7612 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TPC8111 MOSFET(금속) 8-SOP(5.5x6.0) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 11A(타) 4V, 10V 12m옴 @ 5.5A, 10V 2V @ 1mA 107nC @ 10V ±20V 5710pF @ 10V - 1W(타)
TJ9A10M3,S4Q Toshiba Semiconductor and Storage TJ9A10M3,S4Q -
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ECAD 3753 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TJ9A10 MOSFET(금속) TO-220SIS - 264-TJ9A10M3S4Q EAR99 8541.29.0095 50 P채널 100V 9A(타) 10V 170m옴 @ 4.5A, 10V 4V @ 1mA 47nC @ 10V ±20V 2900pF @ 10V - 19W(Tc)
SSM6K517NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K517NU,LF 0.4100
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ECAD 829 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6K517 MOSFET(금속) 6-UDFNB(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 6A(타) 1.8V, 4.5V 39.1m옴 @ 2A, 4.5V 1V @ 1mA 3.2nC @ 4.5V +12V, -8V 15V에서 310pF - 1.25W(타)
RN1111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1111MFV,L3F 0.1800
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ECAD 1755년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1111 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 10kΩ
TK5A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A53D(STA4,Q,M) 1.3700
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ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK5A53 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 525V 5A(타) 10V 1.5옴 @ 2.5A, 10V 4.4V @ 1mA 11nC @ 10V ±30V 25V에서 540pF - 35W(Tc)
2SC2235-Y,T6ASHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y,T6ASHF(J -
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ECAD 1248 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2235 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고