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트랜지스터(2488)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	얻다	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)	모델 지수(dB 일반 @ f)
2SC2655-Y(T6STL,FM	-	보상요청	1155	도시바 및 저장	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리	2SC2655		900mW	TO-92MOD	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	1														50V	2A	1μA(ICBO)	NPN	500mV @ 50mA, 1A	70 @ 500mA, 2V	100MHz
2SC2229-Y(MIT1,F,M	-	보상요청	1503	도시바 및 저장	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리	2SC2229		800mW	TO-92MOD	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	1														150V	50mA	100nA(ICBO)	NPN	500mV @ 1mA, 10mA	70 @ 10mA, 5V	120MHz
RN1402S,LF	-	보상요청	4581	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN1402		200mW	S-미니	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	3,000														50V	100mA	500nA	NPN - 사전 바이어스됨	250μA에서 300mV, 5mA	50 @ 10mA, 5V	250MHz	10kΩ	10kΩ
TK12A80W,S4X	3.1200	보상요청	4351	도시바 및 저장	DTMOSIV	튜브	활동적인	150°C	스루홀	TO-220-3 풀팩	TK12A80	MOSFET(금속)		TO-220SIS	다운로드	ROHS3 준수	해당사항 없음		EAR99	8541.29.0095	50		N채널		800V	11.5A(타)	10V	450m옴 @ 5.8A, 10V	4V에서 570μA	23nC @ 10V	±20V	300V에서 1400pF	-	45W(Tc)
TK10A80E,S4X	2.4200	보상요청	117	도시바 및 저장	π-MOSVIII	튜브	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	TK10A80	MOSFET(금속)		TO-220SIS	다운로드	ROHS3 준수	해당사항 없음		EAR99	8541.29.0095	50		N채널		800V	10A(타)	10V	1옴 @ 5A, 10V	4V @ 1mA	46nC @ 10V	±30V	2000pF @ 25V	-	50W(Tc)
2SA1313-O(TE85L,F)	0.0592	보상요청	6639	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.	150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SA1313		200mW	S-미니	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	3,000														50V	500mA	100nA(ICBO)	PNP	250mV @ 10mA, 100mA	70 @ 100mA, 1V	200MHz
RN1423TE85LF	0.4200	보상요청	5	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN1423		200mW	S-미니	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	3,000														50V	800mA	500nA	NPN - 사전 바이어스됨	250mV @ 1mA, 50mA	70 @ 100mA, 1V	300MHz	4.7kΩ	4.7kΩ
2SC2235-Y,F(J	-	보상요청	8296	도시바 및 저장	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리	2SC2235		900mW	TO-92MOD	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	1														120V	800mA	100nA(ICBO)	NPN	1V @ 50mA, 500mA	80 @ 100mA, 5V	120MHz
RN1109,LF(CT	0.2000	보상요청	3	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SC-75, SOT-416	RN1109		100mW	SSM	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	3,000														50V	100mA	100nA(ICBO)	NPN - 사전 바이어스됨	250μA에서 300mV, 5mA	70 @ 10mA, 5V	250MHz	47kΩ	22kΩ
SSM3K15CT,L3F	-	보상요청	3038	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C	표면 실장	SC-101, SOT-883	SSM3K15	MOSFET(금속)		CST3	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	10,000		N채널		30V	100mA(타)	2.5V, 4V	4옴 @ 10mA, 4V	1.5V @ 100μA		±20V	7.8pF @ 3V	-	100mW(타)
RN1108CT(TPL3)	-	보상요청	5255	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		표면 실장	SC-101, SOT-883	RN1108		50mW	CST3	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	10,000														20V	50mA	500nA	NPN - 사전 바이어스됨	250μA에서 150mV, 5mA	120 @ 10mA, 5V		22kΩ	47kΩ
TK1K0A60F,S4X	1.1100	보상요청	68	도시바 및 저장	-	튜브	활동적인	150°C	스루홀	TO-220-3 풀팩	TK1K0A60	MOSFET(금속)		TO-220SIS	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50		N채널		600V	7.5A(타)	10V	1옴 @ 3.8A, 10V	4V @ 770μA	24nC @ 10V	±30V	300V에서 890pF	-	40W(Tc)
2SA1244-Y(T6L1,NQ)	0.9600	보상요청	8236	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			1W	PW-MOLD	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	2,000														50V	5A	1μA(ICBO)	PNP	400mV @ 150mA, 3A	70 @ 1A, 1V	60MHz
2SA1971(TE12L,F)	0.6500	보상요청	900	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	TO-243AA			500mW	PW-미니	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	1,000														400V	500mA	10μA(ICBO)	PNP	1V @ 10mA, 100mA	140 @ 100mA, 5V	35MHz
SSM6L35FU(TE85L,F)	0.4000	보상요청	2	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SSM6L35	MOSFET(금속)	200mW	US6	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 및 P 채널			20V	180mA, 100mA		3옴 @ 50mA, 4V	1V @ 1mA	-		9.5pF @ 3V	레벨 레벨 컨트롤러, 1.2V 드라이브
2SA1930(ONK,Q,M)	-	보상요청	2894	도시바 및 저장	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	2SA1930		2W	TO-220NIS	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.29.0075	1														180V	2A	5μA(ICBO)	PNP	1V @ 100mA, 1A	100 @ 100mA, 5V	200MHz
TTC015B,Q	0.6600	보상요청	5712	도시바 및 저장	-	쟁반	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3			1.5W	TO-126N	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	250														80V	2A	100nA(ICBO)	NPN	500mV @ 100mA, 1A	100 @ 500mA, 2V	150MHz
TK12P60W,RVQ(S	-	보상요청	2958	도시바 및 저장	DTMOSIV	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	TK12P60	MOSFET(금속)		DPAK	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)	TK12P60WRVQ(S	EAR99	8541.29.0095	2,000		N채널		600V	11.5A(타)	10V	340m옴 @ 5.8A, 10V	600μA에서 3.7V	25nC @ 10V	±30V	300V에서 890pF	-	100W(Tc)
TPC6111(TE85L,F,M)	-	보상요청	3219	도시바 및 저장	U-MOSV	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6	TPC6111	MOSFET(금속)		VS-6(2.9x2.8)	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000		P채널		20V	5.5A(타)	1.5V, 4.5V	40m옴 @ 2.8A, 4.5V	1V @ 1mA	10nC @ 5V	±8V	10V에서 700pF	-	700mW(타)
TK62J60W,S1VQ	16.3700	보상요청	20	도시바 및 저장	DTMOSIV	튜브	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3	TK62J60	MOSFET(금속)		TO-3P(엔)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	25		N채널		600V	61.8A(타)	10V	38m옴 @ 30.9A, 10V	3.7V @ 3.1mA	180nC @ 10V	±30V	300V에서 6500pF	-	400W(Tc)
TK55S10N1,LQ	2.9700	보상요청	6	도시바 및 저장	U-MOSVIII-H	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	TK55S10	MOSFET(금속)		DPAK+	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	2,000		N채널		100V	55A(타)	10V	6.5m옴 @ 27.5A, 10V	4V에서 500μA	49nC @ 10V	±20V	10V에서 3280pF	-	157W(Tc)
HN4A51JTE85LF	0.4500	보상요청	8	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	SC-74A, SOT-753	HN4A51		300mW	SMV	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	3,000														120V	100mA	100nA(ICBO)	2 PNP(이중)	300mV @ 1mA, 10mA	200 @ 2mA, 6V	100MHz
TK5A60W,S4VX	2.1100	보상요청	7138	도시바 및 저장	DTMOSIV	튜브	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	TK5A60	MOSFET(금속)		TO-220SIS	-	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50		N채널		600V	5.4A(타)	10V	900m옴 @ 2.7A, 10V	270μA에서 3.7V	10.5nC @ 10V	±30V	300V에서 380pF	-	30W(Tc)
RN1104,LF(CT	0.2000	보상요청	3	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SC-75, SOT-416	RN1104		100mW	SSM	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	3,000														50V	100mA	500nA	NPN - 사전 바이어스됨	250μA에서 300mV, 5mA	80 @ 10mA, 5V	250MHz	47kΩ	47kΩ
HN3C10FUTE85LF	0.5600	보상요청	101	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-	표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	HN3C10		200mW	US6	-	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000			11.5dB											12V	80mA		2 NPN(이중)		80 @ 20mA, 10V	7GHz			1.1dB @ 1GHz
RN49A2,LF(CT	0.2700	보상요청	64	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN49A2		200mW	US6	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000														50V	100mA	100μA(ICBO)	NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중)	250μA에서 300mV, 5mA	80 @ 10mA, 5V	250MHz, 200MHz	47k옴	47k옴
TK33S10N1Z, LQ	1.5500	보상요청	3	도시바 및 저장	U-MOSVIII-H	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	TK33S10	MOSFET(금속)		DPAK+	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	2,000		N채널		100V	33A(타)	10V	9.7m옴 @ 16.5A, 10V	4V에서 500μA	28nC @ 10V	±20V	2050pF @ 10V	-	125W(Tc)
RN2417(TE85L,F)	0.2800	보상요청	2	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	RN2417		200mW	S-미니	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	3,000														50V	100mA	500nA	PNP - 사전 바이어스됨	250μA에서 300mV, 5mA	30 @ 10mA, 5V	200MHz	10kΩ	4.7kΩ
TPCC8003-H(TE12LQM	-	보상요청	5379	도시바 및 저장	U-MOSVI-H	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	8-VDFN 옆 패드	TPCC8003	MOSFET(금속)		8-TSON 고급(3.3x3.3)	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널		30V	13A(타)	4.5V, 10V	16.9m옴 @ 6.5A, 10V	2.3V @ 200μA	17nC @ 10V	±20V	1300pF @ 10V	-	700mW(Ta), 22W(Tc)
2SA1832-GR,LXHF	0.3900	보상요청	6	도시바 및 저장	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-	표면 실장	SC-75, SOT-416			120mW	SSM	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000														50V	150mA	100nA(ICBO)	PNP	300mV @ 10mA, 100mA	200 @ 2mA, 6V	80MHz

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²