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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
TK7S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z,LXHQ 0.8900
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 ECAD 7428 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK7S10 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 100V 7A(타) 10V 48m옴 @ 3.5A, 10V 4V @ 100μA 7.1nC @ 10V ±20V 10V에서 470pF - 50W(Tc)
TDTA143E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA143E,LM 0.1800
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 ECAD 7152 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTA143 320mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ
RN4984FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4984 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 47k옴 47k옴
TK12A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60D(STA4,Q,M) 3.0200
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 ECAD 45 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK12A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 12A(타) 10V 550m옴 @ 6A, 10V 4V @ 1mA 38nC @ 10V ±30V 25V에서 1800pF - 45W(Tc)
2SK2962(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962(T6CANO,F,M -
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 ECAD 2604 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SK2962 TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 1A(티제이)
2SK2145-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-Y(TE85L,F) 0.6800
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 ECAD 26 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-74A, SOT-753 2SK2145 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 13pF @ 10V 1.2mA @ 10V 200mV @ 100nA
2SC2482(T6TOJS,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2482(T6TOJS,F,M -
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 ECAD 3501 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2482 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 300V 100mA 1μA(ICBO) NPN 1V @ 1mA, 10mA 30 @ 20mA, 10V 50MHz
SSM3J117TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J117TU,LF 0.3700
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 ECAD 366 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 SSM3J117 MOSFET(금속) UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 30V 2A(타) 4V, 10V 117m옴 @ 1A, 10V 2.6V @ 1mA ±20V 15V에서 280pF - 500mW(타)
RN1708,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1708,LF 0.3000
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1708 200mW USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22k옴 47k옴
SSM6N62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU,LF 0.4200
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 ECAD 12 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6N62 MOSFET(금속) 500mW(타) UF6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 20V 800mA(타) 85m옴 @ 800mA, 4.5V 1V @ 1mA 2nC @ 4.5V 177pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.2V 드라이브
RN2902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2902FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2902 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 10kΩ
RN1961(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1961(TE85L,F) 0.4600
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 ECAD 35 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1961 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7k옴 4.7k옴
SSM6N37FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N37FE,LM 0.3500
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6N37 MOSFET(금속) 150mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 2 N채널(듀얼) 20V 250mA 2.2옴 @ 100mA, 4.5V 1V @ 1mA - 12pF @ 10V 게임 레벨 레벨
2SK2744(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2744(F) -
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 ECAD 1975년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 2SK2744 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 50V 45A(타) 10V 20m옴 @ 25A, 10V 3.5V @ 1mA 68nC @ 10V ±20V 10V에서 2300pF - 125W(Tc)
RN2110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2110MFV,L3F 0.2000
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2110 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 4.7kΩ
RN1305,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1305,LXHF 0.3900
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 ECAD 6080 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1305 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 47kΩ
TPH4R003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R003NL,L1Q 1.0700
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH4R003 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 40A(Tc) 4.5V, 10V 4m옴 @ 20A, 10V 2.3V @ 200μA 14.8nC @ 10V ±20V 15V에서 1400pF - 1.6W(Ta), 36W(Tc)
TPCA8036-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8036-H(TE12L,Q -
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 ECAD 8612 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVI-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8036 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 38A(타) 4.5V, 10V 4.2m옴 @ 19A, 10V 500μA에서 2.3V 50nC @ 10V ±20V 10V에서 4600pF - 1.6W(Ta), 45W(Tc)
TK55D10J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK55D10J1(Q) -
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 ECAD 9064 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK55D10 MOSFET(금속) TO-220(W) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 55A(타) 4.5V, 10V 10.5m옴 @ 27A, 10V 2.3V @ 1mA 110nC @ 10V ±20V 5700pF @ 10V - 140W(Tc)
TK39N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60W,S1VF 5.5100
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 ECAD 7989 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 TK39N60 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 38.8A(타) 10V 65m옴 @ 19.4A, 10V 3.7V @ 1.9mA 110nC @ 10V ±30V 300V에서 4100pF - 270W(Tc)
TPCF8A01(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8A01(TE85L) -
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 ECAD 1987년 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TPCF8A01 MOSFET(금속) VS-8(2.9x1.5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 N채널 20V 3A(타) 2V, 4.5V 49m옴 @ 1.5A, 4.5V 200μA에서 1.2V 7.5nC @ 5V ±12V 10V에서 590pF 쇼트키 다이오드(절연) 330mW(타)
2SB1495,Q(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1495,Q(M -
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 ECAD 9800 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SB1495 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 100V 3A 10μA(ICBO) PNP 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 2000 @ 2A, 2V -
2SA1020-Y(T6TR,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y(T6TR,A,F -
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 ECAD 1681년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1020 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
HN1C03FU-A(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03FU-A(TE85L,F 0.4400
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 ECAD 9755 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C03 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 100mV @ 3mA, 30mA 200 @ 4mA, 2V 30MHz
RN2131MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2131MFV,L3F 0.1800
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2131 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 100kΩ
RN4986FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986FE,LF(CT 0.2600
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 ECAD 4319 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4986 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7k옴 47k옴
TK14C65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK14C65W,S1Q -
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 ECAD 2199 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA TK14C65 MOSFET(금속) I2PAK 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 13.7A(타) 10V 250m옴 @ 6.9A, 10V 3.5V @ 690μA 35nC @ 10V ±30V 300V에서 1300pF - 130W(Tc)
2SA965-Y(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y(F,M) -
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 ECAD 9438 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA965 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) PNP 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
TPC8115(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8115(TE12L,Q,M) -
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 ECAD 7961 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TPC8115 MOSFET(금속) 8-SOP(5.5x6.0) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 10A(타) 1.8V, 4.5V 10m옴 @ 5A, 4.5V 200μA에서 1.2V 115nC @ 5V ±8V 9130pF @ 10V - 1W(타)
SSM6N39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N39TU,LF 0.4900
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 ECAD 7160 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6N39 MOSFET(금속) 500mW UF6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 20V 1.6A(타) 119m옴 @ 1A, 4V 1V @ 1mA 7.5nC @ 4V 260pF @ 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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