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트랜지스터(2488)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	자연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	- 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0)	전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)
RN1901FE,LXHF(CT	0.3800	보상요청	8	도시바 및 저장	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SOT-563, SOT-666	RN1901		100mW	ES6	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA			500nA	2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)	250μA, 5mA에서 300mV	30 @ 10mA, 5V	250MHz	4.7k옴	4.7k옴
TW027Z65C,S1F	20.2700	보상요청	120	도시바 및 저장	-	튜브	활동적인	175°C	스루홀	TO-247-4		SiC(실리콘 카바이드 및 반도체)		TO-247-4L(X)	-	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	30		N채널	650V	58A(티씨)	18V	38m옴 @ 29A, 18V	5V @ 3mA	65nC @ 18V	+25V, -10V	400V에서 2288pF	-	156W(Tc)
RN1961(TE85L,F)	0.4600	보상요청	35	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN1961		200mW	US6	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA			100nA(ICBO)	2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)	250μA, 5mA에서 300mV	30 @ 10mA, 5V	250MHz	4.7k옴	4.7k옴
RN1708,LF	0.3000	보상요청	2	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	RN1708		200mW	USV	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100mA			500nA	2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)	250μA, 5mA에서 300mV	80 @ 10mA, 5V	250MHz	22k옴	47k옴
TK12A60D(STA4,Q,M)	3.0200	보상요청	45	도시바 및 저장	π-MOSVII	튜브	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	TK12A60	MOSFET(금속)		TO-220SIS	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	600V	12A(타)	10V	550m옴 @ 6A, 10V	4V @ 1mA	38nC @ 10V	±30V	25V에서 1800pF	-	45W(Tc)
RN2902FE,LXHF(CT	0.3800	보상요청	7	도시바 및 저장	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SOT-563, SOT-666	RN2902		100mW	ES6	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA			500nA	2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)	250μA, 5mA에서 300mV	50 @ 10mA, 5V	200MHz	10k옴	10k옴
2SK2145-Y(TE85L,F)	0.6800	보상요청	26	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	125°C (TJ)	표면 실장	SC-74A, SOT-753	2SK2145		300mW	SMV	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000		2 N채널(듀얼)								13pF @ 10V					1.2mA @ 10V	200mV @ 100nA
TDTA143E,LM	0.1800	보상요청	7152	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TDTA143		320mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100mA			500nA	PNP - 사전 바이어스됨	500μA, 10mA에서 300mV	30 @ 10mA, 5V	250MHz	4.7kΩ
SSM6N62TU,LF	0.4200	보상요청	12	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C	표면 실장	6-SMD, 플랫 리드	SSM6N62	MOSFET(금속)	500mW(타)	UF6	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 N채널(듀얼)		20V	800mA(타)		85m옴 @ 800mA, 4.5V	1V @ 1mA	2nC @ 4.5V		177pF @ 10V	레벨 레벨 컨트롤러, 1.2V 드라이브
SSM6N36FE,LM	0.4300	보상요청	3	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	SOT-563, SOT-666	SSM6N36	MOSFET(금속)	150mW	ES6	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	4,000	2 N채널(듀얼)		20V	500mA		630m옴 @ 200mA, 5V	1V @ 1mA	1.23nC @ 4V		46pF @ 10V	게임 레벨 레벨
TK4R1A10PL,S4X	2.0400	보상요청	40	도시바 및 저장	-	튜브	활동적인	175°C	스루홀	TO-220-3 풀팩	TK4R1A10	MOSFET(금속)		TO-220SIS	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	100V	80A(Tc)	4.5V, 10V	4.1m옴 @ 40A, 10V	2.5V @ 1mA	104nC @ 10V	±20V	50V에서 6320pF	-	54W(Tc)
SSM6P39TU,LF	0.4800	보상요청	2	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C	표면 실장	6-SMD, 플랫 리드	SSM6P39	MOSFET(금속)	500mW(타)	UF6	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 P채널(듀얼)		20V	1.5A(타)		213m옴 @ 1A, 4V	1V @ 1mA	6.4nC @ 4V		250pF @ 10V	레벨 레벨 컨트롤러, 1.8V 드라이브
HN1C03FU-A(TE85L,F	0.4400	보상요청	9755	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	HN1C03		200mW	US6	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000													20V	300mA			100nA(ICBO)	2 NPN(이중)	100mV @ 3mA, 30mA	200 @ 4mA, 2V	30MHz
2SB1495,Q(M	-	보상요청	9800	도시바 및 저장	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	2SB1495		2W	TO-220NIS	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	1													100V	3A			10μA(ICBO)	PNP	1.5V @ 1.5mA, 1.5A	2000 @ 2A, 2V	-
2SK2744(F)	-	보상요청	1975년	도시바 및 저장	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3	2SK2744	MOSFET(금속)		TO-3P(엔)	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	50V	45A(타)	10V	20m옴 @ 25A, 10V	3.5V @ 1mA	68nC @ 10V	±20V	10V에서 2300pF	-	125W(Tc)
SSM3J117TU,LF	0.3700	보상요청	366	도시바 및 저장	U-MOSII	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C	표면 실장	3-SMD, 플랫 리드	SSM3J117	MOSFET(금속)		UFM	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000		P채널	30V	2A(타)	4V, 10V	117m옴 @ 1A, 10V	2.6V @ 1mA		±20V	15V에서 280pF	-	500mW(타)
TPCF8A01(TE85L)	-	보상요청	1987년	도시바 및 저장	U-MOSIII	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	8-SMD, 플랫 리드	TPCF8A01	MOSFET(금속)		VS-8(2.9x1.5)	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	4,000		N채널	20V	3A(타)	2V, 4.5V	49m옴 @ 1.5A, 4.5V	200μA에서 1.2V	7.5nC @ 5V	±12V	10V에서 590pF	쇼트키 다이오드(절연)	330mW(타)
TK55D10J1(Q)	-	보상요청	9064	도시바 및 저장	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	TK55D10	MOSFET(금속)		TO-220(W)	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	100V	55A(타)	4.5V, 10V	10.5m옴 @ 27A, 10V	2.3V @ 1mA	110nC @ 10V	±20V	5700pF @ 10V	-	140W(Tc)
TK39N60W,S1VF	5.5100	보상요청	7989	도시바 및 저장	DTMOSIV	튜브	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3	TK39N60	MOSFET(금속)		TO-247	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	30		N채널	600V	38.8A(타)	10V	65m옴 @ 19.4A, 10V	3.7V @ 1.9mA	110nC @ 10V	±30V	300V에서 4100pF	-	270W(Tc)
RN2110MFV,L3F	0.2000	보상요청	8	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SOT-723	RN2110		150mW	베스엠	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	8,000													50V	100mA			100nA(ICBO)	PNP - 사전 바이어스됨	250μA, 5mA에서 300mV	120@1mA, 5V		4.7kΩ
RN1305,LXHF	0.3900	보상요청	6080	도시바 및 저장	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SC-70, SOT-323	RN1305		100mW	SC-70	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA			500nA	NPN - 사전 바이어스됨	250μA, 5mA에서 300mV	80 @ 10mA, 5V	250MHz	2.2kΩ	47kΩ
TPH4R003NL,L1Q	1.0700	보상요청	4	도시바 및 저장	U-MOSVIII-H	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN	TPH4R003	MOSFET(금속)		8-SOP 사전(5x5)	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	5,000		N채널	30V	40A(Tc)	4.5V, 10V	4m옴 @ 20A, 10V	2.3V @ 200μA	14.8nC @ 10V	±20V	15V에서 1400pF	-	1.6W(Ta), 36W(Tc)
TK14C65W,S1Q	-	보상요청	2199	도시바 및 저장	DTMOSIV	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA	TK14C65	MOSFET(금속)		I2PAK	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	650V	13.7A(타)	10V	250m옴 @ 6.9A, 10V	3.5V @ 690μA	35nC @ 10V	±30V	300V에서 1300pF	-	130W(Tc)
2SA965-Y(F,M)	-	보상요청	9438	도시바 및 저장	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리	2SA965		900mW	TO-92MOD	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	1													120V	800mA			100nA(ICBO)	PNP	1V @ 50mA, 500mA	80 @ 100mA, 5V	120MHz
TPCA8036-H(TE12L,Q	-	보상요청	8612	도시바 및 저장	U-MOSVI-H	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN	TPCA8036	MOSFET(금속)		8-SOP 사전(5x5)	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	30V	38A(타)	4.5V, 10V	4.2m옴 @ 19A, 10V	500μA에서 2.3V	50nC @ 10V	±20V	10V에서 4600pF	-	1.6W(Ta), 45W(Tc)
2SJ377(TE16R1,NQ)	-	보상요청	5182	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	2SJ377	MOSFET(금속)		PW-MOLD	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	2,000		P채널	60V	5A(타)	4V, 10V	190m옴 @ 2.5A, 10V	2V @ 1mA	22nC @ 10V	±20V	10V에서 630pF	-	20W(Tc)
2SA1955FVBTPL3Z	0.1200	보상요청	2	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	SOT-723	2SA1955		100mW	베스엠	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	8,000													12V	400mA			100nA(ICBO)	PNP	250mV @ 10mA, 200mA	300 @ 10mA, 2V	130MHz
RN2413,LF	0.0309	보상요청	2205	도시바 및 저장	*	테이프 및 릴리(TR)	활동적인								-	ROHS3 준수		264-RN2413,LFTR			3,000
TK40E10K3,S1X(S	-	보상요청	9070	도시바 및 저장	유모스크롤(U-MOSIV)	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-	스루홀	TO-220-3	TK40E10	MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	100V	40A(타)		15m옴 @ 20A, 10V	4V @ 1mA	84nC @ 10V		4000pF @ 10V	-	-
RN2107,LF(CT	0.2300	보상요청	55	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SC-75, SOT-416	RN2107		100mW	SSM	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100mA			500nA	PNP - 사전 바이어스됨	250μA, 5mA에서 300mV	80 @ 10mA, 5V	200MHz	10kΩ	47kΩ

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²