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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
RN1911FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FETE85LF -
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ECAD 8032 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1911 100mW ES6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz 10k옴 -
TK35E10K3(S1SS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK35E10K3(S1SS-Q) -
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ECAD 8927 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 - 스루홀 TO-220-3 TK35E10 - TO-220 - RoHS 준수 1(무제한) TK35E10K3S1SSQ EAR99 8541.29.0095 50 - - - - - -
2SA1182-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1182-Y,LF 0.3300
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ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1182 150mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 500mA 100nA(ICBO) PNP 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 100mA, 1V 200MHz
TPC8111(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8111(TE12L,Q,M) -
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ECAD 7612 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TPC8111 MOSFET(금속) 8-SOP(5.5x6.0) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 11A(타) 4V, 10V 12m옴 @ 5.5A, 10V 2V @ 1mA 107nC @ 10V ±20V 5710pF @ 10V - 1W(타)
TJ9A10M3,S4Q Toshiba Semiconductor and Storage TJ9A10M3,S4Q -
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ECAD 3753 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TJ9A10 MOSFET(금속) TO-220SIS - 264-TJ9A10M3S4Q EAR99 8541.29.0095 50 P채널 100V 9A(타) 10V 170m옴 @ 4.5A, 10V 4V @ 1mA 47nC @ 10V ±20V 2900pF @ 10V - 19W(Tc)
SSM6K517NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K517NU,LF 0.4100
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ECAD 829 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6K517 MOSFET(금속) 6-UDFNB(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 6A(타) 1.8V, 4.5V 39.1m옴 @ 2A, 4.5V 1V @ 1mA 3.2nC @ 4.5V +12V, -8V 15V에서 310pF - 1.25W(타)
RN1111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1111MFV,L3F 0.1800
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ECAD 1755년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1111 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 10kΩ
2SA1837,TOA1F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837,TOA1F(J -
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ECAD 8224 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1837 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 230V 1A 1μA(ICBO) PNP 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 70MHz
2SC5065-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5065-O(TE85L,F) -
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ECAD 8403 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SC5065 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 - 12V 30mA NPN 80 @ 10mA, 5V 7GHz 1dB @ 500MHz
RN1303,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1303,LXHF 0.3900
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ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1303 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22kΩ 22kΩ
2SA1931(NOMARK,A,Q Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931(노마크,A,Q -
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ECAD 9650 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1931 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 50V 5A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 200mA, 2A 100 @ 1A, 1V 60MHz
RN1404S,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1404S,LF -
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ECAD 8748 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1404 200mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 47kΩ
TK7R7P10PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7R7P10PL,RQ 1.0700
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ECAD 27 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK7R7P10 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 55A(Tc) 4.5V, 10V 7.7m옴 @ 27.5A, 10V 500μA에서 2.5V 44nC @ 10V ±20V 50V에서 2800pF - 93W(Tc)
TK49N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK49N65W5,S1F 11.8200
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ECAD 45 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-247-3 TK49N65 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 49.2A(타) 10V 57m옴 @ 24.6A, 10V 4.5V @ 2.5mA 185nC @ 10V ±30V 300V에서 6500pF - 400W(Tc)
TDTC123J,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC123J,LM 0.1800
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTC123 320mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ
RN2311,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2311,LXHF 0.3900
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ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2311 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 200MHz 10kΩ
SSM3K303T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K303T(TE85L,F) -
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ECAD 5500 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K303 MOSFET(금속) TSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 2.9A(타) 4V, 10V 83m옴 @ 1.5A, 10V 2.6V @ 1mA 3.3nC @ 4V ±20V 10V에서 180pF - 700mW(타)
RN2602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2602(TE85L,F) 0.4700
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ECAD 3213 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN2602 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10k옴 10k옴
TK10S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10S04K3L(T6L1,NQ -
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ECAD 6481 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK10S04 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 10A(타) 6V, 10V 28m옴 @ 5A, 10V 3V @ 1mA 10nC @ 10V ±20V 10V에서 410pF - 25W(Tc)
RN1117(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1117(TE85L,F) 0.3900
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ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1117 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 4.7kΩ
2SC3668-Y,T2WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3668-Y,T2WNLF(J -
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ECAD 8244 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC3668 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK190A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK190A65Z,S4X 3.0000
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ECAD 12 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSVI 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK190A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 15A(타) 10V 190m옴 @ 7.5A, 10V 4V @ 610μA 25nC @ 10V ±30V 300V에서 1370pF - 40W(Tc)
TW060N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW060N120C,S1F 19.8400
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ECAD 4984 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-247-3 SiCFET(탄화규소) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 1200V 36A(티씨) 18V 78m옴 @ 18A, 18V 5V @ 4.2mA 46nC @ 18V +25V, -10V 800V에서 1530pF - 170W(Tc)
2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK879-GR(TE85L,F) 0.4200
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ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SK879 100mW USM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 8.2pF @ 10V 10V에서 2.6mA 400mV @ 100nA
RN2305,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2305,LXHF 0.3900
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ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2305 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2kΩ 47kΩ
TK8A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A45DA(STA4,Q,M) 1.6400
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ECAD 6704 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 - 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK8A45 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 450V 7.5A(Tc) - - - -
HN1C01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-GR,LF 0.3400
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C01 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 250mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
SSM5H08TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H08TU,LF 0.4800
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD(5리드), 플랫 리드 SSM5H08 MOSFET(금속) UFV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 1.5A(타) 2.5V, 4V 160m옴 @ 750mA, 4V 1.1V @ 100μA ±12V 10V에서 125pF 쇼트키 다이오드(절연) 500mW(타)
TK750A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK750A60F,S4X 1.7600
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ECAD 968 0.00000000 도시바 및 저장 유모식스 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK750A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 10A(타) 10V 750m옴 @ 5A, 10V 4V @ 1mA 30nC @ 10V ±30V 300V에서 1130pF - 40W(Tc)
RN4981FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4981FE,LXHF(CT 0.3800
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ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4981 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7k옴 4.7k옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고