SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
RN1104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV, L3XHF (CT 0.3400
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN1104 150 MW VESM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 47 Kohms 47 Kohms
2SC2655-Y,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y, T6WNLF (J. -
RFQ
ECAD 2036 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2655 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
2SA949-Y(T6SHRP,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y (T6SHRP, FM -
RFQ
ECAD 5283 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA949 800MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 150 v 50 MA 100NA (ICBO) PNP 800mv @ 1ma, 10a 70 @ 10ma, 5V 120MHz
TPN4R806PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R806PL, L1Q 0.9000
RFQ
ECAD 4178 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powervdfn TPN4R806 MOSFET (금속 (() 8 1 3. (3.1x3.1) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 72A (TC) 4.5V, 10V 36a, 36a, 10V 2.5V @ 300µA 29 NC @ 10 v ± 20V 2770 pf @ 30 v - 630MW (TA), 104W (TC)
TK31A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK31A60W, S4VX 7.4700
RFQ
ECAD 7047 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK31A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 30.8A (TA) 10V 88mohm @ 15.4a, 10V 3.7v @ 1.5ma 86 NC @ 10 v ± 30V 3000 pf @ 300 v - 45W (TC)
2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326-B, LF 0.4000
RFQ
ECAD 205 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3326 150 MW TO-236 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 20 v 300 MA 100NA (ICBO) NPN 100mv @ 3ma, 30ma 350 @ 4ma, 2v 30MHz
RN1507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1507 (TE85L, F) 0.3500
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RN1507 300MW SMV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage ssm6n16fe, l3f 0.3700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SSM6N16 MOSFET (금속 (() 150MW (TA) ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 2 n 채널 (채널) 20V 100MA (TA) 3ohm @ 10ma, 4v 1.1V @ 100µa - 9.3pf @ 3v -
TPWR7904PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPWR7904PB, L1XHQ 2.9900
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powervdfn TPWR7904 MOSFET (금속 (() 8-DSOP 발전 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 150A (TA) 6V, 10V 0.79mohm @ 75a, 10V 3V @ 1mA 85 NC @ 10 v ± 20V 6650 pf @ 10 v - 960MW (TA), 170W (TC)
RN4905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905FE, LF (Ct 0.2700
RFQ
ECAD 2228 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN4905 100MW ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 2.2kohms 47kohms
2SA1869-Y(JKT,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1869-Y (JKT, Q, M) -
RFQ
ECAD 5990 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SA1869 10 W. TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 50 v 3 a 1µA (ICBO) PNP 600mv @ 200ma, 2a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
RN1104,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104, LF (Ct 0.2000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN1104 100MW SSM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
2SA1382,T6MIBF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1382, T6MIBF (J. -
RFQ
ECAD 4486 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1382 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 33ma, 1a 150 @ 500ma, 2V 110MHz
RN2416,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2416, LXHF 0.3400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2416 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
RN4903(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4903 (T5L, F, T) -
RFQ
ECAD 4486 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4903 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 200MHz 22kohms 22kohms
RN2106ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2106ACT (TPL3) 0.0527
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN2106 100MW CST3 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 MA 500NA pnp- 사전- 150mv @ 250µa, 5mA 80 @ 10ma, 5V 4.7 Kohms 47 Kohms
TK20A60W,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20A60W, S5VX 2.9800
RFQ
ECAD 84 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK20A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 20A (TA) 10V 155mohm @ 10a, 10V 3.7v @ 1ma 48 NC @ 10 v ± 30V 1680 pf @ 300 v - 45W (TC)
TPN6R303NC,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN6R303NC, LQ 0.8300
RFQ
ECAD 1735 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPN6R303 MOSFET (금속 (() 8 1 3. (3.1x3.1) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 20A (TA) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 10a, 10V 2.3V @ 200µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1370 pf @ 15 v - 700MW (TA), 19W (TC)
2SA1586-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-GR, LF 0.1800
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SA1586 100MW SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 200 @ 2ma, 6v 80MHz
2SC2229-O(SHP,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O (SHP, F, M) -
RFQ
ECAD 6232 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2229 800MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 150 v 50 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1ma, 10ma 70 @ 10ma, 5V 120MHz
RN2309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2309 (TE85L, F) 0.2700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN2309 100MW SC-70 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 200MHz 47 Kohms 22 KOHMS
SSM6K517NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K517NU, LF 0.4100
RFQ
ECAD 829 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-wdfn n 패드 SSM6K517 MOSFET (금속 (() 6-udfnb (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 6A (TA) 1.8V, 4.5V 39.1mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 1mA 3.2 NC @ 4.5 v +12V, -8V 310 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
TPH1R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R712MD, L1Q 1.4900
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPH1R712 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 20 v 60A (TC) 2.5V, 4.5V 1.7mohm @ 30a, 4.5v 1.2v @ 1ma 182 NC @ 5 v ± 12V 10900 pf @ 10 v - 78W (TC)
SSM3J130TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J130TU, LF 0.4600
RFQ
ECAD 166 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 SSM3J130 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 4.4A (TA) 1.5V, 4.5V 25.8mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 1mA 24.8 nc @ 4.5 v ± 8V 1800 pf @ 10 v - 500MW (TA)
TK40E10K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK40E10K3, S1X (s -
RFQ
ECAD 9070 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u- 모시브 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 TK40E10 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 40A (TA) 15mohm @ 20a, 10V 4V @ 1MA 84 NC @ 10 v 4000 pf @ 10 v - -
RN2904,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2904, LF -
RFQ
ECAD 6480 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2904 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 47kohms 47kohms
TK8A55DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Tk8a55da (STA4, Q, M) 1.7700
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 tk8a55 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 550 v 7.5A (TA) 10V 1.07ohm @ 3.8a, 10V 4V @ 1MA 16 nc @ 10 v ± 30V 800 pf @ 25 v - 40W (TC)
TTC1949-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTC1949-Y, LF 0.3100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TTC1949 200 MW S- 미니 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50ma, 500ma 120 @ 100MA, 1V 100MHz
2SA1837,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, F (J. -
RFQ
ECAD 8030 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SA1837 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µA (ICBO) PNP 1.5V @ 50MA, 500MA 100 @ 100ma, 5V 70MHz
TPCF8A01(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8A01 (TE85L) -
RFQ
ECAD 1987 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 TPCF8A01 MOSFET (금속 (() VS-8 (2.9x1.5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 채널 20 v 3A (TA) 2V, 4.5V 49mohm @ 1.5a, 4.5v 1.2V @ 200µA 7.5 NC @ 5 v ± 12V 590 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 330MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고