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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RN1108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1108(T5L,F,T) 0.2300
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ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1108 100mW SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22kΩ 47kΩ
TK31N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60X,S1F 5.9700
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ECAD 9517 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 TK31N60 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 30.8A(타) 10V 88m옴 @ 9.4A, 10V 3.5V @ 1.5mA 65nC @ 10V ±30V 300V에서 3000pF - 230W(Tc)
TK28V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK28V65W, LQ 5.2600
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ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 4-VSFN 옆형 패드 TK28V65 MOSFET(금속) 4-DFN-EP(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 650V 27.6A(타) 10V 120m옴 @ 13.8A, 10V 3.5V @ 1.6mA 75nC @ 10V ±30V 300V에서 3000pF - 240W(Tc)
2SC4793,YHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793,YHF(M -
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ECAD 9650 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC4793 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 230V 1A 1μA(ICBO) NPN 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 100MHz
TK28A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK28A65W,S5X 5.0100
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ECAD 34 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK28A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 27.6A(타) 10V 110m옴 @ 13.8A, 10V 3.5V @ 1.6mA 75nC @ 10V ±30V 300V에서 3000pF - 45W(Tc)
RN1116(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1116(TE85L,F) 0.2800
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ECAD 73 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1116 100mW SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 10kΩ
2SC2235-Y(6MBH1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y(6MBH1, AF -
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ECAD 8417 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2235 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
2SJ438(CANO,A,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438(카노,A,Q) -
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ECAD 6374 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SJ438 TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 5A(티제이)
TK160F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L,LXGQ 3.7000
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ECAD 4476 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB TK160F10 MOSFET(금속) TO-220SM(W) - 3(168시간) EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 100V 160A(타) 6V, 10V 2.4m옴 @ 80A, 10V 3.5V @ 1mA 122nC @ 10V ±20V 10100pF @ 10V - 375W(Tc)
TK5P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P65W,RQ 1.3700
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) DPAK - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 650V 5.2A(타) 10V 1.22옴 @ 2.6A, 10V 170μA에서 3.5V 10.5nC @ 10V ±30V 300V에서 380pF - 60W(Tc)
2SC2655-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y(T6CANOFM -
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ECAD 8697 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2655 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) 2SC2655YT6CANOFM EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
SSM3J114TU(T5L,T) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J114TU(T5L,T) -
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ECAD 2761 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 SSM3J114 MOSFET(금속) UFM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 1.8A(타) 1.5V, 4V 149m옴 @ 600mA, 4V 1V @ 1mA 7.7nC @ 4V ±8V 10V에서 331pF - 500mW(타)
TPCA8045-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8045-H(T2L1,VM -
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ECAD 3369 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVI-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8045 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 46A(타) 4.5V, 10V 3.6m옴 @ 23A, 10V 2.3V @ 1mA 90nC @ 10V ±20V 7540pF @ 10V - 1.6W(Ta), 45W(Tc)
TK6Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q65W,S1Q 1.4000
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ECAD 8899 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 스텁 레코드, IPak TK6Q65 MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 75 N채널 650V 5.8A(타) 10V 1.05옴 @ 2.9A, 10V 180μA에서 3.5V 11nC @ 10V ±30V 300V에서 390pF - 60W(Tc)
TK7A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A45DA(STA4,Q,M) 1.4000
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ECAD 5114 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK7A45 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 450V 6.5A(타) 10V 1.2옴 @ 3.3A, 10V 4.4V @ 1mA 11nC @ 10V ±30V 25V에서 540pF - 35W(Tc)
RN2903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2903FE,LXHF(CT 0.3800
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ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2903 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 22kΩ
SSM6P54TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P54TU,LF 0.4100
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ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6P54 MOSFET(금속) 500mW(타) UF6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 20V 1.2A(타) 228m옴 @ 600mA, 2.5V 1V @ 1mA 7.7nC @ 4V 331pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.5V 드라이브
RN1309,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1309,LXHF 0.3900
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1309 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 5mA, 5V 250MHz 47kΩ 22kΩ
RN2904FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE(T5L,F,T) -
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ECAD 8069 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2904 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47k옴 47k옴
TTD1509B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTD1509B,Q(에스 -
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ECAD 2966 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 활동적인 TTD1509 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 250
TJ60S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L,LXHQ 1.6500
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TJ60S06 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 60V 60A(타) 6V, 10V 11.2m옴 @ 30A, 10V 3V @ 1mA 156nC @ 10V +10V, -20V 7760pF @ 10V - 100W(Tc)
SSM3J144TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU,LXHF 0.4300
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ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 MOSFET(금속) UFM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 3.2A(타) 1.5V, 4.5V 93m옴 @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1mA 4.7nC @ 4.5V +6V, -8V 10V에서 290pF - 500mW(타)
TK100E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK100E08N1,S1X 3.9800
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ECAD 7657 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK100E08 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 80V 100A(타) 10V 3.2m옴 @ 50A, 10V 4V @ 1mA 130nC @ 10V ±20V 40V에서 9000pF - 255W(Tc)
2SC4793,HFEF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793,HFEF(M -
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ECAD 4903 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC4793 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 230V 1A 1μA(ICBO) NPN 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 100MHz
TK1P90A,LQ(CO Toshiba Semiconductor and Storage TK1P90A,LQ(CO -
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ECAD 9799 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK1P90 MOSFET(금속) PW-MOLD 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TK1P90ALQ(CO EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 900V 1A(타) 10V 9옴 @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 13nC @ 10V ±30V 320pF @ 25V - 20W(Tc)
SSM3K35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35CT,L3F 0.3200
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ECAD 13 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SC-101, SOT-883 SSM3K35 MOSFET(금속) CST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 20V 180mA(타) 1.2V, 4V 3옴 @ 50mA, 4V 1V @ 1mA ±10V 9.5pF @ 3V - 100mW(타)
RN1905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1905FE,LF(CT 0.2700
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ECAD 458 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1905 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2k옴 47k옴
SSM3K361R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361R,LXHF 0.6400
보상요청
ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 100V 3.5A(타) 4.5V, 10V 69m옴 @ 2A, 10V 100μA에서 2.5V 3.2nC @ 4.5V ±20V 15V에서 430pF - 1.2W(타)
TK560A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK560A65Y,S4X 1.5700
보상요청
ECAD 12 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK560A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 7A(TC) 10V 560m옴 @ 3.5A, 10V 4V @ 240μA 14.5nC @ 10V ±30V 300V에서 380pF - 30W
RN2114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2114MFV,L3F 0.2000
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ECAD 7888 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2114 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 1kΩ 10kΩ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고