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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
TK18E10K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK18E10K3,S1X(S -
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 ECAD 1444 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK18E10 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 18A(타) 42m옴 @ 9A, 10V - 33nC @ 10V - -
SSM3K15ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACT(TPL3) 0.0672
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 ECAD 1826년 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 SSM3K15 MOSFET(금속) CST3 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 30V 100mA(타) 2.5V, 4V 3.6옴 @ 10mA, 4V 1.5V @ 100μA ±20V 13.5pF @ 3V - 100mW(타)
TK5A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60W5,S5VX 1.5900
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 ECAD 7625 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220SIS - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 4.5A(타) 10V 950m옴 @ 2.3A, 10V 4.5V @ 230μA 11.5nC @ 10V ±30V 370pF @ 300V - 30W(Tc)
RN2407,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2407,LXHF 0.3400
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2407 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 47kΩ
TK560P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P60Y,RQ 1.4700
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK560P60 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 600V 7A(TC) 10V 560m옴 @ 3.5A, 10V 4V @ 240μA 14.5nC @ 10V ±30V 300V에서 380pF - 60W(Tc)
TK17E65W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK17E65W,S1X 3.2100
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 ECAD 3783 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK17E65 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 17.3A(타) 10V 200m옴 @ 8.7A, 10V 900μA에서 3.5V 45nC @ 10V ±30V 300V에서 1800pF - 165W(Tc)
2SA1837(PAIO,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837(파이오,F,M) -
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 ECAD 8587 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1837 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 230V 1A 1μA(ICBO) PNP 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 70MHz
TK10A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W5,S5VX 2.0400
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 ECAD 32 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK10A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 9.7A(타) 10V 450m옴 @ 4.9A, 10V 500μA에서 4.5V 25nC @ 10V ±30V 300V에서 720pF - 30W(Tc)
RN1608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1608(TE85L,F) 0.4800
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN1608 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22k옴 47k옴
RN4904,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4904,LF 0.2800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4904 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47k옴 47k옴
TK90S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK90S06N1L,LQ 2.2100
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK90S06 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 60V 90A(타) 4.5V, 10V 3.3m옴 @ 45A, 10V 500μA에서 2.5V 81nC @ 10V ±20V 10V에서 5400pF - 157W(Tc)
2SC2229-O(T6MIT1FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O(T6MIT1FM -
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 ECAD 3344 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2229 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) 2SC2229OT6MIT1FM EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120MHz
HN1B04FU-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-Y(T5L,F,T -
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 ECAD 1894년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B04 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN, PNP 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 150MHz
TK15S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK15S04N1L,LXHQ 0.9600
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 ECAD 3131 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK15S04 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 15A(타) 4.5V, 10V 17.8m옴 @ 7.5A, 10V 100μA에서 2.5V 10nC @ 10V ±20V 10V에서 610pF - 46W(Tc)
RN2104ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2104ACT(TPL3) -
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 ECAD 9312 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2104 100mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 80mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 47kΩ 47kΩ
2SC5201(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201(TE6,F,M) -
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 ECAD 1063 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC5201 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 600V 50mA 1μA(ICBO) NPN 1V @ 500mA, 20mA 100 @ 20mA, 5V -
2SK2231(TE16R1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2231(TE16R1,NQ) -
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 ECAD 1483 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SK2231 MOSFET(금속) PW-MOLD 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 60V 5A(타) 4V, 10V 160m옴 @ 2.5A, 10V 2V @ 1mA 12nC @ 10V ±20V 10V에서 370pF - 20W(Tc)
RN1508(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1508(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74A, SOT-753 RN1508 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22k옴 47k옴
SSM3K59CTB,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K59CTB,L3F 0.4200
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 ECAD 2492 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 무연 SSM3K59 MOSFET(금속) CST3B 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 10,000 N채널 40V 2A(타) 1.8V, 8V 215m옴 @ 1A, 8V 1.2V @ 1mA 1.1nC @ 4.2V ±12V 10V에서 130pF - 1W(타)
TK8P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8P65W,RQ 1.9100
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 ECAD 8048 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 650V 7.8A(타) 10V 670m옴 @ 3.9A, 10V 3.5V @ 300μA 16nC @ 10V ±30V 300V에서 570pF - 80W(Tc)
TPCC8093,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8093,L1Q -
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 ECAD 7998 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPCC8093 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 TPCC8093L1Q EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 20V 21A(타) 2.5V, 4.5V 5.8m옴 @ 10.5A, 4.5V 500μA에서 1.2V 16nC @ 5V ±12V 10V에서 1860pF - 1.9W(Ta), 30W(Tc)
TK65S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK65S04K3L(T6L1,NQ -
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 ECAD 5095 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK65S04 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 65A(타) 6V, 10V 4.5m옴 @ 32.5A, 10V 3V @ 1mA 63nC @ 10V ±20V 2800pF @ 10V - 88W(Tc)
SSM3J355R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J355R,LF 0.4200
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 ECAD 51 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3J355 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 6A(타) 1.8V, 4.5V 30.1m옴 @ 4A, 4.5V 1V @ 1mA 16.6nC @ 4.5V ±10V 1030pF @ 10V - 1W(타)
2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326-B,LF 0.4000
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 ECAD 205 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3326 150mW TO-236 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100nA(ICBO) NPN 100mV @ 3mA, 30mA 350 @ 4mA, 2V 30MHz
TPH1R204PB,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R204PB,L1Q 1.5500
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 ECAD 31 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPH1R204 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 150A(Tc) 6V, 10V 1.2m옴 @ 50A, 10V 3V에서 500μA 62nC @ 10V ±20V 5855pF @ 20V - 960mW(Ta), 132W(Tc)
2SJ438,Q(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438,Q(M -
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 ECAD 8401 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SJ438 TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 5A(티제이)
RN1903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903,LF(CT 0.2700
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 ECAD 55 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1903 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22k옴 22k옴
SSM3K16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16CT,L3F 0.3200
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 ECAD 16 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SC-101, SOT-883 SSM3K16 MOSFET(금속) CST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 20V 100mA(타) 1.5V, 4V 3옴 @ 10mA, 4V 1.1V @ 100μA ±10V 9.3pF @ 3V - 100mW(타)
RN1311,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1311,LXHF 0.3900
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1311 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz 10kΩ
TPN7R504PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN7R504PL,LQ 0.6100
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 ECAD 521 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPN7R504 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 40V 38A(Tc) 4.5V, 10V 7.5m옴 @ 19A, 10V 2.4V @ 200μA 24nC @ 10V ±20V 2040pF @ 20V - 610mW(Ta), 61W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

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    15,000m2

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