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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
2SA1020-Y(T6CN,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6CN, A, F. -
RFQ
ECAD 6615 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1020 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
2SA1020-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O, F (J. -
RFQ
ECAD 1486 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1020 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
TPCC8093,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8093, L1Q -
RFQ
ECAD 7998 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSVII 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8-powervdfn TPCC8093 MOSFET (금속 (() 8 1 3. (3.1x3.1) 다운로드 rohs 준수 TPCC8093L1Q 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 20 v 21A (TA) 2.5V, 4.5V 5.8mohm @ 10.5a, 4.5v 1.2V @ 500µA 16 nc @ 5 v ± 12V 1860 pf @ 10 v - 1.9W (TA), 30W (TC)
SSM6G18NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6G18NU, LF 0.4900
RFQ
ECAD 8410 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 SSM6G18 MOSFET (금속 (() 6-µdfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2A (TA) 1.5V, 4.5V 112mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 1mA 4.6 NC @ 4.5 v ± 8V 270 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1W (TA)
2SD2695,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695, T6f (m -
RFQ
ECAD 9931 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SD2695 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 60 v 2 a 10µA (ICBO) NPN 1.5v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 2v 100MHz
SSM10N954L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM10N954L, EFF 1.3600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 10-smd,, 없음 MOSFET (금속 (() TCSPAC-153001 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 12 v 13.5A (TA) 2.5V, 4.5V 2.75mohm @ 6a, 4.5v 1.4V @ 1.11ma 25 nc @ 4 v ± 8V - 800MW (TA)
RN1905(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1905 (T5L, F, T) 0.3400
RFQ
ECAD 51 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1905 200MW US6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
TK10S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10S04K3L (T6L1, NQ -
RFQ
ECAD 6481 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u- 모시브 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK10S04 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 10A (TA) 6V, 10V 28mohm @ 5a, 10V 3V @ 1mA 10 nc @ 10 v ± 20V 410 pf @ 10 v - 25W (TC)
RN1904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904, LXHF (Ct 0.3600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1904 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 47kohms 47kohms
RN1611(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1611 (TE85L, F) 0.4700
RFQ
ECAD 325 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 RN1611 300MW sm6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 10kohms -
RN1904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904FE, LXHF (Ct 0.3800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN1904 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 47kohms 47kohms
HN1C01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-Y, LF 0.2600
RFQ
ECAD 39 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C01 200MW US6 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 250mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 80MHz
RN1107,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107, LXHF (Ct 0.3300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN1107 100MW SSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 10 KOHMS 47 Kohms
TK25E60X5,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK25E60X5, S1X 4.5900
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv-h 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TK25E60 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 25A (TA) 10V 140mohm @ 7.5a, 10V 4.5V @ 1.2MA 60 nc @ 10 v ± 30V 2400 pf @ 300 v - 180W (TC)
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L (T6L1, NQ 1.2600
RFQ
ECAD 5815 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TJ80S04 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 80A (TA) 6V, 10V 5.2MOHM @ 40A, 10V 3V @ 1mA 158 NC @ 10 v +10V, -20V 7770 pf @ 10 v - 100W (TC)
RN1116MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1116MFV, L3F 0.1800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN1116 150 MW VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
2SC4213BTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4213BTE85LF 0.4400
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SC4213 100MW SC-70 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 20 v 300 MA 100NA (ICBO) NPN 100mv @ 3ma, 30a 350 @ 4ma, 2v 30MHz
TK18A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk18a50d (sta4, q, m) 3.5200
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK18A50 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 18A (TA) 10V 270mohm @ 9a, 10V 4V @ 1MA 45 NC @ 10 v ± 30V 2600 pf @ 25 v - 50W (TC)
RN2132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2132MFV, L3F 0.1800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN2132 150 MW VESM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200 KOHMS
TK7S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z, LXHQ 0.8900
RFQ
ECAD 7428 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK7S10 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 7A (TA) 10V 48mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 100µa 7.1 NC @ 10 v ± 20V 470 pf @ 10 v - 50W (TC)
TK12A50E,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50E, S5X -
RFQ
ECAD 5246 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK12A50 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 12A (TA) 10V 520mohm @ 6a, 10V 4V @ 1.2MA 40 nc @ 10 v ± 30V 1300 pf @ 25 v - 45W (TC)
RN2902FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2902FE (T5L, F, T) -
RFQ
ECAD 3710 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN2902 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
HN1B01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-Y, LXHF 0.3700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B01 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 300mv @ 10ma, 100ma / 250mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 120MHz, 150MHz
SSM6P41FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm6p41fe (te85l, f) 0.4200
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SSM6P41 MOSFET (금속 (() 150MW ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 20V 720MA 300mohm @ 400ma, 4.5v 1V @ 1mA 1.76NC @ 4.5V 110pf @ 10V 논리 논리 게이트
2SA1020-Y,T6NSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y, T6NSF (J. -
RFQ
ECAD 2103 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1020 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 2SA1020-YT6NSF (J. 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
TK12A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A80W, S4X 3.1200
RFQ
ECAD 4351 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK12A80 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 11.5A (TA) 10V 450mohm @ 5.8a, 10V 4V @ 570µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 300 v - 45W (TC)
TPCC8066-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8066-H, LQ (s -
RFQ
ECAD 6818 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosvii-h 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPCC8066 MOSFET (금속 (() 8 1 3. (3.1x3.1) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 5.5a, 10V 2.3v @ 100µa 15 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 10 v - 700MW (TA), 17W (TC)
RN2310,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2310, LXHF 0.3900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN2310 100MW SC-70 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 4.7 Kohms
TJ8S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ8S06M3L, LXHQ 0.9500
RFQ
ECAD 8204 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TJ8S06 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 8A (TA) 6V, 10V 104mohm @ 4a, 10V 3V @ 1mA 19 NC @ 10 v +10V, -20V 890 pf @ 10 v - 27W (TC)
TK4P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P50D (T6RSS-Q) -
RFQ
ECAD 2672 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK4P50 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) tk4p50dt6rssq 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 4A (TA) 10V 2ohm @ 2a, 10V 4.4V @ 1mA 9 NC @ 10 v ± 30V 380 pf @ 25 v - 80W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고