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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 테스트 조건 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
2SA1225-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1225-Y(Q) -
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 ECAD 5342 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SA1225 1W PW-MOLD - 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 200 160V 1.5A 1μA(ICBO) PNP 1.5V @ 50mA, 500mA 120 @ 100mA, 5V 100MHz
2SK3466(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3466(TE24L,Q) -
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 ECAD 2985 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-97 2SK3466 MOSFET(금속) 4-TFP(9.2x9.2) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 500V 5A(타) 10V 1.5옴 @ 5A, 10V 4V @ 1mA 17nC @ 10V ±30V 10V에서 780pF - 50W(Tc)
RN2904,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2904,LF -
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 ECAD 6480 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2904 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 47kΩ
RN2967(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2967(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2967 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10k옴 47kΩ
RN1102MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1102MFV,L3F 0.2400
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 ECAD 30 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1102 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 10kΩ 10kΩ
RN1112(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112(T5L,F,T) -
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 ECAD 1237 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1112 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 22kΩ
2SC3328-Y,HOF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3328-Y,HOF(M -
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 ECAD 3114 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC3328 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 80V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SA1162-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-Y,LF 0.1800
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 ECAD 1595년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1162 150mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100μA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
2SC5201(T6MURATAFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201(T6무라타FM -
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 ECAD 5065 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC5201 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) 2SC5201T6MURATAFM EAR99 8541.21.0095 1 600V 50mA 1μA(ICBO) NPN 1V @ 500mA, 20mA 100 @ 20mA, 5V -
RN1441ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1441ATE85LF -
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 ECAD 5685 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1441 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 100mV @ 3mA, 30mA 200 @ 4mA, 2V 30MHz 5.6kΩ
RN2107CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2107CT(TPL3) -
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 ECAD 2801 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2107 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 120 @ 10mA, 5V 10kΩ 47kΩ
2SC2229-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y,F(J -
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 ECAD 5348 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2229 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120MHz
2SC3324-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324-BL(TE85L,F -
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 ECAD 9331 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3324 150mW TO-236 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100nA(ICBO) NPN 300mV @ 1mA, 10mA 350 @ 2mA, 6V 100MHz
TK25V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X, LQ 2.5193
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 ECAD 9782 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 4-VSFN 옆형 패드 TK25V60 MOSFET(금속) 4-DFN-EP(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) TK25V60XLQ EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 25A(타) 10V 135m옴 @ 7.5A, 10V 3.5V @ 1.2mA 40nC @ 10V ±30V 300V에서 2400pF - 180W(Tc)
2SC2655-Y,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y,WNLF(J -
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 ECAD 1986년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2655 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
GT8G133(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT8G133(TE12L,Q) -
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 ECAD 4443 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 너비) GT8G133 기준 600mW 8-TSSOP 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 - - 400V 150A 2.9V @ 4V, 150A - 1.7μs/2μs
TK40P03M1(T6RDS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK40P03M1(T6RDS-Q) -
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 ECAD 6022 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVI-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK40P03 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TK40P03M1T6RDSQ EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 30V 40A(타) 4.5V, 10V 10.8m옴 @ 20A, 10V 100μA에서 2.3V 17.5nC @ 10V ±20V 1150pF @ 10V - -
2SC2655-Y(HIT,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y(히트,F,M) -
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 ECAD 8275 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2655 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN2101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101,LF(CT 0.2000
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 ECAD 2719 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2101 100mW SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
SSM10N954L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM10N954L,EFF 1.3600
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 ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 10-SMD, 무연 MOSFET(금속) TCSPAC-153001 - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 10,000 N채널 12V 13.5A(타) 2.5V, 4.5V 2.75m옴 @ 6A, 4.5V 1.4V @ 1.11mA 25nC @ 4V ±8V - 800mW(타)
HN1C01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-GR,LF 0.3000
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 HN1C01 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 250mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
2SC3668-O,T2CLAF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3668-O,T2CLAF(J -
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 ECAD 9779 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC3668 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
SSM3K72CFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72CFS,LF 0.2000
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 ECAD 133 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 SSM3K72 MOSFET(금속) SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 170mA(타) 4.5V, 10V 3.9옴 @ 100mA, 10V 2.1V @ 250μA 0.35nC @ 4.5V ±20V 17pF @ 10V - 150mW(타)
TPN4R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R203NC,L1Q 0.4595
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 ECAD 1481 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN4R203 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 23A(타) 4.5V, 10V 4.2m옴 @ 11.5A, 10V 2.3V @ 200μA 24nC @ 10V ±20V 1370pF @ 15V - 700mW(Ta), 22W(Tc)
MT3S20P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20P(TE12L,F) -
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 ECAD 2879 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA MT3S20 1.8W PW-미니 - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1,000 16.5dB 12V 80mA NPN 100 @ 50mA, 5V 7GHz 1.45dB @ 1GHz
HN3C51F-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-BL(TE85L,F -
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 ECAD 9019 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 HN3C51 300mW SM6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 300mV @ 1mA, 10mA 350 @ 2mA, 6V 100MHz
2SA1163-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163-GR,LF 0.3000
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 ECAD 16 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1163 150mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 1mA, 10mA 200 @ 2mA, 6V 100MHz
2SC5108-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5108-Y,LF -
보상요청
 ECAD 8584 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SC5108 100mW SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 11dB 10V 30mA NPN 120 @ 5mA, 5V 6GHz -
2SA1020-Y,T6NSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y,T6NSF(J -
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 ECAD 2103 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1020 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) 2SA1020-YT6NSF(J EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK4P55DA(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P55DA(T6RSS-Q) -
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 ECAD 2865 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK4P55 MOSFET(금속) D-박 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TK4P55DAT6RSSQ EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 550V 3.5A(타) 10V 2.45옴 @ 1.8A, 10V 4.4V @ 1mA 9nC @ 10V ±30V 380pF @ 25V - 80W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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