SIC
close
영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RN1406,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1406,LXHF 0.0645
보상요청
ECAD 7373 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1406 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 47kΩ
TPH1R306P1,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306P1,L1Q 2.4900
보상요청
ECAD 3131 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPH1R306 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 100A(Tc) 4.5V, 10V 1.28m옴 @ 50A, 10V 2.5V @ 1mA 91nC @ 10V ±20V 30V에서 8100pF - 960mW(Ta), 170W(Tc)
RN1104,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104,LXHF(CT 0.3300
보상요청
ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1104 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 47kΩ
XPQR3004PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPQR3004PB,LXHQ 6.7900
보상요청
ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-파워BSFN XPQR3004 MOSFET(금속) L-TOGL™ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 40V 400A(타) 6V, 10V 0.3m옴 @ 200A, 10V 3V @ 1mA 295nC @ 10V ±20V 26910pF @ 10V - 750W(Tc)
SSM3J14TTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J14TTE85LF -
보상요청
ECAD 8348 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J14 MOSFET(금속) TSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 30V 2.7A(타) 4V, 10V 85m옴 @ 1.35A, 10V - ±20V 15V에서 413pF - 700mW(타)
TK430A60F,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK430A60F,S4X(S -
보상요청
ECAD 5192 0.00000000 도시바 및 저장 유모식스 대부분 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 600V 13A(타) 10V 430m옴 @ 6.5A, 10V 4V @ 1.75mA 48nC @ 10V ±30V 300V에서 1940pF - 45W(Tc)
2SC3668-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3668-Y,T2F(J -
보상요청
ECAD 3546 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC3668 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK31J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31J60W,S1VQ 9.3800
보상요청
ECAD 15 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 TK31J60 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 25 N채널 600V 30.8A(타) 10V 88m옴 @ 15.4A, 10V 3.7V @ 1.5mA 86nC @ 10V ±30V 300V에서 3000pF - 230W(Tc)
TK40S10K3Z(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S10K3Z(T6L1,NQ -
보상요청
ECAD 6132 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK40S10 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 100V 40A(타) 10V 18m옴 @ 20A, 10V 4V @ 1mA 61nC @ 10V ±20V 10V에서 3110pF - 93W(Tc)
TK39J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W5,S1VQ 12.2700
보상요청
ECAD 3287 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 TK39J60 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 25 N채널 600V 38.8A(타) 10V 65m옴 @ 19.4A, 10V 3.7V @ 1.9mA 135nC @ 10V ±30V 300V에서 4100pF - 270W(Tc)
SSM5P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5P15FU,LF 0.4500
보상요청
ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 SSM5P15 MOSFET(금속) 200mW(타) USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 30V 100mA(타) 12옴 @ 10mA, 4V 1.7V @ 100μA - 9.1pF @ 3V -
S1PA7[UD] Toshiba Semiconductor and Storage S1PA7[UD] -
보상요청
ECAD 1361 0.00000000 도시바 및 저장 - 쟁반 활동적인 - 1(무제한) 190-S1PA7[UD] EAR99 8541.29.0095 100
TTA1713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTA1713-GR,LF 0.3100
보상요청
ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TTA1713 200mW S-미니 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 45V 500mA 100nA(ICBO) PNP 400mV @ 50mA, 500mA 180 @ 100mA, 1V 80MHz
SSM3K121TU Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K121TU -
보상요청
ECAD 6715 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 활동적인 150°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 MOSFET(금속) UFM 다운로드 264-SSM3K121TU EAR99 8541.21.0095 1 N채널 20V 3.2A(타) 1.5V, 4V 48m옴 @ 2A, 4V 1V @ 1mA 5.9nC @ 4V ±10V 10V에서 400pF - 500mW(타)
RN2131MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2131MFV,L3F 0.1800
보상요청
ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2131 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 100kΩ
TPC8115(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8115(TE12L,Q,M) -
보상요청
ECAD 7961 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TPC8115 MOSFET(금속) 8-SOP(5.5x6.0) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 10A(타) 1.8V, 4.5V 10m옴 @ 5A, 4.5V 200μA에서 1.2V 115nC @ 5V ±8V 9130pF @ 10V - 1W(타)
TK90S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK90S06N1L,LXHQ 1.7200
보상요청
ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK90S06 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 60V 90A(타) 4.5V, 10V 3.3m옴 @ 45A, 10V 500μA에서 2.5V 81nC @ 10V ±20V 10V에서 5400pF - 157W(Tc)
TPCA8057-H,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8057-H,LQ(M -
보상요청
ECAD 1274 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8057 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 42A(타) 4.5V, 10V 2.6m옴 @ 21A, 10V 500μA에서 2.3V 61nC @ 10V ±20V 10V에서 5200pF - 1.6W(Ta), 57W(Tc)
TPH1500CNH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1500CNH1,LQ 1.6600
보상요청
ECAD 9158 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 8파워TDFN TPH1500 MOSFET(금속) 8-SOP 고급(5x5.75) 다운로드 1(무제한) 5,000 N채널 150V 74A(Ta), 38A(Tc) 10V 15.4m옴 @ 19A, 10V 4V @ 1mA ±20V 75V에서 2200pF - 2.5W(Ta), 170W(Tc)
RN1107,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107,LXHF(CT 0.3300
보상요청
ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1107 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 47kΩ
SSM6L35FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L35FU(TE85L,F) 0.4000
보상요청
ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6L35 MOSFET(금속) 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N 및 P 채널 20V 180mA, 100mA 3옴 @ 50mA, 4V 1V @ 1mA - 9.5pF @ 3V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.2V 드라이브
RN2105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2105CT(TPL3) -
보상요청
ECAD 2702 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2105 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 120 @ 10mA, 5V 2.2kΩ 47kΩ
2SC2235-Y,T6USNF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y,T6USNF(M -
보상요청
ECAD 4600 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2235 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
2SC2713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2713-GR,LF 0.3000
보상요청
ECAD 8061 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2713 150mW TO-236 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100nA(ICBO) NPN 300mV @ 1mA, 10mA 200 @ 2mA, 6V 100MHz
TTC008(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTC008(Q) 0.8400
보상요청
ECAD 6705 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA TTC008 1.1W PW-MOLD2 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TTC008Q EAR99 8541.29.0095 200 285V 1.5A 10μA(ICBO) NPN 1V @ 62.5mA, 500mA 80 @ 1mA, 5V -
2SC3138-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3138-Y(TE85L,F) -
보상요청
ECAD 5873 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3138 150mW TO-236 - 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 200V 50mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 120 @ 10mA, 3V 100MHz
2SA1020-Y(T6TOJ,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y(T6TOJ,FM -
보상요청
ECAD 9874 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1020 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SC2655-Y,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y,T6WNLF(J -
보상요청
ECAD 2036년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2655 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TPCA8128,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8128,LQ(CM -
보상요청
ECAD 6650 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8128 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 34A(타) 4.5V, 10V 4.8m옴 @ 17A, 10V 2V에서 500μA 115nC @ 10V +20V, -25V 10V에서 4800pF - 1.6W(Ta), 45W(Tc)
RN1904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904,LXHF(CT 0.3600
보상요청
ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1904 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47k옴 47k옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고