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트랜지스터 (2488)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
TPCA8052-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8052-H (T2L1, VM 1.1300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u-mosvi-h 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 8-powervdfn TPCA8052 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 264-TPCA8052-H (T2L1VMTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 20A (TA) 4.5V, 10V 11.3MOHM @ 10A, 10V 2.3V @ 200µA 25 nc @ 10 v ± 20V 2110 pf @ 10 v - 1.6W (TA), 30W (TC)
TPH6R003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R003NL, LQ 0.9300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPH6R003 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 38A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 19a, 10V 2.3V @ 200µA 17 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 15 v - 1.6W (TA), 34W (TC)
TK35A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK35A65W, S5X 6.5000
RFQ
 ECAD 8817 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK35A65 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 35A (TA) 10V 80mohm @ 17.5a, 10V 3.5v @ 2.1ma 100 nc @ 10 v ± 30V 4100 pf @ 300 v - 50W (TC)
SSM6L40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L40TU, LF 0.4900
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6L40 MOSFET (금속 (() 500MW (TA) UF6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 1.6A (TA), 1.4A (TA) 122mohm @ 1a, 10v, 226mohm @ 1a, 10v 2.6v @ 1ma, 2v @ 1ma 5.1NC @ 10V, 2.9NC @ 10V 180pf @ 15V, 120pf @ 15V 논리 논리 게이트, 4v 드라이브
RN1103MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV, L3F (Ct 0.1800
RFQ
 ECAD 305 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN1103 150 MW VESM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 22 KOHMS 22 KOHMS
SSM3J118TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J118TU (TE85L) 0.4000
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosii 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 SSM3J118 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 1.4A (TA) 4V, 10V 240mohm @ 650ma, 10V - ± 20V 137 pf @ 15 v - 500MW (TA)
RN1702JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1702JE (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-553 RN1702 100MW ESV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (이중 이중) (이미 터 커플 링) 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
2SC5088-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5088-O (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 8450 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 2SC5088 100MW USQ - 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 18db 12V 80ma NPN 80 @ 20ma, 10V 7GHz 1dB @ 500MHz
RN1102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102MFV, L3XHF (CT 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN1102 150 MW VESM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 10 KOHMS 10 KOHMS
TK12P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W, RVQ 1.0490
RFQ
 ECAD 4795 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Tk12p60 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 11.5A (TA) 10V 340mohm @ 5.8a, 10V 3.7V @ 600µA 25 nc @ 10 v ± 30V 890 pf @ 300 v - 100W (TC)
2SC4116-BL,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-BL, LXHF 0.3300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 100MW SC-70 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 350 @ 2MA, 6V 80MHz
2SC2229-Y(MIT,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y (MIT, F, M) -
RFQ
 ECAD 4110 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2229 800MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 150 v 50 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1ma, 10ma 70 @ 10ma, 5V 120MHz
TPH1R306P1,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306P1, L1Q 2.4900
RFQ
 ECAD 3131 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powervdfn TPH1R306 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.28mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 1mA 91 NC @ 10 v ± 20V 8100 pf @ 30 v - 960MW (TA), 170W (TC)
TPHR6503PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL, L1Q 2.0600
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powervdfn TPHR6503 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 150A (TC) 4.5V, 10V 0.65mohm @ 50a, 10V 2.1v @ 1ma 110 NC @ 10 v ± 20V 10000 pf @ 15 v - 960MW (TA), 170W (TC)
SSM3J377R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J377R, LF 0.4100
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 SSM3J377 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.9A (TA) 1.5V, 4.5V 93mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 1mA 4.6 NC @ 4.5 v +6V, -8V 290 pf @ 10 v - 1W (TA)
RN2417(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2417 (TE85L, F) 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2417 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 30 @ 10ma, 5V 200MHz 10 KOHMS 4.7 Kohms
MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111 (TE85L, F) 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MT3S111 700MW S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 12db 6V 100ma NPN 200 @ 30ma, 5V 11.5GHz 1.2db @ 1GHz
TPN4R303NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R303NL, L1Q 0.8900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPN4R303 MOSFET (금속 (() 8 1 3. (3.1x3.1) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 4.3MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 200µA 14.8 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 15 v - 700MW (TA), 34W (TC)
RN2115MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2115MFV, L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN2115 150 MW VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 2.2 Kohms 10 KOHMS
RN4909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909, LXHF (Ct 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4909 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 200MHz, 250MHz 47kohms 22kohms
SSM6N56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N56FE, LM 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SSM6N56 MOSFET (금속 (() 150MW ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 800ma 235mohm @ 800ma, 4.5v 1V @ 1mA 1NC @ 4.5V 55pf @ 10V 논리 논리 게이트, 1.5V 드라이브
RN2962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2962FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 8234 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN2962 100MW ES6 - 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 200MHz 10kohms 1kohms
SSM6K407TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K407TU, LF 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6K407 MOSFET (금속 (() UF6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 2A (TA) 4V, 10V 300mohm @ 1a, 10V 2V @ 1mA 6 nc @ 10 v ± 20V 150 pf @ 10 v - 500MW (TA)
SSM3J65CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J65CTC, L3F 0.3900
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSVII 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SC-101, SOT-883 SSM3J65 MOSFET (금속 (() CST3C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 700MA (TA) 1.2V, 4.5V 500mohm @ 500ma, 4.5v 1V @ 1mA ± 10V 48 pf @ 10 v - 500MW (TA)
TPH5R906NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5R906NH, L1Q 1.7200
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPH5R906 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 28A (TA) 10V 5.9mohm @ 14a, 10V 4V @ 300µA 38 NC @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 30 v - 1.6W (TA), 57W (TC)
TK10A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W5, S5VX 2.0400
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 Tk10a60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 9.7A (TA) 10V 450mohm @ 4.9a, 10V 4.5V @ 500µA 25 nc @ 10 v ± 30V 720 pf @ 300 v - 30W (TC)
TK10V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10V60W, LVQ 1.6898
RFQ
 ECAD 2422 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-vSfn s 패드 Tk10v60 MOSFET (금속 (() 4-DFN-EP (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 9.7A (TA) 10V 380mohm @ 4.9a, 10V 3.7V @ 500µA 20 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 300 v - 88.3W (TC)
TDTA144E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA144E, LM 0.1800
RFQ
 ECAD 3791 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTA144 320 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 88 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms
XPQR3004PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPQR3004PB, LXHQ 6.7900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSIX-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powerbsfn XPQR3004 MOSFET (금속 (() L-TOGL ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 400A (TA) 6V, 10V 0.3mohm @ 200a, 10V 3V @ 1mA 295 NC @ 10 v ± 20V 26910 pf @ 10 v - 750W (TC)
TPC8036-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8036-H (TE12L, QM -
RFQ
 ECAD 8992 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u-mosvi-h 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8036 MOSFET (금속 (() 8-SOP (5.5x6.0) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 18A (TA) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 9a, 10V 2.3v @ 1ma 49 NC @ 10 v ± 20V 4600 pf @ 10 v - 1W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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