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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 내구성 인증(암페어) 테스트 조건 전력 - 출력 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
2SA1020-Y(T6TOJ,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y(T6TOJ,FM -
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 ECAD 9874 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1020 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SA1225-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1225-Y(Q) -
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 ECAD 5342 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SA1225 1W PW-MOLD - 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 200 160V 1.5A 1μA(ICBO) PNP 1.5V @ 50mA, 500mA 120 @ 100mA, 5V 100MHz
RN1102MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1102MFV,L3F 0.2400
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 ECAD 30 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1102 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 10kΩ 10kΩ
RN1112(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112(T5L,F,T) -
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 ECAD 1237 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1112 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz 22kΩ
2SA1162-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-Y,LF 0.1800
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 ECAD 1595년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1162 150mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100μA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
RN1441ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1441ATE85LF -
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 ECAD 5685 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1441 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 100mV @ 3mA, 30mA 200 @ 4mA, 2V 30MHz 5.6kΩ
RN2107CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2107CT(TPL3) -
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 ECAD 2801 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2107 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 120 @ 10mA, 5V 10kΩ 47kΩ
2SC2655-Y,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y,WNLF(J -
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 ECAD 1986년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2655 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
GT8G133(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT8G133(TE12L,Q) -
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 ECAD 4443 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) GT8G133 기준 600mW 8-TSSOP 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 - - 400V 150A 2.9V @ 4V, 150A - 1.7μs/2μs
TK40P03M1(T6RDS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK40P03M1(T6RDS-Q) -
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 ECAD 6022 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVI-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK40P03 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TK40P03M1T6RDSQ EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 30V 40A(타) 4.5V, 10V 10.8m옴 @ 20A, 10V 100μA에서 2.3V 17.5nC @ 10V ±20V 1150pF @ 10V - -
2SC2655-Y(HIT,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y(히트,F,M) -
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 ECAD 8275 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2655 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN2101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101,LF(CT 0.2000
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 ECAD 2719 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2101 100mW SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
HN1C01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-GR,LF 0.3000
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 HN1C01 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 250mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
SSM3K72CFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72CFS,LF 0.2000
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 ECAD 133 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 SSM3K72 MOSFET(금속) SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 170mA(타) 4.5V, 10V 3.9옴 @ 100mA, 10V 2.1V @ 250μA 0.35nC @ 4.5V ±20V 17pF @ 10V - 150mW(타)
2SA1163-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163-GR,LF 0.3000
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 ECAD 16 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1163 150mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 1mA, 10mA 200 @ 2mA, 6V 100MHz
2SC5108-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5108-Y,LF -
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 ECAD 8584 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SC5108 100mW SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 11dB 10V 30mA NPN 120 @ 5mA, 5V 6GHz -
TK4P55DA(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P55DA(T6RSS-Q) -
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 ECAD 2865 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK4P55 MOSFET(금속) D-박 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TK4P55DAT6RSSQ EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 550V 3.5A(타) 10V 2.45옴 @ 1.8A, 10V 4.4V @ 1mA 9nC @ 10V ±30V 380pF @ 25V - 80W(Tc)
TK13A50DA(STA4,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TK13A50DA(STA4,Q,M 2.7100
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK13A50 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 500V 12.5A(타) 10V 470m옴 @ 6.3A, 10V 4V @ 1mA 28nC @ 10V ±30V 25V에서 1550pF - 45W(Tc)
RN2969(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2969(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2969 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 200MHz 47k옴 22k옴
2SA965-Y,T6KOJPF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y,T6KOJPF(J -
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 ECAD 5039 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA965 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) PNP 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
2SK3462(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3462(TE16L1,NQ) -
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 ECAD 7650 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SK3462 MOSFET(금속) PW-MOLD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 250V 3A(타) 10V 1.7옴 @ 1.5A, 10V 3.5V @ 1mA 12nC @ 10V ±20V 10V에서 267pF - 20W(Tc)
TK65E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK65E10N1,S1X 2.9200
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 ECAD 6537 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK65E10 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 148A(타) 10V 4.8m옴 @ 32.5A, 10V 4V @ 1mA 81nC @ 10V ±20V 5400pF @ 50V - 192W(Tc)
RN2703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2703JE(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 31 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN2703 100mW ESV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22k옴 22k옴
SSM3J356R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J356R,LXHF 0.4900
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 ECAD 7563 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 264-SSM3J356R,LXHFCT EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 60V 2A(타) 4V, 10V 300m옴 @ 1A, 10V 2V @ 1mA 8.3nC @ 10V +10V, -20V 10V에서 330pF - 1W(타)
2SK2967(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2967(F) -
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 ECAD 8942 0.00000000 도시바 및 저장 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 2SK2967 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 250V 30A(타) 10V 68m옴 @ 15A, 10V 3.5V @ 1mA 132nC @ 10V ±20V 10V에서 5400pF - 150W(Tc)
RN2963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2963(TE85L,F) 0.4800
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2963 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22k옴 22k옴
TK7A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A50D(STA4,Q,M) 1.5000
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 ECAD 9633 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK7A50 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 500V 7A(타) 10V 1.22옴 @ 3.5A, 10V 4.4V @ 1mA 12nC @ 10V ±30V 25V에서 600pF - 35W(Tc)
RN2119MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2119MFV(TPL3) 0.2700
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2119 150mW 베스엠 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 1kΩ
2SK2854(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2854(TE12L,F) -
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 ECAD 5398 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 10V TO-243AA 2SK2854 849MHz MOSFET PW-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 500mA 23dBmW - -
2SC5930(TPF2,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5930(TPF2,F,M) -
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 ECAD 9534 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC5930 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 600V 1A 100μA(ICBO) NPN 1V @ 75mA, 600mA 40 @ 200mA, 5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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