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트랜지스터 (2488)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
2SC5088-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5088-O (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 8450 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 2SC5088 100MW USQ - 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 18db 12V 80ma NPN 80 @ 20ma, 10V 7GHz 1dB @ 500MHz
TPH1R306P1,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306P1, L1Q 2.4900
RFQ
 ECAD 3131 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powervdfn TPH1R306 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.28mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 1mA 91 NC @ 10 v ± 20V 8100 pf @ 30 v - 960MW (TA), 170W (TC)
TPHR6503PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL, L1Q 2.0600
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powervdfn TPHR6503 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 150A (TC) 4.5V, 10V 0.65mohm @ 50a, 10V 2.1v @ 1ma 110 NC @ 10 v ± 20V 10000 pf @ 15 v - 960MW (TA), 170W (TC)
SSM3J377R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J377R, LF 0.4100
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 SSM3J377 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.9A (TA) 1.5V, 4.5V 93mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 1mA 4.6 NC @ 4.5 v +6V, -8V 290 pf @ 10 v - 1W (TA)
RN2417(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2417 (TE85L, F) 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2417 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 30 @ 10ma, 5V 200MHz 10 KOHMS 4.7 Kohms
MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111 (TE85L, F) 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MT3S111 700MW S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 12db 6V 100ma NPN 200 @ 30ma, 5V 11.5GHz 1.2db @ 1GHz
RN2115MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2115MFV, L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN2115 150 MW VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 2.2 Kohms 10 KOHMS
RN4909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909, LXHF (Ct 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4909 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 200MHz, 250MHz 47kohms 22kohms
SSM6K407TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K407TU, LF 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6K407 MOSFET (금속 (() UF6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 2A (TA) 4V, 10V 300mohm @ 1a, 10V 2V @ 1mA 6 nc @ 10 v ± 20V 150 pf @ 10 v - 500MW (TA)
SSM3J65CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J65CTC, L3F 0.3900
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSVII 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SC-101, SOT-883 SSM3J65 MOSFET (금속 (() CST3C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 700MA (TA) 1.2V, 4.5V 500mohm @ 500ma, 4.5v 1V @ 1mA ± 10V 48 pf @ 10 v - 500MW (TA)
TPH5R906NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5R906NH, L1Q 1.7200
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPH5R906 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 28A (TA) 10V 5.9mohm @ 14a, 10V 4V @ 300µA 38 NC @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 30 v - 1.6W (TA), 57W (TC)
TK10V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10V60W, LVQ 1.6898
RFQ
 ECAD 2422 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-vSfn s 패드 Tk10v60 MOSFET (금속 (() 4-DFN-EP (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 9.7A (TA) 10V 380mohm @ 4.9a, 10V 3.7V @ 500µA 20 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 300 v - 88.3W (TC)
TDTA144E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA144E, LM 0.1800
RFQ
 ECAD 3791 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTA144 320 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 88 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms
RN2606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2606 (TE85L, F) 0.4800
RFQ
 ECAD 910 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 RN2606 300MW sm6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7kohms 47kohms
RN4906FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4906FE, LXHF (Ct 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN4906 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz, 250MHz 4.7kohms 47kohms
RN46A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN46A1 (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 2335 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-74, SOT-457 RN46A1 300MW sm6 - 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V / 50 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 22kohms, 10kohms 22kohms, 10kohms
RN2413,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2413, LF 0.0309
RFQ
 ECAD 2205 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 264-RN2413, LFTR 3,000
SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K116TU, LF 0.5400
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 SSM3K116 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 2.2A (TA) 2.5V, 4.5V 100mohm @ 500ma, 4.5v 1.1V @ 100µa ± 12V 245 pf @ 10 v - 500MW (TA)
SSM5P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5P15FU, LF 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 SSM5P15 MOSFET (금속 (() 200MW (TA) USV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 100MA (TA) 12ohm @ 10ma, 4v 1.7V @ 100µA - 9.1pf @ 3v -
SSM6P49NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P49NU, LF 0.4200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 SSM6P49 MOSFET (금속 (() 1W 6-udfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4a 45mohm @ 3.5a, 10V 1.2v @ 1ma 6.74NC @ 4.5V 480pf @ 10V 논리 논리 게이트
SSM3K16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16CT, L3F 0.3200
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π- 모임 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SC-101, SOT-883 SSM3K16 MOSFET (금속 (() CST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 100MA (TA) 1.5V, 4V 3ohm @ 10ma, 4v 1.1V @ 100µa ± 10V 9.3 pf @ 3 v - 100MW (TA)
TPCA8036-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8036-H (TE12L, q -
RFQ
 ECAD 8612 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u-mosvi-h 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPCA8036 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 38A (TA) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 19a, 10V 2.3V @ 500µA 50 nc @ 10 v ± 20V 4600 pf @ 10 v - 1.6W (TA), 45W (TC)
2SC5065-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5065-O (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 8403 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SC5065 100MW SC-70 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 - 12V 30ma NPN 80 @ 10ma, 5V 7GHz 1dB @ 500MHz
SSM6J511NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J511NU, LF 0.5000
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSVII 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 SSM6J511 MOSFET (금속 (() 6-udfnb (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 14A (TA) 9.1MOHM @ 4A, 8V 1V @ 1mA 47 NC @ 4.5 v 3350 pf @ 6 v -
2SK2962(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962 (T6Cano, F, m -
RFQ
 ECAD 2604 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SK2962 TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 1A (TJ)
HN1C01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-GR, LF 0.3000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 HN1C01 100MW ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 250mv @ 10ma, 100ma 200 @ 2ma, 6v 80MHz
T2N7002AK,LM Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002AK, LM 0.1500
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosvii-h 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 T2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 200MA (TA) 4.5V, 10V 3.9ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.35 nc @ 4.5 v ± 20V 17 pf @ 10 v - 320MW (TA)
RN2706,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2706, LF 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2706 200MW USV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7kohms 47kohms
RN1111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1111MFV, L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 1755 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN1111 150 MW VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 10 KOHMS
TK380P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Tk380p60y, Rq 1.6900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 DTMOSV 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Tk380p60 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 9.7A (TC) 10V 380mohm @ 4.9a, 10V 4V @ 360µA 20 nc @ 10 v ± 30V 590 pf @ 300 v - 30W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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