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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
TPH3R70APL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R70APL1,LQ 1.7100
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 ECAD 4727 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8파워TDFN TPH3R70 MOSFET(금속) 8-SOP 고급(5x5.75) 다운로드 1(무제한) 5,000 N채널 100V 170A(타), 90A(Tc) 4.5V, 10V 3.7m옴 @ 45A, 10V 2.5V @ 1mA 67nC @ 10V ±20V 50V에서 6300pF - 3W(Ta), 210W(Tc)
TK10Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10Q60W,S1VQ 3.0600
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 ECAD 75 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 스텁 레코드, IPak TK10Q60 MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 75 N채널 600V 9.7A(타) 10V 430m옴 @ 4.9A, 10V 500μA에서 3.7V 20nC @ 10V ±30V 300V에서 700pF - 80W(Tc)
TPCA8064-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8064-H, LQ(CM -
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 ECAD 1484 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8064 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 20A(타) 4.5V, 10V 8.2m옴 @ 10A, 10V 2.3V @ 200μA 23nC @ 10V ±20V 1900pF @ 10V - 1.6W(Ta), 32W(Tc)
2SA1930,LBS2DIAQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930,LBS2DIAQ(J -
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 ECAD 1334 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1930 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 180V 2A 5μA(ICBO) PNP 1V @ 100mA, 1A 100 @ 100mA, 5V 200MHz
TK7A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A65D(STA4,Q,M) 2.2100
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK7A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 7A(타) 10V 980m옴 @ 3.5A, 10V 4V @ 1mA 24nC @ 10V ±30V 25V에서 1200pF - 45W(Tc)
TK65S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK65S04N1L,LXHQ 1.2300
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 ECAD 5169 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK65S04 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 65A(타) 4.5V, 10V 4.3m옴 @ 32.5A, 10V 300μA에서 2.5V 39nC @ 10V ±20V 10V에서 2550pF - 107W(Tc)
TK39A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK39A60W,S4VX 9.7500
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 ECAD 100 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK39A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 38.8A(타) 10V 65m옴 @ 19.4A, 10V 3.7V @ 1.9mA 110nC @ 10V ±30V 300V에서 4100pF - 50W(Tc)
TK8R2A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK8R2A06PL,S4X 1.0200
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 ECAD 1381 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK8R2A06 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 50A(Tc) 4.5V, 10V 11.4m옴 @ 8A, 4.5V 300μA에서 2.5V 28.4nC @ 10V ±20V 1990pF @ 25V - 36W(Tc)
2SC3074-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3074-Y(Q) -
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 ECAD 5361 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA 2SC3074 1W PW-MOLD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 200 50V 5A 1μA(ICBO) NPN 400mV @ 150mA, 3A 120 @ 1A, 1V 120MHz
RN2117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2117(T5L,F,T) -
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 ECAD 9782 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2117 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 4.7kΩ
RN2902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2902,LF(CT 0.2800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2902 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10k옴 10k옴
SSM3K333R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K333R,LF 0.4500
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 ECAD 86 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3K333 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 6A(타) 4.5V, 10V 28m옴 @ 5A, 10V 100μA에서 2.5V 3.4nC @ 4.5V ±20V 15V에서 436pF - 1W(타)
TK3R1E04PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R1E04PL,S1X 1.4400
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK3R1E04 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 40V 100A(Tc) 4.5V, 10V 3.8m옴 @ 30A, 4.5V 500μA에서 2.4V 63.4nC @ 10V ±20V 20V에서 4670pF - 87W(Tc)
2SA1837,YHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837,YHF(M -
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 ECAD 1662년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1837 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 230V 1A 1μA(ICBO) PNP 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 70MHz
RN1706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1706JE(TE85L,F) -
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 ECAD 8712 0.00000000 도시바 및 저장 - 컷테이프(CT) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN1706 100mW ESV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 47k옴
RN4908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4908 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 22k옴 47k옴
TPH1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R005PL,L1Q 2.0000
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 ECAD 6103 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH1R005 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 45V 150A(Tc) 4.5V, 10V 1.04m옴 @ 50A, 10V 2.4V @ 1mA 99nC @ 10V ±20V 22.5V에서 9600pF - 960mW(Ta), 170W(Tc)
TPN7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN7R506NH,L1Q 1.0200
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN7R506 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 26A(TC) 6.5V, 10V 7.5m옴 @ 13A, 10V 4V @ 200μA 22nC @ 10V ±20V 30V에서 1800pF - 700mW(Ta), 42W(Tc)
RN1303,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1303,LF 0.1800
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1303 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22kΩ 22kΩ
RN2904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2904(T5L,F,T) -
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 ECAD 4954 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2904 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47k옴 47k옴
SSM6P69NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P69NU,LF 0.4300
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 ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6P69 MOSFET(금속) 1W(타) 6-μDFN(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 20V 4A(타) 45m옴 @ 3.5A, 10V 1.2V @ 1mA 6.74nC @ 4.5V 480pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.8V 드라이브
TK20A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20A60W5,S5VX 3.2700
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK20A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 20A(타) 10V 175m옴 @ 10A, 10V 4.5V @ 1mA 55nC @ 10V ±30V 300V에서 1800pF - 45W(Tc)
TK12A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A53D(STA4,Q,M) 2.5900
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 ECAD 4943 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK12A53 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 525V 12A(타) 10V 580m옴 @ 6A, 10V 4V @ 1mA 25nC @ 10V ±30V 1350pF @ 25V - 45W(Tc)
2SC2859-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2859-O(TE85L,F) -
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 ECAD 7051 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2859 150mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 500mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 70 @ 100mA, 1V 300MHz
SSM6J412TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J412TU,LF 0.3700
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6J412 MOSFET(금속) UF6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 4A(타) 1.5V, 4.5V 42.7m옴 @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 12.8nC @ 4.5V ±8V 10V에서 840pF - 1W(타)
RN2108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2108,LF(CT 0.2000
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 ECAD 6863 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2108 100mW SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 47kΩ
TK4A60DB(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A60DB(STA4,Q,M) -
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 ECAD 3537 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK4A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 3.7A(타) 10V 2옴 @ 1.9A, 10V 4.4V @ 1mA 11nC @ 10V ±30V 25V에서 540pF - 35W(Tc)
TK31N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60W,S1VF 9.2900
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 ECAD 1508년 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 TK31N60 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 30.8A(타) 10V 88m옴 @ 15.4A, 10V 3.7V @ 1.5mA 86nC @ 10V ±30V 300V에서 3000pF - 230W(Tc)
TPH5R906NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5R906NH,L1Q 1.7200
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 ECAD 29 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH5R906 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 28A(타) 10V 5.9m옴 @ 14A, 10V 300μA에서 4V 38nC @ 10V ±20V 3100pF @ 30V - 1.6W(Ta), 57W(Tc)
2SA1587-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1587-GR,LF 0.2300
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 ECAD 28 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SA1587 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 1mA, 10mA 200 @ 2mA, 6V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

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