| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SSM6L61NU,LF | 0.4500 | ![]() | 132 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | - | 표면 실장 | 6-WDFN옆패드 | SSM6L61 | MOSFET(금속) | - | 6-UDFN(2x2) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N 및 P 채널 | 20V | 4A | - | - | - | - | - | |||||||||||||||
![]() | RN4906FE,LXHF(CT | 0.3800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | RN4906 | 100mW | ES6 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 500nA | NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) | 250μA에서 300mV, 5mA | 80 @ 10mA, 5V | 200MHz, 250MHz | 4.7kΩ | 47k옴 | |||||||||||||||||
![]() | 2SC4116-BL,LXHF | 0.3300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 125°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | 100mW | SC-70 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 150mA | 100nA(ICBO) | NPN | 250mV @ 10mA, 100mA | 350 @ 2mA, 6V | 80MHz | |||||||||||||||||||
![]() | SSM6L56FE,LM | 0.3800 | ![]() | 45 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | SSM6L56 | MOSFET(금속) | 150mW(타) | ES6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | N 및 P 채널 | 20V | 800mA(타) | 235m옴 @ 800mA, 4.5V, 390m옴 @ 800mA, 4.5V | 1V @ 1mA | 1nC @ 10V | 55pF @ 10V, 100pF @ 10V | 레벨 레벨 컨트롤러, 1.5V 드라이브 | |||||||||||||||
![]() | TK12P60W,RVQ | 1.0490 | ![]() | 4795 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | DTMOSIV | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TK12P60 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 600V | 11.5A(타) | 10V | 340m옴 @ 5.8A, 10V | 600μA에서 3.7V | 25nC @ 10V | ±30V | 300V에서 890pF | - | 100W(Tc) | |||||||||||||
![]() | TW030N120C,S1F | 34.4500 | ![]() | 119 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 튜브 | 활동적인 | 175°C | 스루홀 | TO-247-3 | SiCFET(탄화규소) | TO-247 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 1200V | 60A(Tc) | 18V | 40m옴 @ 30A, 18V | 5V @ 13mA | 82nC @ 18V | +25V, -10V | 800V에서 2925pF | - | 249W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | SSM3K361R,LF | 0.5100 | ![]() | 128 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSVIII-H | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 175°C | 표면 실장 | SOT-23-3 플랫 리드 | SSM3K361 | MOSFET(금속) | SOT-23F | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 100V | 3.5A(타) | 4.5V, 10V | 69m옴 @ 2A, 10V | 100μA에서 2.5V | 3.2nC @ 4.5V | ±20V | 15V에서 430pF | - | 1.2W(타) | |||||||||||||
![]() | SSM6N56FE,LM | 0.4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | SSM6N56 | MOSFET(금속) | 150mW | ES6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 2 N채널(듀얼) | 20V | 800mA | 235m옴 @ 800mA, 4.5V | 1V @ 1mA | 1nC @ 4.5V | 55pF @ 10V | 레벨 레벨 컨트롤러, 1.5V 드라이브 | |||||||||||||||
![]() | RN1415,LXHF | 0.3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1415 | 200mW | S-미니 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500nA | NPN - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 300mV, 5mA | 50 @ 10mA, 5V | 250MHz | 2.2kΩ | 10kΩ | |||||||||||||||||
![]() | RN1418,LXHF | 0.0645 | ![]() | 9319 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1418 | 200mW | S-미니 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500nA | NPN - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 300mV, 5mA | 50 @ 10mA, 5V | 250MHz | 47kΩ | 10kΩ | |||||||||||||||||
![]() | RN1407,LF | 0.1900 | ![]() | 904 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1407 | 200mW | S-미니 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 500nA | NPN - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 300mV, 5mA | 80 @ 10mA, 5V | 250MHz | 10kΩ | 47kΩ | |||||||||||||||||
![]() | RN1314,LF | 0.1800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | RN1314 | 100mW | USM | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 500nA | NPN - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 300mV, 5mA | 50 @ 10mA, 5V | 250MHz | 1kΩ | 10kΩ | ||||||||||||||||
![]() | TK50E10K3(S1SS-Q) | - | ![]() | 9888 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 스루홀 | - | TK50E10 | - | TO-220-3 | - | RoHS 준수 | 1(무제한) | TK50E10K3S1SSQ | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||
| SSM6J808R,LXHF | 0.7700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C | 표면 실장 | 6-SMD, 플랫 리드 | SSM6J808 | MOSFET(금속) | 6-TSOP-F | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 40V | 7A(타) | 4V, 10V | 35m옴 @ 2.5A, 10V | 100μA에서 2V | 24.2nC @ 10V | +10V, -20V | 1020pF @ 10V | - | 1.5W(타) | |||||||||||||||
| SSM6K809R,LXHF | 0.7000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 175°C | 표면 실장 | 6-SMD, 플랫 리드 | SSM6K809 | MOSFET(금속) | 6-TSOP-F | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 60V | 6A(타) | 4V, 10V | 36m옴 @ 5A, 10V | 100μA에서 2.5V | 9.3nC @ 10V | ±20V | 10V에서 550pF | - | 1.5W(타) | |||||||||||||||
![]() | SSM3K15ACT,L3F | 0.3400 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSIII | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-101, SOT-883 | SSM3K15 | MOSFET(금속) | CST3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | N채널 | 30V | 100mA(타) | 2.5V, 4V | 3.6옴 @ 10mA, 4V | 1.5V @ 100μA | ±20V | 13.5pF @ 3V | - | 100mW(타) | ||||||||||||||
![]() | TK370A60F,S4X(S | - | ![]() | 9742 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 유모식스 | 대부분 | 활동적인 | 150°C | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220SIS | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 15A(타) | 10V | 370m옴 @ 7.5A, 10V | 4V @ 2.04mA | 55nC @ 10V | ±30V | 300V에서 2200pF | - | 45W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | 2SJ681(Q) | - | ![]() | 9057 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 스텁 레코드, IPak | 2SJ681 | MOSFET(금속) | PW-MOLD2 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | P채널 | 60V | 5A(타) | 4V, 10V | 170m옴 @ 2.5A, 10V | 2V @ 1mA | 15nC @ 10V | ±20V | 10V에서 700pF | - | 20W(타) | ||||||||||||||
![]() | RN2416,LXHF | 0.3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN2416 | 200mW | S-미니 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500nA | PNP - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 300mV, 5mA | 50 @ 10mA, 5V | 200MHz | 4.7kΩ | 10kΩ | |||||||||||||||||
![]() | XPW4R10ANB,L1XHQ | 2.3200 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | MOSFET(금속) | 8-DSOP 어드밴스 | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 100V | 70A | 6V, 10V | 4.1m옴 @ 35A, 10V | 3.5V @ 1mA | 75nC @ 10V | ±20V | 4970pF @ 10V | 기준 | 170W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | RN1102MFV,L3XHF(CT | 0.3400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SOT-723 | RN1102 | 150mW | 베스엠 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100mA | 500nA | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA에서 300mV, 5mA | 50 @ 10mA, 5V | 10kΩ | 10kΩ | ||||||||||||||||||
![]() | TPN4R806PL,L1Q | 0.9000 | ![]() | 4178 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSIX-H | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 175°C | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | TPN4R806 | MOSFET(금속) | 8-TSON 고급(3.1x3.1) | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 60V | 72A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.5m옴 @ 36A, 10V | 300μA에서 2.5V | 29nC @ 10V | ±20V | 30V에서 2770pF | - | 630mW(Ta), 104W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | RN2506(TE85L,F) | 0.3500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SC-74A, SOT-753 | RN2506 | 300mW | SMV | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) | 250μA에서 300mV, 5mA | 80 @ 10mA, 5V | 200MHz | 4.7kΩ | 47k옴 | ||||||||||||||||
![]() | TK18A50D(STA4,Q,M) | 3.5200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | π-MOSVII | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TK18A50 | MOSFET(금속) | TO-220SIS | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 500V | 18A(타) | 10V | 270m옴 @ 9A, 10V | 4V @ 1mA | 45nC @ 10V | ±30V | 25V에서 2600pF | - | 50W(Tc) | |||||||||||||
![]() | TK5P50D(T6RSS-Q) | 1.2900 | ![]() | 8949 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TK5P50 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 500V | 5A(타) | 10V | 1.5옴 @ 2.5A, 10V | 4.4V @ 1mA | 11nC @ 10V | ±30V | 490pF @ 25V | - | 80W(Tc) | |||||||||||||
![]() | RN1702JE(TE85L,F) | 0.4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SOT-553 | RN1702 | 100mW | ESV | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) | 250μA에서 300mV, 5mA | 50 @ 10mA, 5V | 250MHz | 10k옴 | 10k옴 | ||||||||||||||||
![]() | TK33S10N1L,LXHQ | 1.3200 | ![]() | 2353 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSVIII-H | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 175°C | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TK33S10 | MOSFET(금속) | DPAK+ | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 100V | 33A(타) | 4.5V, 10V | 9.7m옴 @ 16.5A, 10V | 500μA에서 2.5V | 33nC @ 10V | ±20V | 2250pF @ 10V | - | 125W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | TK18A30D,S5X | 1.7900 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 튜브 | 활동적인 | 150°C | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220SIS | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 300V | 18A(타) | 10V | 139m옴 @ 9A, 10V | 3.5V @ 1mA | 60nC @ 10V | ±20V | 100V에서 2600pF | - | 45W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | RN1103MFV,L3F(CT | 0.1800 | ![]() | 305 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SOT-723 | RN1103 | 150mW | 베스엠 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100mA | 500nA | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA에서 300mV, 5mA | 70 @ 10mA, 5V | 22kΩ | 22kΩ | ||||||||||||||||||
![]() | 2SC2229-Y(T6SAN2FM | - | ![]() | 7037 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 | 2SC2229 | 800mW | TO-92MOD | 다운로드 | 1(무제한) | 2SC2229YT6SAN2FM | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 150V | 50mA | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 1mA, 10mA | 70 @ 10mA, 5V | 120MHz |

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