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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
SSM6L61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L61NU,LF 0.4500
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ECAD 132 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6L61 MOSFET(금속) - 6-UDFN(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N 및 P 채널 20V 4A - - - - -
RN4906FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4906FE,LXHF(CT 0.3800
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ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4906 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 4.7kΩ 47k옴
2SC4116-BL,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-BL,LXHF 0.3300
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ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 350 @ 2mA, 6V 80MHz
SSM6L56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L56FE,LM 0.3800
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ECAD 45 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6L56 MOSFET(금속) 150mW(타) ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 N 및 P 채널 20V 800mA(타) 235m옴 @ 800mA, 4.5V, 390m옴 @ 800mA, 4.5V 1V @ 1mA 1nC @ 10V 55pF @ 10V, 100pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.5V 드라이브
TK12P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W,RVQ 1.0490
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ECAD 4795 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK12P60 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 600V 11.5A(타) 10V 340m옴 @ 5.8A, 10V 600μA에서 3.7V 25nC @ 10V ±30V 300V에서 890pF - 100W(Tc)
TW030N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW030N120C,S1F 34.4500
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ECAD 119 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-247-3 SiCFET(탄화규소) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 1200V 60A(Tc) 18V 40m옴 @ 30A, 18V 5V @ 13mA 82nC @ 18V +25V, -10V 800V에서 2925pF - 249W(Tc)
SSM3K361R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361R,LF 0.5100
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ECAD 128 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3K361 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 100V 3.5A(타) 4.5V, 10V 69m옴 @ 2A, 10V 100μA에서 2.5V 3.2nC @ 4.5V ±20V 15V에서 430pF - 1.2W(타)
SSM6N56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N56FE,LM 0.4700
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ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6N56 MOSFET(금속) 150mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 2 N채널(듀얼) 20V 800mA 235m옴 @ 800mA, 4.5V 1V @ 1mA 1nC @ 4.5V 55pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.5V 드라이브
RN1415,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1415,LXHF 0.3400
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ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1415 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 10kΩ
RN1418,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1418,LXHF 0.0645
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ECAD 9319 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1418 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 10kΩ
RN1407,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1407,LF 0.1900
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ECAD 904 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1407 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 47kΩ
RN1314,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1314,LF 0.1800
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1314 100mW USM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 1kΩ 10kΩ
TK50E10K3(S1SS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK50E10K3(S1SS-Q) -
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ECAD 9888 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 - 스루홀 - TK50E10 - TO-220-3 - RoHS 준수 1(무제한) TK50E10K3S1SSQ EAR99 8541.29.0095 50 - - - - - -
SSM6J808R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R,LXHF 0.7700
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ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6J808 MOSFET(금속) 6-TSOP-F 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 40V 7A(타) 4V, 10V 35m옴 @ 2.5A, 10V 100μA에서 2V 24.2nC @ 10V +10V, -20V 1020pF @ 10V - 1.5W(타)
SSM6K809R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K809R,LXHF 0.7000
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6K809 MOSFET(금속) 6-TSOP-F 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 60V 6A(타) 4V, 10V 36m옴 @ 5A, 10V 100μA에서 2.5V 9.3nC @ 10V ±20V 10V에서 550pF - 1.5W(타)
SSM3K15ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACT,L3F 0.3400
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ECAD 32 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 SSM3K15 MOSFET(금속) CST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 30V 100mA(타) 2.5V, 4V 3.6옴 @ 10mA, 4V 1.5V @ 100μA ±20V 13.5pF @ 3V - 100mW(타)
TK370A60F,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK370A60F,S4X(S -
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ECAD 9742 0.00000000 도시바 및 저장 유모식스 대부분 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 600V 15A(타) 10V 370m옴 @ 7.5A, 10V 4V @ 2.04mA 55nC @ 10V ±30V 300V에서 2200pF - 45W(Tc)
2SJ681(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ681(Q) -
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ECAD 9057 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 스텁 레코드, IPak 2SJ681 MOSFET(금속) PW-MOLD2 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 200 P채널 60V 5A(타) 4V, 10V 170m옴 @ 2.5A, 10V 2V @ 1mA 15nC @ 10V ±20V 10V에서 700pF - 20W(타)
RN2416,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2416,LXHF 0.3400
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ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2416 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 10kΩ
XPW4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPW4R10ANB,L1XHQ 2.3200
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ECAD 22 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN MOSFET(금속) 8-DSOP 어드밴스 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 100V 70A 6V, 10V 4.1m옴 @ 35A, 10V 3.5V @ 1mA 75nC @ 10V ±20V 4970pF @ 10V 기준 170W(Tc)
RN1102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102MFV,L3XHF(CT 0.3400
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1102 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 10kΩ 10kΩ
TPN4R806PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R806PL,L1Q 0.9000
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ECAD 4178 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPN4R806 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 72A(Tc) 4.5V, 10V 3.5m옴 @ 36A, 10V 300μA에서 2.5V 29nC @ 10V ±20V 30V에서 2770pF - 630mW(Ta), 104W(Tc)
RN2506(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2506(TE85L,F) 0.3500
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74A, SOT-753 RN2506 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 47k옴
TK18A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK18A50D(STA4,Q,M) 3.5200
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ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK18A50 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 500V 18A(타) 10V 270m옴 @ 9A, 10V 4V @ 1mA 45nC @ 10V ±30V 25V에서 2600pF - 50W(Tc)
TK5P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK5P50D(T6RSS-Q) 1.2900
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ECAD 8949 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK5P50 MOSFET(금속) D-박 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 500V 5A(타) 10V 1.5옴 @ 2.5A, 10V 4.4V @ 1mA 11nC @ 10V ±30V 490pF @ 25V - 80W(Tc)
RN1702JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1702JE(TE85L,F) 0.4700
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ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN1702 100mW ESV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10k옴 10k옴
TK33S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L,LXHQ 1.3200
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ECAD 2353 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK33S10 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 100V 33A(타) 4.5V, 10V 9.7m옴 @ 16.5A, 10V 500μA에서 2.5V 33nC @ 10V ±20V 2250pF @ 10V - 125W(Tc)
TK18A30D,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK18A30D,S5X 1.7900
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ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 300V 18A(타) 10V 139m옴 @ 9A, 10V 3.5V @ 1mA 60nC @ 10V ±20V 100V에서 2600pF - 45W(Tc)
RN1103MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV,L3F(CT 0.1800
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ECAD 305 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1103 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 22kΩ 22kΩ
2SC2229-Y(T6SAN2FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y(T6SAN2FM -
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ECAD 7037 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2229 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) 2SC2229YT6SAN2FM EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고