SIC
close

트랜지스터 (2488)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
SSM3J15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15F, LF 0.2300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J15 MOSFET (금속 (() S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 100MA (TA) 2.5V, 4V 12ohm @ 10ma, 4v 1.7V @ 100µA ± 20V 9.1 pf @ 3 v - 200MW (TA)
RN1711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1711JE (TE85L, F) 0.4100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-553 RN1711 100MW ESV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 10kohms -
HN1C03FU-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03FU-B, LF 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C03 200MW US6 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 20V 300ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 100mv @ 3ma, 30a 350 @ 4ma, 2v 30MHz
SSM6J402TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J402TU, LF 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6J402 MOSFET (금속 (() UF6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 2A (TA) 4V, 10V 117mohm @ 1a, 10V 2.6v @ 1ma 5.3 NC @ 10 v ± 20V 280 pf @ 15 v - 500MW (TA)
SSM6K404TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K404TU, LF 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6K404 MOSFET (금속 (() UF6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 3A (TA) 1.5V, 4V 55mohm @ 2a, 4v 1V @ 1mA 5.9 NC @ 4 v ± 10V 400 pf @ 10 v - 500MW (TA)
TK3R2E06PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage tk3r2e06pl, s1x 1.7700
RFQ
 ECAD 2131 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 TK3R2E06 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 700µA 71 NC @ 10 v ± 20V 5000 pf @ 30 v - 168W (TC)
RN1117(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1117 (TE85L, F) 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN1117 100MW SSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 10 KOHMS 4.7 Kohms
RN2316,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2316, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN2316 100MW SC-70 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
RN1707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1707JE (TE85L, F) 0.4000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-553 RN1707 100MW ESV 다운로드 1 (무제한) 264-RN1707JE (TE85LF) TR 귀 99 8541.21.0075 4,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (이중 이중) (이미 터 커플 링) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
TPH4R803PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R803PL, LQ 0.7800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powervdfn TPH4R803 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 48A (TC) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 24a, 10V 2.1V @ 200µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1975 pf @ 15 v - 830MW (TA), 69W (TC)
TPH2R306NH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R306NH1, LQ 1.5700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5.75) - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 136A (TC) 6.5V, 10V 2.3mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 72 NC @ 10 v ± 20V 6100 pf @ 30 v - 800MW (TA), 170W (TC)
RN4985FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985FE, LXHF (Ct 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN4985 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz, 200MHz 2.2kohms 47kohms
HN1C01FE-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-Y, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 HN1C01 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 250mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 80MHz
SSM3K15CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15CT, L3F -
RFQ
 ECAD 3038 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SC-101, SOT-883 SSM3K15 MOSFET (금속 (() CST3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 100MA (TA) 2.5V, 4V 4ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100µa ± 20V 7.8 pf @ 3 v - 100MW (TA)
TK5R1P08QM,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5R1P08QM, RQ 1.4600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSX-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 84A (TC) 6V, 10V 5.1MOHM @ 42A, 10V 3.5V @ 700µA 56 NC @ 10 v ± 20V 3980 pf @ 40 v - 104W (TC)
TK370A60F,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK370A60F, S4X (s -
RFQ
 ECAD 9742 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix 대부분 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 15A (TA) 10V 370mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 2.04ma 55 NC @ 10 v ± 30V 2200 pf @ 300 v - 45W (TC)
GT20N135SRA,S1E Toshiba Semiconductor and Storage GT20N135SRA, S1E 3.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 312 w TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 300V, 40A, 39ohm, 15V - 1350 v 40 a 80 a 2.4V @ 15V, 40A -, 700µJ (OFF) 185 NC -
TPCP8011,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8011, LF 1.0900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-smd,, 리드 MOSFET (금속 (() PS-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 40 v 5A (TA) 6V, 10V 51.2MOHM @ 2.5A, 10V 3V @ 1mA 11.8 nc @ 10 v ± 20V 505 pf @ 10 v - 940MW (TA)
2SA1244-Y(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1244-Y (T6L1, NQ) 0.9600
RFQ
 ECAD 8236 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 1 W. PW-Mold 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 50 v 5 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 150ma, 3a 70 @ 1a, 1v 60MHz
TK4P60D,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60D, RQ 0.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 4A (TA) 10V 1.7ohm @ 2a, 10V 4.4V @ 1mA 12 nc @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 100W (TC)
TK28E65W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK28E65W, S1X 5.8100
RFQ
 ECAD 6456 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 27.6A (TA) 10V 110mohm @ 13.8a, 10V 3.5V @ 1.6MA 75 NC @ 10 v ± 30V 3000 pf @ 300 v - 230W (TC)
GT50JR22(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage gt50jr22 (sta1, e, s) 4.7900
RFQ
 ECAD 2570 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 기준 230 w TO-3P (N) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 264-GT50JR22 (STA1ES) 귀 99 8541.29.0095 25 - - 600 v 50 a 100 a 2.2V @ 15V, 50A - -
TK7A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK7A80W, S4X 2.8900
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 6.5A (TA) 10V 950mohm @ 3.3a, 10V 4V @ 280µA 13 nc @ 10 v ± 20V 700 pf @ 300 v - 35W (TC)
TK8P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8P65W, RQ 1.9100
RFQ
 ECAD 8048 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 650 v 7.8A (TA) 10V 670mohm @ 3.9a, 10V 3.5V @ 300µA 16 nc @ 10 v ± 30V 570 pf @ 300 v - 80W (TC)
TK090E65Z,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK090E65Z, S1X 5.1200
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 30A (TA) 10V 90mohm @ 15a, 10V 4V @ 1.27ma 47 NC @ 10 v ± 30V 2780 pf @ 300 v - 230W (TC)
TK110Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Tk110z65z, S1f 6.4000
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosvi 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-247-4 MOSFET (금속 (() TO-247-4L (T) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 650 v 24A (TA) 10V 110mohm @ 12a, 10V 4V @ 1.02ma 40 nc @ 10 v ± 30V 2250 pf @ 300 v - 190W (TC)
TDTC123J,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC123J, LM 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTC123 320 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms
TPH4R008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R008QM, LQ 1.5600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5.75) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 80 v 86A (TC) 6V, 10V 4MOHM @ 43A, 10V 3.5V @ 600µA 57 NC @ 10 v ± 20V 5300 pf @ 40 v - 960MW (TA), 170W (TC)
TK5A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60W5, S5VX 1.5900
RFQ
 ECAD 7625 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220SIS - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 4.5A (TA) 10V 950mohm @ 2.3a, 10V 4.5V @ 230µA 11.5 nc @ 10 v ± 30V 370 pf @ 300 v - 30W (TC)
TW030N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW030N120C, S1F 34.4500
RFQ
 ECAD 119 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 60A (TC) 18V 40mohm @ 30a, 18V 5V @ 13MA 82 NC @ 18 v +25V, -10V 2925 pf @ 800 v - 249W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다