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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 Td(켜기/끄기) @ 25°C 전압 - 출력(V(BR)GSS) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 소스 소스(Id) - 최대
2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-GR(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK209 150mW SC-59 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 13pF @ 10V 50V 10V에서 14mA 1.5V @ 100nA 14mA
RN4910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4910(T5L,F,T) -
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 ECAD 1644년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4910 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 200MHz 4.7k옴 -
XPN9R614MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN9R614MC,L1XHQ 1.4000
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 ECAD 13 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN XPN9R614 MOSFET(금속) 8-TSON 사전-WF(3.1x3.1) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 P채널 40V 40A(타) 4.5V, 10V 9.6m옴 @ 20A, 10V 500μA에서 2.1V 64nC @ 10V +10V, -20V 10V에서 3000pF - 840mW(Ta), 100W(Tc)
GT50JR22(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage GT50JR22(STA1,E,S) 4.7900
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 ECAD 2570 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 기준 230W TO-3P(엔) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 264-GT50JR22(STA1ES) EAR99 8541.29.0095 25 - - 600V 50A 100A 2.2V @ 15V, 50A - -
HN1C03FU-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03FU-B,LF 0.3800
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C03 200mW US6 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 100mV @ 3mA, 30A 350 @ 4mA, 2V 30MHz
TK5A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK5A80E,S4X 1.4300
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 800V 5A(타) 10V 2.4옴 @ 2.5A, 10V 4V에서 500μA 20nC @ 10V ±30V 25V에서 950pF - 40W(Tc)
TK50E10K3(S1SS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK50E10K3(S1SS-Q) -
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 ECAD 9888 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 - 스루홀 - TK50E10 - TO-220-3 - RoHS 준수 1(무제한) TK50E10K3S1SSQ EAR99 8541.29.0095 50 - - - - - -
RN1707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1707JE(TE85L,F) 0.4000
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN1707 100mW ESV 다운로드 1(무제한) 264-RN1707JE(TE85LF)TR EAR99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 47k옴
RN1101MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV,L3XHF(CT 0.3400
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 ECAD 16 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1101 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 4.7kΩ 4.7kΩ
RN4909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4909(T5L,F,T) -
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 ECAD 3024 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4909 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 200MHz 47k옴 22k옴
RN1104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV,L3XHF(CT 0.3400
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1104 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 47kΩ 47kΩ
RN4906FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4906FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4906 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 4.7k옴 47k옴
2SC4116-BL,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-BL,LXHF 0.3300
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 350 @ 2mA, 6V 80MHz
TPCA8026(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8026(TE12L,Q,M 1.8800
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8026 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 45A(타) 4.5V, 10V 2.2m옴 @ 23A, 10V 2.5V @ 1mA 113nC @ 10V ±20V 10V에서 4200pF - 1.6W(Ta), 45W(Tc)
TK20N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK20N60W,S1VF 6.4300
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 ECAD 8750 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 TK20N60 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 20A(타) 10V 155m옴 @ 10A, 10V 3.7V @ 1mA 48nC @ 10V ±30V 300V에서 1680pF - 165W(Tc)
SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FE,L3F 0.3700
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6N16 MOSFET(금속) 150mW(타) ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 2 N채널(듀얼) 20V 100mA(타) 3옴 @ 10mA, 4V 1.1V @ 100μA - 9.3pF @ 3V -
SSM6L61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L61NU,LF 0.4500
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 ECAD 132 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6L61 MOSFET(금속) - 6-UDFN(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N 및 P 채널 20V 4A - - - - -
TW030N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW030N120C,S1F 34.4500
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 ECAD 119 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-247-3 SiCFET(탄화규소) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 1200V 60A(Tc) 18V 40m옴 @ 30A, 18V 5V @ 13mA 82nC @ 18V +25V, -10V 800V에서 2925pF - 249W(Tc)
RN2506(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2506(TE85L,F) 0.3500
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74A, SOT-753 RN2506 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7k옴 47k옴
SSM3K7002BF,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BF,LF -
보상요청
 ECAD 3538 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K7002 MOSFET(금속) SC-59 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 200mA(타) 4.5V, 10V 2.1옴 @ 500mA, 10V - ±20V 25V에서 17pF - 200mW(타)
TPN4R806PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R806PL,L1Q 0.9000
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 ECAD 4178 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPN4R806 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 72A(Tc) 4.5V, 10V 3.5m옴 @ 36A, 10V 300μA에서 2.5V 29nC @ 10V ±20V 30V에서 2770pF - 630mW(Ta), 104W(Tc)
2SC6135,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6135,LF 0.4700
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 ECAD 41 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 2SC6135 500mW UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 1A 100nA(ICBO) NPN 120mV @ 6mA, 300mA 400 @ 100mA, 2V -
2SK2917(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2917(F) -
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 ECAD 7510 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 2SK2917 MOSFET(금속) TO-3P(N)IS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 500V 18A(타) 10V 270m옴 @ 10A, 10V 4V @ 1mA 80nC @ 10V ±30V 3720pF @ 10V - 90W(Tc)
RN1902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1902 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
TK090E65Z,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK090E65Z,S1X 5.1200
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 ECAD 75 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 30A(타) 10V 90m옴 @ 15A, 10V 4V @ 1.27mA 47nC @ 10V ±30V 300V에서 2780pF - 230W(Tc)
TK5R1P08QM,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5R1P08QM,RQ 1.4600
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 80V 84A(Tc) 6V, 10V 5.1m옴 @ 42A, 10V 700μA에서 3.5V 56nC @ 10V ±20V 40V에서 3980pF - 104W(Tc)
SSM6N35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35AFU,LF 0.4300
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N35 MOSFET(금속) 285mW(타) US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 20V 250mA(타) 1.1옴 @ 150mA, 4.5V 1V @ 100μA 0.34nC @ 4.5V 36pF @ 10V -
RN2403,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2403,LXHF 0.3400
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2403 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 22kΩ
TK8R2E06PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK8R2E06PL,S1X 1.2000
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 ECAD 9645 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 50A(Tc) 4.5V, 10V 8.2m옴 @ 25A, 10V 300μA에서 2.5V 28nC @ 10V ±20V 1990pF @ 30V - 81W(Tc)
TPC8067-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8067-H,LQ(S -
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 ECAD 9337 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TPC8067 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 9A(타) 4.5V, 10V 25m옴 @ 4.5A, 10V 100μA에서 2.3V 9.5nC @ 10V ±20V 10V에서 690pF - 1W(타)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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