SIC
close

트랜지스터 (2488)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
TPCC8093,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8093, L1Q -
RFQ
 ECAD 7998 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSVII 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8-powervdfn TPCC8093 MOSFET (금속 (() 8 1 3. (3.1x3.1) 다운로드 rohs 준수 TPCC8093L1Q 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 20 v 21A (TA) 2.5V, 4.5V 5.8mohm @ 10.5a, 4.5v 1.2V @ 500µA 16 nc @ 5 v ± 12V 1860 pf @ 10 v - 1.9W (TA), 30W (TC)
2SD2695,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695, T6f (m -
RFQ
 ECAD 9931 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SD2695 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 60 v 2 a 10µA (ICBO) NPN 1.5v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 2v 100MHz
RN1905(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1905 (T5L, F, T) 0.3400
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1905 200MW US6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
RN1107,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107, LXHF (Ct 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN1107 100MW SSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 10 KOHMS 47 Kohms
TK10S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK10S04K3L (T6L1, NQ -
RFQ
 ECAD 6481 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u- 모시브 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK10S04 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 10A (TA) 6V, 10V 28mohm @ 5a, 10V 3V @ 1mA 10 nc @ 10 v ± 20V 410 pf @ 10 v - 25W (TC)
TK4R1A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage tk4r1a10pl, s4x 2.0400
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 tk4r1a10 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 80A (TC) 4.5V, 10V 4.1mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 1mA 104 NC @ 10 v ± 20V 6320 pf @ 50 v - 54W (TC)
RN1904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904, LXHF (Ct 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1904 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 47kohms 47kohms
RN1611(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1611 (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 325 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 RN1611 300MW sm6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 10kohms -
RN1904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904FE, LXHF (Ct 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN1904 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 47kohms 47kohms
TK18E10K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK18E10K3, S1X (s -
RFQ
 ECAD 1444 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u- 모시브 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TK18E10 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 18A (TA) 42mohm @ 9a, 10V - 33 NC @ 10 v - -
HN1C01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-Y, LF 0.2600
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C01 200MW US6 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 250mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 80MHz
TPH4R003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R003NL, L1Q 1.0700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPH4R003 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 200µA 14.8 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 15 v - 1.6W (TA), 36W (TC)
RN2310,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2310, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN2310 100MW SC-70 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 4.7 Kohms
TK4P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P50D (T6RSS-Q) -
RFQ
 ECAD 2672 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK4P50 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) tk4p50dt6rssq 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 4A (TA) 10V 2ohm @ 2a, 10V 4.4V @ 1mA 9 NC @ 10 v ± 30V 380 pf @ 25 v - 80W (TC)
TK18A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk18a50d (sta4, q, m) 3.5200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK18A50 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 18A (TA) 10V 270mohm @ 9a, 10V 4V @ 1MA 45 NC @ 10 v ± 30V 2600 pf @ 25 v - 50W (TC)
2SK2866(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2866 (F) -
RFQ
 ECAD 3399 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 2SK2866 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 10A (TA) 10V 750mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 45 NC @ 10 v ± 30V 2040 pf @ 10 v - 125W (TC)
TPH1500CNH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1500CNH1, LQ 1.6600
RFQ
 ECAD 9158 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 8-powertdfn TPH1500 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5.75) 다운로드 1 (무제한) 5,000 n 채널 150 v 74A (TA), 38A (TC) 10V 15.4mohm @ 19a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 2200 pf @ 75 v - 2.5W (TA), 170W (TC)
2SA965-Y,T6KOJPF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y, T6KOJPF (J. -
RFQ
 ECAD 5039 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA965 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA (ICBO) PNP 1V @ 50MA, 500MA 80 @ 100MA, 5V 120MHz
TK7S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z, LXHQ 0.8900
RFQ
 ECAD 7428 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK7S10 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 7A (TA) 10V 48mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 100µa 7.1 NC @ 10 v ± 20V 470 pf @ 10 v - 50W (TC)
RN2132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2132MFV, L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN2132 150 MW VESM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200 KOHMS
RN2907(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2907 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 1143 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2907 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 10kohms 47kohms
SSM3K36MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K36MFV, L3F 0.4000
RFQ
 ECAD 358 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 SSM3K36 MOSFET (금속 (() VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 채널 20 v 500MA (TA) 1.5V, 5V 630mohm @ 200ma, 5V 1V @ 1mA 1.23 NC @ 4 v ± 10V 46 pf @ 10 v - 150MW (TA)
TK12A50E,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50E, S5X -
RFQ
 ECAD 5246 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK12A50 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 12A (TA) 10V 520mohm @ 6a, 10V 4V @ 1.2MA 40 nc @ 10 v ± 30V 1300 pf @ 25 v - 45W (TC)
TK22A65X5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK22A65X5, S5X 4.1200
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK22A65 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 22A (TA) 10V 160mohm @ 11a, 10V 4.5V @ 1.1MA 50 nc @ 10 v ± 30V 2400 pf @ 300 v - 45W (TC)
TK065Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Tk065z65z, S1f 7.8900
RFQ
 ECAD 4529 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosvi 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-247-4 MOSFET (금속 (() TO-247-4L (T) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 650 v 38A (TA) 10V 65mohm @ 19a, 10V 4V @ 1.69ma 62 NC @ 10 v ± 30V 3650 pf @ 300 v - 270W (TC)
2SK2231(TE16R1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2231 (TE16R1, NQ) -
RFQ
 ECAD 1483 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SK2231 MOSFET (금속 (() PW-Mold 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 5A (TA) 4V, 10V 160mohm @ 2.5a, 10V 2V @ 1mA 12 nc @ 10 v ± 20V 370 pf @ 10 v - 20W (TC)
RN1105MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1105MFV, L3F -
RFQ
 ECAD 5453 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN1105 150 MW VESM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 2.2 Kohms 47 Kohms
RN2902FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2902FE (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 3710 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN2902 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
HN1B01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-Y, LXHF 0.3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B01 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 300mv @ 10ma, 100ma / 250mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 120MHz, 150MHz
2SA1020-Y,T6NSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y, T6NSF (J. -
RFQ
 ECAD 2103 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1020 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 2SA1020-YT6NSF (J. 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다