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트랜지스터 (2488)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-GR, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1162 150 MW S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 200 @ 2ma, 6v 80MHz
RN1601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1601 (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 6159 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 RN1601 300MW sm6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN1910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910, LXHF (Ct 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1910 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7kohms -
RN2710JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2710JE (TE85L, F) 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-553 RN2710 100MW ESV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (이중 이중) (이미 터 커플 링) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 4.7kohms -
2SA1869-Y(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1869-Y (Q, M) -
RFQ
 ECAD 1659 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SA1869 10 W. TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 50 v 3 a 1µA (ICBO) PNP 600mv @ 200ma, 2a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
HN2C01FEYTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2C01FEYTE85LF 0.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 HN2C01 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 250mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 60MHz
RN2107ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2107Act (TPL3) -
RFQ
 ECAD 7491 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN2107 100MW CST3 - 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 MA 500NA pnp- 사전- 150mv @ 250µa, 5mA 80 @ 10ma, 5V 10 KOHMS 47 Kohms
2SA1680(T6DNSO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680 (T6dnso, F, m -
RFQ
 ECAD 5165 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1680 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 120 @ 100MA, 2V 100MHz
RN2113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2113CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 6661 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN2113 50 MW CST3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 150mv @ 250µa, 5mA 300 @ 1ma, 5V 47 Kohms
2SC2859-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2859-GR (TE85L, f -
RFQ
 ECAD 5513 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2859 150 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 200 @ 100ma, 1v 300MHz
2SC5086-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5086-O, LF -
RFQ
 ECAD 4240 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 2SC5086 100MW SSM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 - 12V 80ma NPN 80 @ 20ma, 10V 7GHz 1dB @ 500MHz
TPC8405(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8405 (TE12L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 3778 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8405 MOSFET (금속 (() 450MW 8-SOP (5.5x6.0) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 6A, 4.5A 26mohm @ 3a, 10V 2V @ 1mA 27NC @ 10V 1240pf @ 10V 논리 논리 게이트
TPH1R204PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R204PL, L1Q 1.5500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPH1R204 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 150A (TC) 4.5V, 10V 1.24mohm @ 50a, 10V 2.4V @ 500µA 74 NC @ 10 v ± 20V 7200 pf @ 20 v - 960MW (TA), 132W (TC)
RN2901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2901FE, LXHF (Ct 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN2901 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 30 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
HN1B04FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-GR, LF 0.3000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 HN1B04 100MW ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 150ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 250mv @ 10ma, 100ma 200 @ 2ma, 6v 80MHz
2SA949-Y(JVC1,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y (JVC1, F, M) -
RFQ
 ECAD 8449 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA949 800MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 150 v 50 MA 100NA (ICBO) PNP 800mv @ 1ma, 10a 70 @ 10ma, 5V 120MHz
RN1408,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1408, LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1408 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 22 KOHMS 47 Kohms
RN1907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1907, LF (Ct 0.2800
RFQ
 ECAD 9444 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1907 200MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
SSM6N15AFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFE, LM 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SSM6N15 MOSFET (금속 (() 150MW ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 30V 100ma 4ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100µa - 13.5pf @ 3v 논리 논리 게이트
2SA1020-Y(T6OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6OMI, FM -
RFQ
 ECAD 4882 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1020 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
TK31J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31J60W5, S1VQ 9.6500
RFQ
 ECAD 2743 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 TK31J60 MOSFET (금속 (() TO-3P (N) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 30.8A (TA) 10V 88mohm @ 15.4a, 10V 3.7v @ 1.5ma 105 NC @ 10 v ± 30V 3000 pf @ 300 v - 230W (TC)
TK14G65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14G65W, RQ 2.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB TK14G65 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 13.7A (TA) 10V 250mohm @ 6.9a, 10V 3.5V @ 690µA 35 NC @ 10 v ± 30V 1300 pf @ 300 v - 130W (TC)
RN2103MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103MFV, L3F (Ct 0.1800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN2103 150 MW VESM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
RN2608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2608 (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 8298 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 RN2608 300MW sm6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 22kohms 47kohms
TPC8048-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8048-H (TE12L, Q) -
RFQ
 ECAD 7690 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u-mosvi-h 컷 컷 (CT) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8048 MOSFET (금속 (() 8-SOP (5.5x6.0) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 16A (TA) 4.5V, 10V 6.9mohm @ 8a, 10V 2.3v @ 1ma 87 NC @ 10 v ± 20V 7540 pf @ 10 v - 1W (TA)
TPCA8102(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8102 (TE12L, Q, m -
RFQ
 ECAD 9323 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPCA8102 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 40A (TA) 4V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 2V @ 1mA 109 NC @ 10 v ± 20V 4600 pf @ 10 v - 1.6W (TA), 45W (TC)
2SC4738-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4738-BL (TE85L, f -
RFQ
 ECAD 6573 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 2SC4738 100MW SSM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 350 @ 2MA, 6V 80MHz
2SK2962,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962, F (J. -
RFQ
 ECAD 4731 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SK2962 TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 1A (TJ)
RN1108ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1108ACT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 7969 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN1108 100MW CST3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 MA 500NA npn-사전- 150mv @ 250µa, 5mA 80 @ 10ma, 5V 22 KOHMS 47 Kohms
SSM3J371R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J371R, LF 0.4700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 SSM3J371 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA) 1.5V, 4.5V 55mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 1mA 10.4 NC @ 4.5 v +6V, -8V 630 pf @ 10 v - 1W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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