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트랜지스터(2488)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	자연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)
RN2901FE(TE85L,F)	0.3500	보상요청	1	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SOT-563, SOT-666	RN2901		100mW	ES6	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA	100nA(ICBO)	2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)	250μA, 5mA에서 300mV	30 @ 10mA, 5V	200MHz	4.7k옴	4.7k옴
SSM3J46CTB(TPL3)	0.4000	보상요청	29	도시바 및 저장	유모스비	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	3-SMD, 무연	SSM3J46	MOSFET(금속)		CST3B	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	10,000		P채널	20V	2A(타)	1.5V, 4.5V	103m옴 @ 1.5A, 4.5V	1V @ 1mA	4.7nC @ 4.5V	±8V	10V에서 290pF	-	-
2SA1162-GR,LF	0.1800	보상요청	62	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	125°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SA1162		150mW	S-미니	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	150mA	100nA(ICBO)	PNP	300mV @ 10mA, 100mA	200 @ 2mA, 6V	80MHz
RN1307,LXHF	0.3900	보상요청	6	도시바 및 저장	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SC-70, SOT-323	RN1307		100mW	SC-70	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500nA	NPN - 사전 바이어스됨	250μA, 5mA에서 300mV	80 @ 10mA, 5V	250MHz	10kΩ	47kΩ
HN1B04FE-GR,LF	0.3000	보상요청	8	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	SOT-563, SOT-666	HN1B04		100mW	ES6	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	4,000													50V	150mA	100nA(ICBO)	NPN, PNP	250mV @ 10mA, 100mA	200 @ 2mA, 6V	80MHz
RN4985,LF(CT	0.2700	보상요청	2	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN4985		200mW	US6	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	100μA(ICBO)	NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중)	250μA, 5mA에서 300mV	80 @ 10mA, 5V	250MHz, 200MHz	2.2k옴	47k옴
RN1906,LF	-	보상요청	4453	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN1906		200mW	US6	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500nA	2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)	250μA, 5mA에서 300mV	80 @ 10mA, 5V	250MHz	4.7k옴	47k옴
ULN2004APG,C,N	-	보상요청	9779	도시바 및 저장	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	스루홀	16-DIP(0.300", 7.62mm)	ULN2004		1.47W	16- 딥	-		1(무제한)		EAR99	8541.29.0075	25													50V	500mA	50μA	7 NPN 달링턴	1.6V @ 500μA, 350mA	1000 @ 350mA, 2V	-
2SA1162S-Y, LF(D	-	보상요청	5535	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	125°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2SA1162		150mW	S-미니	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	150mA	100nA(ICBO)	PNP	300mV @ 10mA, 100mA	120 @ 2mA, 6V	80MHz
TK065U65Z,RQ	6.3200	보상요청	7	도시바 및 저장	DTMOSVI	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C	표면 실장	8-PowerSFN		MOSFET(금속)		힘	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	2,000		N채널	650V	38A(타)	10V	65m옴 @ 19A, 10V	4V @ 1.69mA	62nC @ 10V	±30V	300V에서 3650pF	-	270W(Tc)
2SJ304(F)	-	보상요청	2391	도시바 및 저장	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	2SJ304	MOSFET(금속)		TO-220NIS	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50		P채널	60V	14A(타)	4V, 10V	120m옴 @ 7A, 10V	2V @ 1mA	45nC @ 10V	±20V	1200pF @ 10V	-	40W(Tc)
SSM3K361TU,LF	0.4700	보상요청	5	도시바 및 저장	U-MOSVIII-H	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	175°C	표면 실장	3-SMD, 플랫 리드	SSM3K361	MOSFET(금속)		UFM	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	100V	3.5A(타)	4.5V, 10V	69m옴 @ 2A, 10V	100μA에서 2.5V	3.2nC @ 4.5V	±20V	15V에서 430pF	-	1W(타)
RN1114(T5L,F,T)	-	보상요청	5709	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SC-75, SOT-416	RN1114		100mW	SSM	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100mA	500nA	NPN - 사전 바이어스됨	250μA, 5mA에서 300mV	50 @ 10mA, 5V	250MHz	1kΩ	10kΩ
TK100E10N1,S1X	3.9800	보상요청	147	도시바 및 저장	U-MOSVIII-H	튜브	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	TK100E10	MOSFET(금속)		TO-220	다운로드	ROHS3 준수	해당사항 없음		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	100V	100A(타)	10V	3.4m옴 @ 50A, 10V	4V @ 1mA	140nC @ 10V	±20V	50V에서 8800pF	-	255W(Tc)
TDTA124E,LM	0.1800	보상요청	3	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TDTA124		320mW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100mA	500nA	PNP - 사전 바이어스됨	500μA, 10mA에서 300mV	56 @ 5mA, 5V	250MHz	22kΩ
RN1910,LXHF(CT	0.3600	보상요청	3	도시바 및 저장	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN1910		200mW	US6	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	100nA(ICBO)	2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)	250μA, 5mA에서 300mV	120@1mA, 5V	250MHz	4.7k옴	-
TK58A06N1,S4X	1.3300	보상요청	46	도시바 및 저장	U-MOSVIII-H	튜브	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	TK58A06	MOSFET(금속)		TO-220SIS	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	60V	58A(티씨)	10V	5.4m옴 @ 29A, 10V	4V에서 500μA	46nC @ 10V	±20V	3400pF @ 30V	-	35W(Tc)
RN2113,LF(CT	0.2100	보상요청	3	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SC-75, SOT-416	RN2113		100mW	SSM	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100mA	100nA(ICBO)	PNP - 사전 바이어스됨	250μA, 5mA에서 300mV	120@1mA, 5V	200MHz	47kΩ
2SC2235-Y(DNSO, AF)	-	보상요청	8875	도시바 및 저장	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리	2SC2235		900mW	TO-92MOD	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	1													120V	800mA	100nA(ICBO)	NPN	1V @ 50mA, 500mA	80 @ 100mA, 5V	120MHz
TK5A65D(STA4,Q,M)	1.6200	보상요청	1402	도시바 및 저장	π-MOSVII	튜브	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	TK5A65	MOSFET(금속)		TO-220SIS	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	TK5A65D(STA4QM)	EAR99	8541.29.0095	50		N채널	650V	5A(타)	10V	1.43옴 @ 2.5A, 10V	4V @ 1mA	16nC @ 10V	±30V	25V에서 800pF	-	40W(Tc)
SSM6N15AFE,LM	0.3500	보상요청	3	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	SOT-563, SOT-666	SSM6N15	MOSFET(금속)	150mW	ES6	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	4,000	2 N채널(듀얼)		30V	100mA		4옴 @ 10mA, 4V	1.5V @ 100μA	-		13.5pF @ 3V	게임 레벨 레벨
2SK3564(STA4,Q,M)	1.6200	보상요청	42	도시바 및 저장	π-MOSIV	튜브	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	2SK3564	MOSFET(금속)		TO-220SIS	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	900V	3A(타)	10V	4.3옴 @ 1.5A, 10V	4V @ 1mA	17nC @ 10V	±30V	25V에서 700pF	-	40W(Tc)
TK8A50DA(STA4,Q,M)	1.6000	보상요청	2557	도시바 및 저장	π-MOSVII	튜브	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩	TK8A50	MOSFET(금속)		TO-220SIS	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	500V	7.5A(타)	10V	1.04옴 @ 3.8A, 10V	4.4V @ 1mA	16nC @ 10V	±30V	25V에서 700pF	-	35W(Tc)
RN2318(TE85L,F)	0.2600	보상요청	3	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SC-70, SOT-323	RN2318		100mW	SC-70	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100mA	500nA	PNP - 사전 바이어스됨	250μA, 5mA에서 300mV	50 @ 10mA, 5V	200MHz	47kΩ	10kΩ
RN1108ACT(TPL3)	-	보상요청	7969	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		표면 실장	SC-101, SOT-883	RN1108		100mW	CST3	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	10,000													50V	80mA	500nA	NPN - 사전 바이어스됨	250μA에서 150mV, 5mA	80 @ 10mA, 5V		22kΩ	47kΩ
TK10A80W,S4X	2.8400	보상요청	4462	도시바 및 저장	DTMOSIV	튜브	활동적인	150°C	스루홀	TO-220-3 풀팩	TK10A80	MOSFET(금속)		TO-220SIS	다운로드	ROHS3 준수	해당사항 없음		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	800V	9.5A(타)	10V	550m옴 @ 4.8A, 10V	4V @ 450μA	19nC @ 10V	±20V	300V에서 1150pF	-	40W(Tc)
RN2101MFV,L3XHF(CT	0.3400	보상요청	8	도시바 및 저장	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SOT-723	RN2101		150mW	베스엠	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.21.0095	8,000													50V	100mA	500nA	PNP - 사전 바이어스됨	500μA에서 300mV, 5mA	30 @ 10mA, 5V	250MHz	4.7kΩ	4.7kΩ
RN2302,LF	0.0379	보상요청	2065년	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장	SC-70, SOT-323	RN2302		100mW	SC-70	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100mA	500nA	PNP - 사전 바이어스됨	250μA, 5mA에서 300mV	50 @ 10mA, 5V	200MHz	10kΩ	10kΩ
2SK2719(F)	-	보상요청	7516	도시바 및 저장	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3	2SK2719	MOSFET(금속)		TO-3P(엔)	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	900V	3A(타)	10V	4.3옴 @ 1.5A, 10V	4V @ 1mA	25nC @ 10V	±30V	25V에서 750pF	-	125W(Tc)
TTC014,L1NV	0.9900	보상요청	8196	도시바 및 저장	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			1W	PW-MOLD	다운로드		1(무제한)		EAR99	8541.29.0095	2,000													800V	1A	100nA(ICBO)	NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 100mA, 5V	-

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²