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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C 전압 - 출력(V(BR)GSS) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RN1103MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV,L3F 0.1700
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 ECAD 254 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1103 150mW 베스엠 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 22kΩ 22kΩ
TK8P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8P60W5,RVQ 1.5900
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 ECAD 15 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK8P60 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 600V 8A(타) 10V 560m옴 @ 4A, 10V 4.5V @ 400μA 22nC @ 10V ±30V 300V에서 590pF - 80W(Tc)
RN2105,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2105,LXHF(CT 0.3300
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2105 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2kΩ 47kΩ
RN1103,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103,LXHF(CT 0.3300
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1103 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22kΩ 22kΩ
RN1313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1313(TE85L,F) -
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 ECAD 8679 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1313 150mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz 47kΩ
SSM3J338R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J338R,LF 0.3700
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 ECAD 121 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3J338 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 12V 6A(타) 1.8V, 8V 17.6m옴 @ 6A, 8V 1V @ 1mA 19.5nC @ 4.5V ±10V 6V에서 1400pF - 1W(타)
TPCP8701(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8701(TE85L,F,M -
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 ECAD 5797 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TCPP8701 1.77W PS-8 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TPCP8701(TE85LFM EAR99 8541.29.0095 3,000 80V 3A 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 140mV @ 20mA, 1A 400 @ 300mA, 2V -
RN1905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1905,LXHF(CT 0.3600
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1905 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2k옴 47k옴
SSM6N951L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N951L,EFF 0.9900
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 ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 표면 실장 6-SMD, 무연 SSM6N951 MOSFET(금속) - 6-TCSPA(2.14x1.67) - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 10,000 2 N채널(이중) 시작 12V 8A 5.1m옴 @ 8A, 4.5V - - - -
TK34E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK34E10N1,S1X 1.5900
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 ECAD 1876년 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK34E10 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 75A(Tc) 10V 9.5m옴 @ 17A, 10V 4V에서 500μA 38nC @ 10V ±20V 50V에서 2600pF - 103W(Tc)
TBC847B,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBC847B,LM 0.1600
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 ECAD 54 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TBC847 320mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 30nA(ICBO) NPN 400mV @ 100mA, 5mA 200 @ 2mA, 5V 100MHz
2SA949-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y,F(J -
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 ECAD 1766년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA949 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) PNP 800mV @ 1mA, 10A 70 @ 10mA, 5V 120MHz
TK1R4S04PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4S04PB,LXHQ 1.9500
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK1R4S04 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 120A(타) 6V, 10V 1.9m옴 @ 60A, 6V 3V에서 500μA 103nC @ 10V ±20V 10V에서 5500pF - 180W(Tc)
RN2901FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2901FE(TE85L,F) 0.3500
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2901 100mW ES6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7k옴 4.7k옴
RN2909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2909FE(TE85L,F) 0.3400
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2909 100mW ES6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 200MHz 47k옴 22k옴
2SK880GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880GRTE85LF 0.5900
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SK880 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 13pF @ 10V 50V 10V에서 2.6mA 1.5V @ 100nA
TK10A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK10A50D(STA4,Q,M) 1.9000
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 ECAD 5682 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK10A50 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 500V 10A(타) 10V 720m옴 @ 5A, 10V 4V @ 1mA 20nC @ 10V ±30V 25V에서 1050pF - 45W(Tc)
SSM3K72KFS,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72KFS,LXHF 0.3300
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 ECAD 9054 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SC-75, SOT-416 MOSFET(금속) SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 300mA(타) 4.5V, 10V 1.5옴 @ 100mA, 10V 2.1V @ 250μA 0.6nC @ 4.5V ±20V 10V에서 40pF - 150mW(타)
RN1901,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901,LXHF(CT 0.3600
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1901 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7k옴 4.7k옴
SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K123TU,LF 0.4900
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 ECAD 397 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 SSM3K123 MOSFET(금속) UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 4.2A(타) 1.5V, 4V 28m옴 @ 3A, 4V 1V @ 1mA 13.6nC @ 4V ±10V 1010pF @ 10V - 500mW(타)
TPC6010-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage TPC6010-H(TE85L,FM -
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 ECAD 7814 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVI-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 TPC6010 MOSFET(금속) VS-6(2.9x2.8) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 6.1A(타) 4.5V, 10V 59m옴 @ 3.1A, 10V 100μA에서 2.3V 12nC @ 10V ±20V 10V에서 830pF - 700mW(타)
TPH8R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R008NH,L1Q 1.6400
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 ECAD 5756 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH8R008 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 80V 34A(티씨) 10V 8m옴 @ 17A, 10V 4V에서 500μA 35nC @ 10V ±20V 40V에서 3000pF - 1.6W(Ta), 61W(Tc)
GT30J65MRB,S1E Toshiba Semiconductor and Storage GT30J65MRB,S1E 2.5800
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 ECAD 74 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 GT30J65 기준 200W TO-3P(엔) - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 25 400V, 15A, 56옴, 15V 200ns - 650V 60A 1.8V @ 15V, 30A 1.4mJ(켜짐), 220μJ(꺼짐) 70nC 75ns/400ns
TPW5200FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW5200FNH,L1Q 3.0100
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 8-파워WDFN MOSFET(금속) 8-DSOP 어드밴스 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 250V 26A(TC) 10V 52m옴 @ 13A, 10V 4V @ 1mA 22nC @ 10V ±20V 100V에서 2200pF - 800mW(Ta), 142W(Tc)
2SC4738-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4738-BL(TE85L,F -
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 ECAD 6573 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SC4738 100mW SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 350 @ 2mA, 6V 80MHz
RN1965(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1965(TE85L,F) 0.0865
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 ECAD 3211 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1965 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2k옴 47k옴
TK090N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK090N65Z,S1F 6.3400
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSVI 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-247-3 TK090N65 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 264-TK090N65ZS1F EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 30A(타) 10V 90m옴 @ 15A, 10V 4V @ 1.27mA 47nC @ 10V ±30V 300V에서 2780pF - 230W(Tc)
SSM3J114TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J114TU(TE85L) 0.4400
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 ECAD 193 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 SSM3J114 MOSFET(금속) UFM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 1.8A(타) 1.5V, 4V 149m옴 @ 600mA, 4V 1V @ 1mA 7.7nC @ 4V ±8V 10V에서 331pF - 500mW(타)
RN2103MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103MFV,L3F(CT 0.1800
보상요청
 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2103 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22kΩ 22kΩ
SSM6J214FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J214FE(TE85L,F 0.3900
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 ECAD 30 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6J214 MOSFET(금속) ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 P채널 30V 3.6A(타) 1.8V, 10V 50m옴 @ 3A, 10V 1.2V @ 1mA 7.9nC @ 4.5V ±12V 15V에서 560pF - 500mW(타)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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