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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
TK065U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK065U65Z, RQ 6.3200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 8-Powersfn MOSFET (금속 (() 희생 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 650 v 38A (TA) 10V 65mohm @ 19a, 10V 4V @ 1.69ma 62 NC @ 10 v ± 30V 3650 pf @ 300 v - 270W (TC)
RN1303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1303 (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 4362 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN1303 100MW SC-70 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
RN1906,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1906, LF (Ct 0.2800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1906 200MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
RN4983FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983FE, LXHF (Ct 0.3800
RFQ
ECAD 1250 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN4983 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz, 200MHz 22kohms 22kohms
TPC8227-H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPC8227-H, LQ -
RFQ
ECAD 5995 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u-mosvi-h 대부분 활동적인 150 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TPC8227 MOSFET (금속 (() 1.5W (TA) 8-SOP 다운로드 264-TPC8227-HLQ 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 40V 5.1A 33mohm @ 2.6a, 10V 2.3v @ 100µa 10nc @ 10v 640pf @ 10V -
TTC014,L1NV Toshiba Semiconductor and Storage TTC014, L1NV 0.9900
RFQ
ECAD 8196 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 1 W. PW-Mold 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 800 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 100ma, 5V -
SSM3J09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J09FU, LF 0.4100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 SSM3J09 MOSFET (금속 (() USM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 200MA (TA) 3.3V, 10V 2.7ohm @ 100ma, 10V 1.8V @ 100µa ± 20V 22 pf @ 5 v - 150MW (TA)
RN4989,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4989, LXHF (Ct 0.4400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4989 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz, 200MHz 47kohms 22kohms
2SB1481(TOJS,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1481 (TOJS, Q, M) -
RFQ
ECAD 3254 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SB1481 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 4 a 2µA (ICBO) PNP 1.5V @ 6MA, 3A 2000 @ 3a, 2v -
TPH1R204PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R204PL, L1Q 1.5500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPH1R204 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 150A (TC) 4.5V, 10V 1.24mohm @ 50a, 10V 2.4V @ 500µA 74 NC @ 10 v ± 20V 7200 pf @ 20 v - 960MW (TA), 132W (TC)
RN1310,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1310, LF 0.1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN1310 100MW SC-70 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
2SC4215-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4215-Y (TE85L, F) 0.4900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SC4215 100MW SC-70 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 17dB ~ 23dB 30V 20MA NPN 100 @ 1ma, 6v 550MHz 2DB ~ 5dB @ 100MHz
TK100A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK100A08N1, S4X 3.7500
RFQ
ECAD 2898 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK100A08 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 100A (TC) 10V 3.2mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 130 NC @ 10 v ± 20V 9000 pf @ 40 v - 45W (TC)
RN2113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2113CT (TPL3) -
RFQ
ECAD 6661 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN2113 50 MW CST3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 150mv @ 250µa, 5mA 300 @ 1ma, 5V 47 Kohms
2SA1163-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163-BL, LF 0.3200
RFQ
ECAD 6073 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1163 150 MW S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 120 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 1ma, 10ma 350 @ 2MA, 6V 100MHz
TK72E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK72E12N1, S1X 2.5300
RFQ
ECAD 42 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TK72E12 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 120 v 72A (TA) 10V 4.4mohm @ 36a, 10V 4V @ 1MA 130 NC @ 10 v ± 20V 8100 pf @ 60 v - 255W (TC)
TK10A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Tk10a55d (STA4, Q, M) 2.3000
RFQ
ECAD 5713 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK10A55 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 550 v 10A (TA) 10V 720mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 24 nc @ 10 v ± 30V 1200 pf @ 25 v - 45W (TC)
TPC8126,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8126, LQ (cm -
RFQ
ECAD 6338 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8126 MOSFET (금속 (() 8-SOP (5.5x6.0) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 10MOHM @ 5.5A, 10V 2V @ 500µA 56 NC @ 10 v +20V, -25V 2400 pf @ 10 v - 1W (TA)
TK2P60D(TE16L1,NV) Toshiba Semiconductor and Storage TK2P60D (TE16L1, NV) -
RFQ
ECAD 2534 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK2P60 MOSFET (금속 (() PW-Mold 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) tk2p60d (TE16L1NV) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 2A (TA) 10V 4.3ohm @ 1a, 10V 4.4V @ 1mA 7 nc @ 10 v ± 30V 280 pf @ 25 v - 60W (TC)
2SC2655-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-y, F (J. -
RFQ
ECAD 7966 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2655 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
TTA0002(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTA0002 (Q) 3.4100
RFQ
ECAD 7945 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-3pl TTA0002 180 w TO-3P (L) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) TTA0002Q 귀 99 8541.29.0075 100 160 v 18 a 1µA (ICBO) PNP 2V @ 900ma, 9a 80 @ 1a, 5V 30MHz
TK31V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60W, LVQ 7.8500
RFQ
ECAD 3694 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-vSfn s 패드 TK31V60 MOSFET (금속 (() 4-DFN-EP (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 30.8A (TA) 10V 98mohm @ 15.4a, 10V 3.7v @ 1.5ma 86 NC @ 10 v ± 30V 3000 pf @ 300 v - 240W (TC)
RN2909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2909, LF (Ct 0.2800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2909 200MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 200MHz 47kohms 22kohms
2SK2719(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2719 (F) -
RFQ
ECAD 7516 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 2SK2719 MOSFET (금속 (() TO-3P (N) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 3A (TA) 10V 4.3ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 1MA 25 nc @ 10 v ± 30V 750 pf @ 25 v - 125W (TC)
2SB906-Y(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage 2SB906-Y (TE16L1, NQ 1.2100
RFQ
ECAD 5609 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SB906 1 W. PW-Mold 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 60 v 3 a 100µA (ICBO) PNP 1.7v @ 300ma, 3a 100 @ 500ma, 5V 9MHz
TTA006B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTA006B, Q (s -
RFQ
ECAD 1451 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 활동적인 TTA006 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 250
TK16J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16J60W, S1VQ -
RFQ
ECAD 8499 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 TK16J60 MOSFET (금속 (() TO-3P (N) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 15.8A (TA) 10V 190mohm @ 7.9a, 10V 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1350 pf @ 300 v - 130W (TC)
RN1111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn1111ct (tpl3) -
RFQ
ECAD 5359 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN1111 50 MW CST3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 150mv @ 250µa, 5mA 300 @ 1ma, 5V 10 KOHMS
2SA1020-O,T6CSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O, T6CSF (J. -
RFQ
ECAD 8987 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1020 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
TK40P04M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK40P04M1 (T6RSS-Q) -
RFQ
ECAD 8145 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u-mosvi-h 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK40P04 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 40A (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 200µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1920 pf @ 10 v - 47W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고