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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RN2505TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2505TE85LF 0.3400
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 ECAD 219 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74A, SOT-753 RN2505 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2k옴 47k옴
TK9A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK9A45D(STA4,Q,M) 1.7100
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 ECAD 8473 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK9A45 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 450V 9A(타) 10V 770m옴 @ 4.5A, 10V 4V @ 1mA 16nC @ 10V ±30V 25V에서 800pF - 40W(Tc)
TPWR8004PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR8004PL,L1Q 2.9700
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 ECAD 1220 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN TPWR8004 MOSFET(금속) 8-DSOP 어드밴스 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 150A(Tc) 4.5V, 10V 0.8m옴 @ 50A, 10V 2.4V @ 1mA 103nC @ 10V ±20V 20V에서 9600pF - 1W(Ta), 170W(Tc)
SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K211FE,LF 0.5400
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6K211 MOSFET(금속) ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 N채널 20V 3.2A(타) 1.5V, 4.5V 47m옴 @ 2A, 4.5V 1V @ 1mA 10.8nC @ 4.5V ±10V 10V에서 510pF - 500mW(타)
TK110A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A10PL,S4X 1.0900
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 ECAD 328 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK110A10 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 36A(티씨) 4.5V, 10V 10.8m옴 @ 18A, 10V 300μA에서 2.5V 33nC @ 10V ±20V 2040pF @ 50V - 36W(Tc)
TPHR9203PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9203PL,L1Q 1.6300
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPHR9203 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 150A(Tc) 4.5V, 10V 500μA에서 2.1V 80nC @ 10V ±20V 7540pF @ 15V - 132W(Tc)
TPC8134,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8134, LQ(에스 0.7300
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TPC8134 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 40V 5A(타) 4.5V, 10V 52m옴 @ 2.5A, 10V 100μA에서 2V 20nC @ 10V +20V, -25V 10V에서 890pF - 1W(타)
RN2703,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2703,LF 0.2900
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 ECAD 5173 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2703 200mW USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 22kΩ
RN4987FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987FE,LF(CT 0.2700
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 ECAD 32 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4987 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 10k옴 47k옴
RN1418(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1418(TE85L,F) 0.3400
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1418 200mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 10kΩ
RN1309,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1309,LXHF 0.3900
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1309 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 5mA, 5V 250MHz 47kΩ 22kΩ
TPC8092,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8092, LQ(에스 -
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 ECAD 8376 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TPC8092 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 15A(타) 4.5V, 10V 9m옴 @ 7.5A, 10V 2.3V @ 200μA 25nC @ 10V ±20V 10V에서 1800pF - 1W(타)
TJ20S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L(T6L1,NQ 1.3300
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 ECAD 9822 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TJ20S04 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 40V 20A(타) 6V, 10V 22.2m옴 @ 10A, 10V 3V @ 1mA 37nC @ 10V +10V, -20V 10V에서 1850pF - 41W(Tc)
TK1P90A,LQ(CO Toshiba Semiconductor and Storage TK1P90A,LQ(CO -
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 ECAD 9799 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK1P90 MOSFET(금속) PW-MOLD 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TK1P90ALQ(CO EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 900V 1A(타) 10V 9옴 @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 13nC @ 10V ±30V 320pF @ 25V - 20W(Tc)
SSM3K35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35CT,L3F 0.3200
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 ECAD 13 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SC-101, SOT-883 SSM3K35 MOSFET(금속) CST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 20V 180mA(타) 1.2V, 4V 3옴 @ 50mA, 4V 1V @ 1mA ±10V 9.5pF @ 3V - 100mW(타)
RN2903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2903FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2903 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 22kΩ
SSM6P54TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P54TU,LF 0.4100
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6P54 MOSFET(금속) 500mW(타) UF6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 20V 1.2A(타) 228m옴 @ 600mA, 2.5V 1V @ 1mA 7.7nC @ 4V 331pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.5V 드라이브
TTD1509B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTD1509B,Q(에스 -
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 ECAD 2966 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 활동적인 TTD1509 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 250
RN2301,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301,LXHF 0.3900
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2301 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
RN1116,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1116,LXHF(CT 0.3300
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1116 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 10kΩ
TK62N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60W5,S1VF 11.3800
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 ECAD 18 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 61.8A(타) 10V 45m옴 @ 30.9A, 10V 4.5V @ 3.1mA 205nC @ 10V ±30V 300V에서 6500pF - 400W(Tc)
XPN3R804NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN3R804NC,L1XHQ 1.4700
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 ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN XPN3R804 MOSFET(금속) 8-TSON 사전-WF(3.1x3.1) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 40A(타) 4.5V, 10V 3.8m옴 @ 20A, 10V 300μA에서 2.5V 35nC @ 10V ±20V 10V에서 2230pF - 840mW(Ta), 100W(Tc)
HN1C01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-Y,LXHF 0.4100
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C01 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
TK22V65X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK22V65X5,LQ 5.6600
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 4-VSFN 옆형 패드 MOSFET(금속) 4-DFN-EP(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 650V 22A(타) 10V 170m옴 @ 11A, 10V 4.5V @ 1.1mA 50nC @ 10V ±30V 300V에서 2400pF - 180W(Tc)
TK22A65X,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK22A65X,S5X 3.8400
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 ECAD 188 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK22A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 22A(타) 10V 150m옴 @ 11A, 10V 3.5V @ 1.1mA 50nC @ 10V ±30V 300V에서 2400pF - 45W(Tc)
TK60F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK60F10N1L,LXGQ 2.3200
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB TK60F10 MOSFET(금속) TO-220SM(W) - 3(168시간) EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 100V 60A(타) 6V, 10V 6.11m옴 @ 30A, 10V 500μA에서 3.5V 60nC @ 10V ±20V 4320pF @ 10V - 205W(Tc)
TK8Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8Q60W,S1VQ 2.4800
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 ECAD 7622 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 스텁 레코드, IPak TK8Q60 MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 75 N채널 600V 8A(타) 10V 500m옴 @ 4A, 10V 400μA에서 3.7V 18.5nC @ 10V ±30V 300V에서 570pF - 80W(Tc)
SSM6N17FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N17FU(TE85L,F) 0.4900
보상요청
 ECAD 14 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N17 MOSFET(금속) 200mW(타) US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 50V 100mA(타) 20옴 @ 10mA, 4V 1.5V @ 1μA - 7pF @ 3V -
RN1310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1310(TE85L,F) 0.2600
보상요청
 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1310 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 4.7kΩ
2SC6026MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026MFV-Y,L3F 0.1900
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 2SC6026 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 60MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

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