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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 출력(V(BR)GSS) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 소스 소스(Id) - 최대
2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-Y(TE85L,F) 0.5600
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 ECAD 42 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SK880 100mW USM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 13pF @ 10V 50V 1.2mA @ 10V 1.5V @ 100nA
2SK209-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-BL(TE85L,F) 0.4400
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 ECAD 1670년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK209 150mW SC-59 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 13pF @ 10V 50V 10V에서 14mA 1.5V @ 100nA 14mA
SSM3J145TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J145TU,LXHF 0.3700
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 MOSFET(금속) UFM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 3A(타) 1.5V, 4.5V 103m옴 @ 1A, 4.5V 1V @ 1mA 4.6nC @ 4.5V +6V, -8V 10V에서 270pF - 500mW(타)
RN2118MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2118MFV(TPL3) 0.2700
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2118 150mW 베스엠 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 47kΩ 10kΩ
TPCP8901(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8901(TE85L,F,M -
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 ECAD 7302 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TCPP8901 1.48W PS-8 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TCPP8901(TE85LFM EAR99 8541.29.0075 3,000 50V 1A, 800mA 100nA(ICBO) NPN, PNP 170mV @ 6mA, 300mA / 200mV @ 10mA, 300mA 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V -
SSM6K514NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K514NU,LF 0.4700
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 ECAD 47 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6K514 MOSFET(금속) 6-UDFNB(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 40V 12A(타) 4.5V, 10V 11.6m옴 @ 4A, 10V 100μA에서 2.4V 7.5nC @ 4.5V ±20V 20V에서 1110pF - 2.5W(타)
RN1906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1906(T5L,F,T) -
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 ECAD 8467 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1906 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7k옴 47k옴
SSM6N68NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N68NU,LF 0.4600
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 ECAD 15 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6N68 MOSFET(금속) 2W(타) 6-μDFN(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 30V 4A(타) 84m옴 @ 2A, 4.5V 1V @ 1mA 1.8nC @ 4.5V 129pF @ 15V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.8V 드라이브
2SC2712-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-GR,LF 0.2000
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 ECAD 115 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2712 150mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 70 @ 2mA, 6V 80MHz
SSM3K01T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K01T(TE85L,F) -
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 ECAD 7187 0.00000000 도시바 및 저장 π-모스비 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K01 MOSFET(금속) TSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 3.2A(타) 2.5V, 4V 120m옴 @ 1.6A, 4V - ±10V 10V에서 152pF - 1.25W(타)
TJ15S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ15S06M3L,LXHQ 0.9500
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 ECAD 16 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TJ15S06 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 60V 15A(타) 6V, 10V 50m옴 @ 7.5A, 10V 3V @ 1mA 36nC @ 10V +10V, -20V 1770pF @ 10V - 41W(Tc)
RN2103MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2103MFV,L3F -
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 ECAD 1968년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2103 150mW 베스엠 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) RN2103MFVL3F EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 22kΩ 22kΩ
RN1103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1103CT(TPL3) -
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 ECAD 2562 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN1103 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 100 @ 10mA, 5V 22kΩ 22kΩ
TPH4R10ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R10ANL,L1Q 1.6500
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 ECAD 7346 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPH4R10 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 100V 92A(타), 70A(Tc) 4.5V, 10V 4.1m옴 @ 35A, 10V 2.5V @ 1mA 75nC @ 10V ±20V 50V에서 6300pF - 2.5W(Ta), 67W(Tc)
RN1708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1708JE(TE85L,F) 0.4000
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN1708 100mW ESV 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22k옴 47k옴
RN2712JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2712JE(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN2712 100mW ESV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 200MHz 22k옴 -
RN2102ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2102ACT(TPL3) -
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 ECAD 4367 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2102 100mW CST3 - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 80mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 10kΩ 10kΩ
RN1107CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1107CT(TPL3) -
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 ECAD 1269 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN1107 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 120 @ 10mA, 5V 10kΩ 47kΩ
TK16A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W,S4VX 2.9700
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK16A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 15.8A(타) 10V 190m옴 @ 7.9A, 10V 790μA에서 3.7V 38nC @ 10V ±30V 300V에서 1350pF - 40W(Tc)
TPW1500CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW1500CNH,L1Q 2.6600
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 8-파워WDFN MOSFET(금속) 8-DSOP 어드밴스 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 150V 38A(Tc) 10V 15.4m옴 @ 19A, 10V 4V @ 1mA 22nC @ 10V ±20V 75V에서 2200pF - 800mW(Ta), 142W(Tc)
TK8P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8P60W,RVQ 1.1354
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 ECAD 8551 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK8P60 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 600V 8A(타) 10V 500m옴 @ 4A, 10V 400μA에서 3.7V 18.5nC @ 10V ±30V 300V에서 570pF - 80W(Tc)
TK12A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A55D(STA4,Q,M) 2.8400
보상요청
 ECAD 5060 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK12A55 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 550V 12A(타) 10V 570m옴 @ 6A, 10V 4V @ 1mA 28nC @ 10V ±30V 25V에서 1550pF - 45W(Tc)
SSM6N42FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N42FE(TE85L,F) -
보상요청
 ECAD 4807 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6N42 MOSFET(금속) 150mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 2 N채널(듀얼) 20V 800mA 240m옴 @ 500mA, 4.5V 1V @ 1mA 2nC @ 4.5V 90pF @ 10V 게임 레벨 레벨
RN1910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE,LXHF(CT 0.3800
보상요청
 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1910 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz 4.7k옴 -
2SA1837,HFEYHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837,HFEYHF(M -
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 ECAD 6958 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1837 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 230V 1A 1μA(ICBO) PNP 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 70MHz
RN2414(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2414(TE85L,F) 0.2800
보상요청
 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2414 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 50 @ 10mA, 5V 200MHz 1kΩ 10kΩ
RN2106CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2106CT(TPL3) -
보상요청
 ECAD 9972 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2106 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 120 @ 10mA, 5V 4.7kΩ 47kΩ
TK8A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A45D(STA4,Q,M) 1.6000
보상요청
 ECAD 1532 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK8A45 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 450V 8A(타) 10V 900m옴 @ 4A, 10V 4.4V @ 1mA 16nC @ 10V ±30V 25V에서 700pF - 35W(Tc)
2SA1020A,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020A,NSEIKIF(J -
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 ECAD 2572 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1020 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK100A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK100A06N1,S4X 2.7600
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK100A06 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 100A(Tc) 10V 2.7m옴 @ 50A, 10V 4V @ 1mA 140nC @ 10V ±20V 30V에서 10500pF - 45W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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