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트랜지스터 (2488)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
RN2117MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2117MFV, L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN2117 150 MW VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 30 @ 10ma, 5V 10 KOHMS 4.7 Kohms
HN2C01FU-GR(T5L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2C01FU-GR (T5L, F) 0.0865
RFQ
 ECAD 5142 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN2C01 200MW US6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 250mv @ 10ma, 100ma 200 @ 2ma, 6v 80MHz
2SK1828TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK1828TE85LF 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK1828 MOSFET (금속 (() SC-59 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 50MA (TA) 2.5V 40ohm @ 10ma, 2.5v 1.5V @ 100µa 10V 5.5 pf @ 3 v - 200MW (TA)
TK40J20D,S1F(O Toshiba Semiconductor and Storage TK40J20D, S1F (O. -
RFQ
 ECAD 6850 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosviii 쟁반 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 TK40J20 MOSFET (금속 (() TO-3P (N) - 1 (무제한) 264-TK40J20DS1f (o 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 200 v 40A (TA) 10V 44mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 1mA 100 nc @ 10 v ± 20V 4300 pf @ 100 v - 260W (TC)
RN1906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1906 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 8467 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1906 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
TDTA124E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA124E, LM 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTA124 320 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 KOHMS
RN2905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905FE, LF (Ct 0.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN2905 100MW ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 2.2kohms 47kohms
RN1910FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 8332 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN1910 100MW ES6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7kohms -
SSM6K810R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K810R, LF 0.6300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6K810 MOSFET (금속 (() 6TSOP-F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 3.5A (TA) 4.5V, 10V 69mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 100µa 3.2 NC @ 4.5 v ± 20V 430 pf @ 15 v - 1.5W (TA)
RN1112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112ACT (TPL3) 0.3300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN1112 100MW CST3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 150mv @ 250µa, 5mA 120 @ 1ma, 5V 22 KOHMS
RN1410,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1410, LF 0.1900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1410 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
RN1103MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV (TPL3) 0.0433
RFQ
 ECAD 6128 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN1103 150 MW VESM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 22 KOHMS 22 KOHMS
RN1106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV, L3F (Ct 0.1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN1106 150 MW VESM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 80 @ 1ma, 5V 4.7 Kohms 47 Kohms
RN2110,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2110, LXHF (Ct 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN2110 100MW SSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 4.7 Kohms
TPCP8003-H(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8003-H (TE85L, f -
RFQ
 ECAD 2466 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii-h 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 TPCP8003 MOSFET (금속 (() PS-8 (2.9x2.4) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 2.2A (TA) 4.5V, 10V 180mohm @ 1.1a, 10V 2.3v @ 1ma 7.5 NC @ 10 v ± 20V 360 pf @ 10 v - 840MW (TA)
2SA1020-Y(T6CANOAF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6Canoaf -
RFQ
 ECAD 9776 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1020 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 2sa1020yt6canoaf 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
TK56A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK56A12N1, S4X 2.0900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK56A12 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 120 v 56A (TC) 10V 7.5mohm @ 28a, 10V 4V @ 1MA 69 NC @ 10 v ± 20V 4200 pf @ 60 v - 45W (TC)
TPN2R304PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R304PL, L1Q 0.9600
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powervdfn TPN2R304 MOSFET (금속 (() 8 1 3. (3.1x3.1) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 80A (TC) 4.5V, 10V 2.3mohm @ 40a, 10V 2.4V @ 300µA 41 NC @ 10 v ± 20V 3600 pf @ 20 v - 630MW (TA), 104W (TC)
HN4C51J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4C51J (TE85L, F) 0.4500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 HN4C51 300MW SMV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 120V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn (() 공통베이스 300mv @ 1ma, 10ma 200 @ 2ma, 6v 100MHz
2SA1312-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1312-BL (TE85L, f 0.3300
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1312 150 MW S- 미니 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 120 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 1ma, 10ma 350 @ 2MA, 6V 100MHz
2SB1457(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457 (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 8231 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SB1457 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 100 v 2 a 10µA (ICBO) PNP 1.5v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 2v 50MHz
2SK3670(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670 (F, M) -
RFQ
 ECAD 3769 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모 쓸모 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SK3670 TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 670MA (TJ)
2SA1887(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1887 (F) -
RFQ
 ECAD 2770 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SA1887 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 50 50 v 10 a 1µA (ICBO) PNP 400mv @ 250ma, 5a 120 @ 1a, 1v 45MHz
2SC3668-Y,F2PANF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3668-Y, F2PANF (J. -
RFQ
 ECAD 1899 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-71 2SC3668 1 W. MSTM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
RN2909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2909 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 9209 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2909 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 200MHz 47kohms 22kohms
SSM3K106TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K106TU (TE85L) -
RFQ
 ECAD 1623 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvi 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 SSM3K106 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1.2A (TA) 4V, 10V 310mohm @ 600ma, 10V 2.3v @ 100µa ± 20V 36 pf @ 10 v - 500MW (TA)
TK3A65DA(STA4,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65DA (STA4, QM) 1.5200
RFQ
 ECAD 4118 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK3A65 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 2.5A (TA) 10V 2.51ohm @ 1.3a, 10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 v ± 30V 490 pf @ 25 v - 35W (TC)
2SD2206A(T6SEP,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206A (T6SEP, F, m -
RFQ
 ECAD 4911 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SD2206 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 120 v 2 a - NPN 1.5v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 2v -
SSM3J36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J36FS, LF 0.2900
RFQ
 ECAD 479 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 SSM3J36 MOSFET (금속 (() SSM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 330ma (TA) 1.5V, 4.5V 1.31ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 1mA 1.2 NC @ 4 v ± 8V 43 pf @ 10 v - 150MW (TA)
2SC2655-Y,T6SWFF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-y, T6SWFF (m -
RFQ
 ECAD 8656 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2655 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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