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트랜지스터 (2488)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
TK1K7A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K7A60F, S4X 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK1K7A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 4A (TA) 10V 1.7ohm @ 2a, 10V 4V @ 460µA 16 nc @ 10 v ± 30V 560 pf @ 300 v - 35W (TC)
TK5A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk5a65d (sta4, q, m) 1.6200
RFQ
 ECAD 1402 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK5A65 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) tk5a65d (sta4qm) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 5A (TA) 10V 1.43ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 1MA 16 nc @ 10 v ± 30V 800 pf @ 25 v - 40W (TC)
TPC8021-H(TE12LQ,M Toshiba Semiconductor and Storage TPC8021-H (TE12LQ, m -
RFQ
 ECAD 1471 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8021 MOSFET (금속 (() 8-SOP (5.5x6.0) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 17mohm @ 5.5a, 10V 2.3v @ 1ma 11 NC @ 10 v ± 20V 640 pf @ 10 v - 1W (TA)
RN1112MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1112MFV, L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN1112 150 MW VESM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 22 KOHMS
RN2901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2901FE, LXHF (Ct 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN2901 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 30 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
SSM3K339R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K339R, LF 0.4500
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosvii-h 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 SSM3K339 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 2A (TA) 1.8V, 8V 185mohm @ 1a, 8v 1.2v @ 1ma 1.1 NC @ 4.2 v ± 12V 130 pf @ 10 v - 1W (TA)
TPH3R506PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R506PL, LQ 0.5263
RFQ
 ECAD 4366 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powervdfn TPH3R506 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) - 1 (무제한) 264-tph3r506pllqtr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 94A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 47a, 10V 2.5V @ 500µA 55 NC @ 10 v ± 20V 4420 pf @ 30 v - 830MW (TA), 116W (TC)
SSM3K01T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K01T (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 7187 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvi 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K01 MOSFET (금속 (() TSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.2A (TA) 2.5V, 4V 120mohm @ 1.6a, 4v - ± 10V 152 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
2SC2655-Y(T6TOJ,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y (T6TOJ, FM -
RFQ
 ECAD 5228 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2655 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
2SC2881-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2881-Y (TE12L, ZC 0.4900
RFQ
 ECAD 851 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 500MW PW- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1,000 120 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 120 @ 100MA, 5V 120MHz
SSM3K122TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K122TU, LF 0.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 SSM3K122 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2A (TA) 1.5V, 4V 123mohm @ 1a, 4v 1V @ 1mA 3.4 NC @ 4 v ± 10V 195 pf @ 10 v - 500MW (TA)
2SA949-Y,ONK-1F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-y, onk-1f (m -
RFQ
 ECAD 6594 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA949 800MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 150 v 50 MA 100NA (ICBO) PNP 800mv @ 1ma, 10a 70 @ 10ma, 5V 120MHz
TK7Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7Q60W, S1VQ 2.1200
RFQ
 ECAD 4963 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK TK7Q60 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 7A (TA) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 3.7V @ 350µA 15 nc @ 10 v ± 30V 490 pf @ 300 v - 60W (TC)
RN4906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4906FE, LF (Ct 0.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN4906 100MW ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7kohms 47kohms
TK35A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK35A08N1, S4X 1.0500
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK35A08 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 35A (TC) 10V 12.2mohm @ 17.5a, 10V 4V @ 300µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 40 v - 30W (TC)
2SB1457,T6YMEF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457, t6ymef (m -
RFQ
 ECAD 5204 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SB1457 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 100 v 2 a 10µA (ICBO) PNP 1.5v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 2v 50MHz
2SA1680,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680, F (J. -
RFQ
 ECAD 4997 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1680 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 120 @ 100MA, 2V 100MHz
2SK3670(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670 (T6Cano, F, m -
RFQ
 ECAD 3113 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SK3670 TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 670MA (TJ)
RN2108ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2108ACT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 4994 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN2108 100MW CST3 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 MA 500NA pnp- 사전- 150mv @ 250µa, 5mA 80 @ 10ma, 5V 22 KOHMS 47 Kohms
TPH2R506PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R506PL, L1Q 1.6300
RFQ
 ECAD 8490 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPH2R506 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 100A (TC) 4.5V, 10V 4.4mohm @ 30a, 4.5v 2.5V @ 500µA 60 nc @ 10 v ± 20V 5435 pf @ 30 v - 132W (TC)
TK10A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Tk10a55d (STA4, Q, M) 2.3000
RFQ
 ECAD 5713 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK10A55 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 550 v 10A (TA) 10V 720mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 24 nc @ 10 v ± 30V 1200 pf @ 25 v - 45W (TC)
TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S04M3L (T6L1, NQ 1.4000
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TJ60S04 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 60A (TA) 6V, 10V 6.3MOHM @ 30A, 10V 3V @ 1mA 125 nc @ 10 v +10V, -20V 6510 pf @ 10 v - 90W (TC)
2SD2129,ALPSQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2129, ALPSQ (m -
RFQ
 ECAD 9406 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SD2129 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 100µA (ICBO) NPN 2v @ 12ma, 3a 2000 @ 1.5a, 3v -
HN2C01FEYTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2C01FEYTE85LF 0.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 HN2C01 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 250mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 60MHz
SSM3J35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35CT, L3F 0.3400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SC-101, SOT-883 SSM3J35 MOSFET (금속 (() CST3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 100MA (TA) 1.2V, 4V 8ohm @ 50ma, 4v 1V @ 1mA ± 10V 12.2 pf @ 3 v - 100MW (TA)
2SC2859-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2859-Y (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 8762 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2859 150 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 120 @ 100MA, 1V 300MHz
RN1711,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1711, LF 0.3100
RFQ
 ECAD 1202 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1711 200MW USV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 10kohms -
TPH11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH11003NL, LQ 0.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPH11003 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 32A (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 5.5a, 10V 2.3v @ 100µa 7.5 NC @ 10 v ± 20V 660 pf @ 15 v - 1.6W (TA), 21W (TC)
TPC6009-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage TPC6009-H (TE85L, FM -
RFQ
 ECAD 2245 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u-mosvi-h 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 TPC6009 MOSFET (금속 (() VS-6 (2.9x2.8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 40 v 5.3A (TA) 4.5V, 10V 81mohm @ 2.7a, 10V 2.3v @ 100µa 4.7 NC @ 10 v ± 20V 290 pf @ 10 v - 700MW (TA)
2SC6026MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026MFVGR, L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 2SC6026 150 MW VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 200 @ 2ma, 6v 60MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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