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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
TK16V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16V60W5,LVQ 3.4800
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 ECAD 3143 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 4-VSFN 옆형 패드 MOSFET(금속) 4-DFN-EP(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 15.8A(타) 10V 245m옴 @ 7.9A, 10V 790μA에서 4.5V 43nC @ 10V ±30V 300V에서 1350pF - 139W(Tc)
2SA1020-Y(HIT,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y(히트,F,M) -
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 ECAD 3530 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1020 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN2709JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2709JE(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN2709 100mW ESV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 200MHz 47k옴 22k옴
2SC5886A(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5886A(T6L1,NQ) 0.7000
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 ECAD 8546 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 1W PW-MOLD 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 50V 5A 100nA(ICBO) NPN 220mV @ 32mA, 1.6A 400 @ 500mA, 2V -
SSM6N37FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N37FU,LF 0.3800
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 ECAD 391 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N37 MOSFET(금속) 300mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 20V 250mA(타) 2.2옴 @ 100mA, 4.5V 1V @ 1mA - 12pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.5V 드라이브
2SD2257,NIKKIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257,니키크(J -
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 ECAD 2832 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SD2257 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 100V 3A 10μA(ICBO) NPN 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 2000 @ 2A, 2V -
RN1710JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1710JE(TE85L,F) 0.4000
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN1710 100mW ESV 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz 4.7k옴 -
TK7A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK7A65W,S5X 1.6700
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 ECAD 2976년 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK7A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 6.8A(타) 10V 780m옴 @ 3.4A, 10V 250μA에서 3.5V 15nC @ 10V ±30V 300V에서 490pF - 30W(Tc)
SSM3J340R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J340R,LF 0.4700
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 ECAD 15 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3J340 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 4A(타) 4V, 10V 45m옴 @ 4A, 10V 2.2V @ 250μA 6.2nC @ 4.5V +20V, -25V 10V에서 492pF - 1W(타)
TPN2R805PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R805PL,L1Q 0.9800
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPN2R805 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 45V 139A(Ta), 80A(Tc) 4.5V, 10V 2.8m옴 @ 40A, 10V 300μA에서 2.4V 39nC @ 10V ±20V 22.5V에서 3200pF - 2.67W(Ta), 104W(Tc)
TPH2R408QM,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R408QM,L1Q 1.7000
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 ECAD 3476 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPH2R408 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 80V 120A(Tc) 6V, 10V 2.43m옴 @ 50A, 10V 3.5V @ 1mA 87nC @ 10V ±20V 40V에서 8300pF - 3W(Ta), 210W(Tc)
SSM6J212FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J212FE,LF 0.4600
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 ECAD 6467 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6J212 MOSFET(금속) ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 P채널 20V 4A(타) 1.5V, 4.5V 40.7m옴 @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 14.1nC @ 4.5V ±8V 970pF @ 10V - 500mW(타)
2SC4682,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4682,T6F(J -
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 ECAD 4429 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC4682 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 15V 3A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 30mA, 3A 800 @ 500mA, 1V 150MHz
SSM3K15FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15FS,LF -
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 ECAD 2330 0.00000000 도시바 및 저장 π-모스비 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 SSM3K15 MOSFET(금속) SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 100mA(타) 2.5V, 4V 4옴 @ 10mA, 4V 1.5V @ 100μA ±20V 7.8pF @ 3V - 200mW(타)
RN1422TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1422TE85LF 0.4200
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1422 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 800mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250mV @ 1mA, 50mA 65 @ 100mA, 1V 300MHz 2.2kΩ 2.2kΩ
HN1A01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU-GR,LF 0.2600
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1A01 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 PNP(이중) 300mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
SSM6N15AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFU,LF 0.3500
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 ECAD 39 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N15 MOSFET(금속) 300mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 30V 100mA 3.6옴 @ 10mA, 4V 1.5V @ 100μA - 13.5pF @ 3V 게임 레벨 레벨
TPCP8107,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCPP8107,LF 0.7200
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TCPP8107 MOSFET(금속) PS-8 - 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 40V 8A(타) 6V, 10V 18m옴 @ 4A, 10V 3V @ 1mA 44.6nC @ 10V +10V, -20V 10V에서 2160pF - 1W(타)
SSM3K56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56ACT,L3F 0.4700
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 ECAD 188 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 SSM3K56 MOSFET(금속) CST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 20V 1.4A(타) 1.5V, 4.5V 235m옴 @ 800mA, 4.5V 1V @ 1mA 1nC @ 4.5V ±8V 10V에서 55pF - 500mW(타)
SSM3K72KCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72KCT,L3F 0.2500
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 ECAD 71 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 SSM3K72 MOSFET(금속) CST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 60V 400mA(타) 4.5V, 10V 1.5옴 @ 100mA, 10V 2.1V @ 250μA 0.6nC @ 4.5V ±20V 10V에서 40pF - 500mW(타)
TK100A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK100A08N1,S4X 3.7500
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 ECAD 2898 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK100A08 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 80V 100A(Tc) 10V 3.2m옴 @ 50A, 10V 4V @ 1mA 130nC @ 10V ±20V 40V에서 9000pF - 45W(Tc)
2SA1837,HFEYHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837,HFEYHF(J -
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 ECAD 6394 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1837 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 230V 1A 1μA(ICBO) PNP 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 70MHz
SSM3J351R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J351R,LXHF 0.6500
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 ECAD 73 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 60V 3.5A(타) 4V, 10V 134m옴 @ 1A, 10V 2V @ 1mA 15.1nC @ 10V +10V, -20V 10V에서 660pF - 1W(타)
SSM6K804R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K804R,LF 0.7000
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 ECAD 7187 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6K804 MOSFET(금속) 6-TSOP-F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 40V 12A(타) 4.5V, 10V 12m옴 @ 4A, 10V 100μA에서 2.4V 7.5nC @ 4.5V ±20V 20V에서 1110pF - 1.5W(타)
SSM6N40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N40TU,LF 0.4800
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 ECAD 18 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6N40 MOSFET(금속) 500mW(타) UF6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 30V 1.6A(타) 122m옴 @ 1A, 10V 2.6V @ 1mA 5.1nC @ 10V 180pF @ 15V 레벨 레벨 컨트롤러, 4V 구동
TW107Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW107Z65C,S1F 8.7500
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 ECAD 110 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-247-4 SiC(실리콘 카바이드 및 반도체) TO-247-4L(X) - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 20A(TC) 18V 152m옴 @ 10A, 18V 5V @ 1.2mA 21nC @ 18V +25V, -10V 400V에서 600pF - 76W(Tc)
2SC2235-Y(T6OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y(T6OMI, FM -
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 ECAD 2579 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2235 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
TPC8048-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8048-H(TE12L,Q) -
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 ECAD 7690 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVI-H 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TPC8048 MOSFET(금속) 8-SOP(5.5x6.0) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 60V 16A(타) 4.5V, 10V 6.9m옴 @ 8A, 10V 2.3V @ 1mA 87nC @ 10V ±20V 7540pF @ 10V - 1W(타)
TK58E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK58E06N1,S1X 1.4600
보상요청
 ECAD 7818 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK58E06 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 58A(타) 10V 5.4m옴 @ 29A, 10V 4V에서 500μA 46nC @ 10V ±20V 3400pF @ 30V - 110W(Tc)
HN1B04FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-GR,LF 0.3300
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B04 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN, PNP 250mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 150MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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