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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 얻다 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
RN2904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904,LXHF(CT 0.4400
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2904 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47k옴 47k옴
2SC1627A-Y,PASF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC1627A-Y,PASF(M -
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ECAD 4598 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC1627 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 80V 400mA 100nA(ICBO) NPN 400mV @ 20mA, 200A 70 @ 50mA, 2V 100MHz
TK16E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16E60W,S1VX 2.8600
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ECAD 4631 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK16E60 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 15.8A(타) 10V 190m옴 @ 7.9A, 10V 790μA에서 3.7V 38nC @ 10V ±30V 300V에서 1350pF - 130W(Tc)
2SC2235-O(T6FJT,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O(T6FJT,FM -
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ECAD 6710 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2235 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
TPC8227-H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPC8227-H, LQ -
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ECAD 5995 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVI-H 대부분 활동적인 150°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) TPC8227 MOSFET(금속) 1.5W(타) 8-SOP 다운로드 264-TPC8227-HLQ EAR99 8541.29.0095 1 2 N채널(듀얼) 40V 5.1A 33m옴 @ 2.6A, 10V 100μA에서 2.3V 10nC @ 10V 640pF @ 10V -
2SA1020-Y(T6CANOAF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y(T6CANOAF -
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ECAD 9776 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1020 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) 2SA1020YT6CANOAF EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK3A60DA(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A60DA(Q,M) 1.2000
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ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK3A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 2.5A(타) 10V 2.8옴 @ 1.3A, 10V 4.4V @ 1mA 9nC @ 10V ±30V 380pF @ 25V - 30W(Tc)
HN2C01FEYTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2C01FEYTE85LF 0.1000
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 HN2C01 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 60MHz
TK10J80E,S1E Toshiba Semiconductor and Storage TK10J80E,S1E 3.0700
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ECAD 15 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVIII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 TK10J80 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 25 N채널 800V 10A(타) 10V 1옴 @ 5A, 10V 4V @ 1mA 46nC @ 10V ±30V 2000pF @ 25V - 250W(Tc)
RN2113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2113CT(TPL3) -
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ECAD 6661 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2113 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 300@1mA, 5V 47kΩ
GT50J121(Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT50J121(Q) -
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ECAD 6353 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3PL GT50J121 기준 240W TO-3P(LH) - 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 100 300V, 50A, 13옴, 15V - 600V 50A 100A 2.45V @ 15V, 50A 1.3mJ(켜짐), 1.34mJ(꺼짐) 90ns/300ns
SSM3K2615TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K2615TU,LF 0.5200
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ECAD 12 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 SSM3K2615 MOSFET(금속) UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 2A(타) 3.3V, 10V 300m옴 @ 1A, 10V 2V @ 1mA 6nC @ 10V ±20V 150pF @ 10V - 800mW(타)
RN2102MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2102MFV,L3F(CT 0.1800
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ECAD 15 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2102 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
RN4601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4601(TE85L,F) 0.4800
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ECAD 548 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN4601 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7k옴 4.7k옴
TK19A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK19A45D(STA4,Q,M) 3.6700
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ECAD 2154 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK19A45 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 450V 19A(타) 10V 250m옴 @ 9.5A, 10V 4V @ 1mA 45nC @ 10V ±30V 25V에서 2600pF - 50W(Tc)
RN4908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908,LXHF(CT 0.4400
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ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4908 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 22k옴 47k옴
2SK2962(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962(TE6,F,M) -
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ECAD 1303 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SK2962 TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 1A(티제이)
RN1503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1503(TE85L,F) 0.4500
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ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 컷테이프(CT) 활동적인 표면 실장 SC-74A, SOT-753 RN1503 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22k옴 22k옴
2SC2229-Y(SHP1,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y(SHP1,F,M -
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ECAD 8240 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2229 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120MHz
RN1969FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1969FE(TE85L,F) -
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ECAD 8601 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1969 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 250MHz 47k옴 22k옴
2SC2881-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2881-Y(TE12L,ZC 0.4900
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ECAD 851 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 500mW PW-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1,000 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 120 @ 100mA, 5V 120MHz
TK50E06K3(S1SS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK50E06K3(S1SS-Q) -
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ECAD 5965 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 - 스루홀 TO-220-3 TK50E06 - TO-220-3 - RoHS 준수 1(무제한) TK50E06K3S1SSQ EAR99 8541.29.0095 50 - - - - - -
2SA1162-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-Y,LXHF 0.3900
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ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
2SC5086-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5086-Y,LF -
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ECAD 9674 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SC5086 100mW SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 - 12V 80mA NPN 120 @ 20mA, 10V 7GHz 1dB @ 500MHz
2SC5085-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5085-O(TE85L,F) -
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ECAD 7025 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SC5085 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 - 12V 80mA NPN 80 @ 20mA, 10V 7GHz 1dB @ 500MHz
TK5R3A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK5R3A06PL,S4X 1.3300
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ECAD 40 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK5R3A06 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 56A(티씨) 4.5V, 10V 5.3m옴 @ 28A, 10V 300μA에서 2.5V 36nC @ 10V ±20V 2380pF @ 30V - 36W(Tc)
2SC3669-Y(T2OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3669-Y(T2OMI,FM -
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ECAD 8935 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC3669 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 80V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
SSM6N7002KFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002KFU,LF 0.2500
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ECAD 703 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N7002 MOSFET(금속) 285mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 60V 300mA 1.5옴 @ 100mA, 10V 2.1V @ 250μA 0.6nC @ 4.5V 40pF @ 10V -
RN2510(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2510(TE85L,F) 0.4700
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74A, SOT-753 RN2510 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 200MHz 4.7k옴 -
TK16V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16V60W5,LVQ 3.4800
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ECAD 3143 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 4-VSFN 옆형 패드 MOSFET(금속) 4-DFN-EP(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 15.8A(타) 10V 245m옴 @ 7.9A, 10V 790μA에서 4.5V 43nC @ 10V ±30V 300V에서 1350pF - 139W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고