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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 얻다 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
RN1106CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1106CT(TPL3) -
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 ECAD 3304 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN1106 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 120 @ 10mA, 5V 4.7kΩ 47kΩ
TPH2R104PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R104PL,LQ 1.1600
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPH2R104 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 40V 100A(Tc) 4.5V, 10V 2.1m옴 @ 50A, 10V 500μA에서 2.4V 78nC @ 10V ±20V 20V에서 6230pF - 830mW(Ta), 116W(Tc)
2SK2034TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2034TE85LF -
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 ECAD 5859 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SK2034 MOSFET(금속) SC-70 - 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 100mA(타) 2.5V 12옴 @ 10mA, 2.5V - 10V 8.5pF @ 3V - 100mW(타)
HN1B01FU-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-GR,LXHF 0.3700
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B01 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN, PNP 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 120MHz, 150MHz
RN1906FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1906FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1906 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7k옴 47k옴
SSM6L36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L36FE,LM 0.4500
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 ECAD 108 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6L36 MOSFET(금속) 150mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 N 및 P 채널 20V 500mA, 330mA 630m옴 @ 200mA, 5V 1V @ 1mA 1.23nC @ 4V 46pF @ 10V 게임 레벨 레벨
RN2108CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2108CT(TPL3) -
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 ECAD 4145 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2108 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 120 @ 10mA, 5V 22kΩ 47kΩ
RN1107MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107MFV,L3XHF(CT 0.3400
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1107 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 10kΩ 47kΩ
SSM6J422TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J422TU,LXHF 0.4100
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 MOSFET(금속) UF6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 4A(타) 1.5V, 4.5V 42.7m옴 @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 12.8nC @ 4.5V +6V, -8V 10V에서 840pF - 1W(타)
GT30J121(Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT30J121(Q) 3.3300
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 GT30J121 기준 170W TO-3P(엔) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 300V, 30A, 24옴, 15V - 600V 30A 60A 2.45V @ 15V, 30A 1mJ(켜짐), 800μJ(꺼짐) 90ns/300ns
2SC4215-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4215-Y(TE85L,F) 0.4900
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SC4215 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 17dB ~ 23dB 30V 20mA NPN 100@1mA, 6V 550MHz 100MHz에서 2dB ~ 5dB
TPCA8102(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8102(TE12L,Q,M -
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 ECAD 9323 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8102 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 40A(타) 4V, 10V 6m옴 @ 20A, 10V 2V @ 1mA 109nC @ 10V ±20V 10V에서 4600pF - 1.6W(Ta), 45W(Tc)
TK20E60W5,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20E60W5,S1VX 3.5500
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 ECAD 6535 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 TK20E60 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 20A(타) 10V 175m옴 @ 10A, 10V 4.5V @ 1mA 55nC @ 10V ±30V 300V에서 1800pF - 165W(Tc)
TK11A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A50D(STA4,Q,M) 2.1600
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 ECAD 3743 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK11A50 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 500V 11A(타) 10V 600m옴 @ 5.5A, 10V 4V @ 1mA 24nC @ 10V ±30V 25V에서 1200pF - 45W(Tc)
2SA1680(T6DNSO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680(T6DNSO,F,M -
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 ECAD 5165 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1680 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 120 @ 100mA, 2V 100MHz
RN1908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1908(T5L,F,T) 0.3400
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1908 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22k옴 47k옴
SSM3K62TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K62TU,LXHF 0.4000
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 MOSFET(금속) UFM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 800mA(타) 1.2V, 4.5V 57m옴 @ 800mA, 4.5V 1V @ 1mA 2nC @ 4.5V ±8V 177pF @ 10V - 500mW(타)
SSM3K347R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K347R,LF 0.4700
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 ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3K347 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 38V 2A(타) 4V, 10V 340m옴 @ 1A, 10V 2.4V @ 1mA 2.5nC @ 10V ±20V 10V에서 86pF - 2W(타)
TK19A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK19A45D(STA4,Q,M) 3.6700
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 ECAD 2154 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK19A45 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 450V 19A(타) 10V 250m옴 @ 9.5A, 10V 4V @ 1mA 45nC @ 10V ±30V 25V에서 2600pF - 50W(Tc)
RN1503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1503(TE85L,F) 0.4500
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 컷테이프(CT) 활동적인 표면 실장 SC-74A, SOT-753 RN1503 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22k옴 22k옴
RN4908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908,LXHF(CT 0.4400
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4908 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 22k옴 47k옴
TK5R3A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK5R3A06PL,S4X 1.3300
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 ECAD 40 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK5R3A06 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 56A(티씨) 4.5V, 10V 5.3m옴 @ 28A, 10V 300μA에서 2.5V 36nC @ 10V ±20V 2380pF @ 30V - 36W(Tc)
2SC3669-Y(T2OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3669-Y(T2OMI,FM -
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 ECAD 8935 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC3669 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 80V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK3A60DA(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A60DA(Q,M) 1.2000
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK3A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 2.5A(타) 10V 2.8옴 @ 1.3A, 10V 4.4V @ 1mA 9nC @ 10V ±30V 380pF @ 25V - 30W(Tc)
HN2C01FEYTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2C01FEYTE85LF 0.1000
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 HN2C01 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 60MHz
TK10J80E,S1E Toshiba Semiconductor and Storage TK10J80E,S1E 3.0700
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 ECAD 15 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVIII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 TK10J80 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 25 N채널 800V 10A(타) 10V 1옴 @ 5A, 10V 4V @ 1mA 46nC @ 10V ±30V 2000pF @ 25V - 250W(Tc)
TPCC8104,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8104,L1Q -
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 ECAD 5190 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPCC8104 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) - 1(무제한) 264-TPCC8104L1QTR EAR99 8541.29.0095 5,000 P채널 30V 20A(타) 4.5V, 10V 8.8m옴 @ 10A, 10V 2V에서 500μA 58nC @ 10V +20V, -25V 10V에서 2260pF - 700mW(Ta), 27W(Tc)
2SC5085-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5085-O(TE85L,F) -
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 ECAD 7025 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SC5085 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 - 12V 80mA NPN 80 @ 20mA, 10V 7GHz 1dB @ 500MHz
2SC5086-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5086-Y,LF -
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 ECAD 9674 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SC5086 100mW SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 - 12V 80mA NPN 120 @ 20mA, 10V 7GHz 1dB @ 500MHz
TPCL4202(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCL4202(TE85L,F) -
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 ECAD 3500 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 4-XFLGA TPCL4202 MOSFET(금속) 500mW 4칩 LGA(1.59x1.59) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 2 N 채널(하프 다리) - - - 200μA에서 1.2V - 780pF @ 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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