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트랜지스터 (2488)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
2SK2962(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962 (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 1303 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SK2962 TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 1A (TJ)
HN2C01FU-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN2C01FU-Y (TE85L, f 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN2C01 200MW US6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 250mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 80MHz
TPC8109(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8109 (TE12L) -
RFQ
 ECAD 2232 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8109 MOSFET (금속 (() 8-SOP (5.5x6.0) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 10A (TA) 20mohm @ 5a, 10V 2V @ 1mA 45 NC @ 10 v 2260 pf @ 10 v -
TK6R7P06PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Tk6r7p06pl, Rq 0.9600
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Tk6r7p06 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 46A (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 23a, 10V 2.5V @ 300µA 26 NC @ 10 v ± 20V 1990 pf @ 30 v - 66W (TC)
SSM3J36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J36TU, LF 0.3800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 SSM3J36 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 330ma (TA) 1.5V, 4.5V 1.31ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 1mA 1.2 NC @ 4 v ± 8V 43 pf @ 10 v - 800MW (TA)
2SC4604,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4604, T6F (J. -
RFQ
 ECAD 8219 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC4604 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 3 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 75ma, 1.5a 120 @ 100MA, 2V 100MHz
SSM3J16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage ssm3j16ct (tpl3) -
RFQ
 ECAD 2106 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 SSM3J16 MOSFET (금속 (() CST3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 100MA (TA) 1.5V, 4V 8ohm @ 10ma, 4v 1.1V @ 100µa ± 10V 11 pf @ 3 v - 100MW (TA)
2SA1020-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y, F (J. -
RFQ
 ECAD 8744 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1020 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
RN2414(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2414 (TE85L, F) 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2414 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 200MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
2SB1457,T6YMEF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457, t6ymef (m -
RFQ
 ECAD 5204 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SB1457 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 100 v 2 a 10µA (ICBO) PNP 1.5v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 2v 50MHz
TPCP8901(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8901 (TE85L, F, M. -
RFQ
 ECAD 7302 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 TPCP8901 1.48W PS-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) TPCP8901 (TE85LFM 귀 99 8541.29.0075 3,000 50V 1A, 800MA 100NA (ICBO) NPN, PNP 170mv @ 6ma, 300ma / 200mv @ 10ma, 300ma 400 @ 100MA, 2V / 200 @ 100MA, 2V -
RN4989,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4989, LXHF (Ct 0.4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4989 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz, 200MHz 47kohms 22kohms
TK16G60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16G60W, RVQ 6.0900
RFQ
 ECAD 6936 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB TK16G60 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 15.8A (TA) 10V 190mohm @ 7.9a, 10V 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1350 pf @ 300 v - 130W (TC)
TK7P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK7P50D (T6RSS-Q) 1.4300
RFQ
 ECAD 9717 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Tk7p50 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 7A (TA) 10V 1.22ohm @ 3.5a, 10V 4.4V @ 1mA 12 nc @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 100W (TC)
RN1602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1602 (TE85L, F) 0.3800
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 RN1602 300MW sm6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
2SA1832-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-GR, LF 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 2SA1832 100MW SSM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 200 @ 2ma, 6v 80MHz
RN1114(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1114 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 5709 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN1114 100MW SSM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
2SC2859-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2859-GR (TE85L, f -
RFQ
 ECAD 5513 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2859 150 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 200 @ 100ma, 1v 300MHz
RN1103MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV (TPL3) 0.0433
RFQ
 ECAD 6128 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN1103 150 MW VESM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 22 KOHMS 22 KOHMS
RN1102,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102, LF (Ct 0.2000
RFQ
 ECAD 1398 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN1102 100MW SSM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
RN1315,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1315, LF 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN1315 100MW SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
2SB906-Y(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage 2SB906-Y (TE16L1, NQ 1.2100
RFQ
 ECAD 5609 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SB906 1 W. PW-Mold 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 60 v 3 a 100µA (ICBO) PNP 1.7v @ 300ma, 3a 100 @ 500ma, 5V 9MHz
TK50E06K3A,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK50E06K3A, S1X (s -
RFQ
 ECAD 5024 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u- 모시브 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 Tk50e06 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 50A (TC) 8.5mohm @ 25a, 10V - 54 NC @ 10 v - -
SSM3K36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K36FS, LF 0.2900
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 SSM3K36 MOSFET (금속 (() SSM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 500MA (TA) 1.5V, 5V 630mohm @ 200ma, 5V 1V @ 1mA 1.23 NC @ 4 v ± 10V 46 pf @ 10 v - 150MW (TA)
HN4B01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4B01JE (TE85L, F) 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-553 HN4B01 100MW ESV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 150ma 100NA (ICBO) NPN, PNP (이미 터 결합 결합) 250mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 80MHz
TJ10S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ10S04M3L (T6L1, NQ 1.3300
RFQ
 ECAD 8845 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TJ10S04 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 10A (TA) 6V, 10V 44mohm @ 5a, 10V 3V @ 1mA 19 NC @ 10 v +10V, -20V 930 pf @ 10 v - 27W (TC)
TK35N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W, S1F 7.8600
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 TK35N65 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 35A (TA) 10V 80mohm @ 17.5a, 10V 3.5v @ 2.1ma 100 nc @ 10 v ± 30V 4100 pf @ 300 v - 270W (TC)
2SA1588-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1588-Y, LF 0.2300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SA1588 100MW SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 10ma, 100ma 120 @ 100MA, 1V 200MHz
RN4988(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4988 (TE85L, F) 0.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4988 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz, 200MHz 22kohms 47kohms
RN2510(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2510 (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74A, SOT-753 RN2510 300MW SMV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (이중 이중) (이미 터 커플 링) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 4.7kohms -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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