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트랜지스터 (2488)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 전류 전류 (ID) - 최대
TK1K7A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K7A60F, S4X 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK1K7A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 4A (TA) 10V 1.7ohm @ 2a, 10V 4V @ 460µA 16 nc @ 10 v ± 30V 560 pf @ 300 v - 35W (TC)
RN1111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn1111ct (tpl3) -
RFQ
 ECAD 5359 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN1111 50 MW CST3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 150mv @ 250µa, 5mA 300 @ 1ma, 5V 10 KOHMS
RN2709JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2709JE (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-553 RN2709 100MW ESV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (이중 이중) (이미 터 커플 링) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 200MHz 47kohms 22kohms
TDTA114E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA114E, LM 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTA114 320 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS
2SA1837,HFEYHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, HFEYHF (m -
RFQ
 ECAD 6958 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SA1837 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µA (ICBO) PNP 1.5V @ 50MA, 500MA 100 @ 100ma, 5V 70MHz
RN1910FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 8332 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN1910 100MW ES6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7kohms -
SSM3K36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K36TU, LF 0.3600
RFQ
 ECAD 2021 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 SSM3K36 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 500MA (TA) 1.5V, 5V 630mohm @ 200ma, 5V 1V @ 1mA 1.23 NC @ 4 v ± 10V 46 pf @ 10 v - 800MW (TA)
2SK2376(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2376 (Q) -
RFQ
 ECAD 4520 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3,-탭 2SK2376 MOSFET (금속 (() TO-220FL 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 45A (TA) 4V, 10V 17mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 110 NC @ 10 v ± 20V 3350 pf @ 10 v - 100W (TC)
RN2908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2908FE (TE85L, F) 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN2908 100MW ES6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 22kohms 47kohms
TPCA8021-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8021-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 9896 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPCA8021 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 27A (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 14a, 10V 2.3v @ 1ma 23 nc @ 10 v ± 20V 1395 pf @ 10 v - 1.6W (TA), 45W (TC)
2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-Y (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK209 150 MW SC-59 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 13pf @ 10V 50 v 14 ma @ 10 v 1.5 V @ 100 NA 14 MA
RN4985,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985, LF (Ct 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4985 200MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100µA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz, 200MHz 2.2kohms 47kohms
TK10E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK10E60W, S1VX 3.0600
RFQ
 ECAD 3786 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 tk10e60 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 9.7A (TA) 10V 380mohm @ 4.9a, 10V 3.7V @ 500µA 20 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 300 v - 100W (TC)
2SA1943-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943-O (Q) 2.9800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 쟁반 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-3pl 2SA1943 150 W. TO-3P (L) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0075 100 230 v 15 a 5µA (ICBO) PNP 3V @ 800ma, 8a 80 @ 1a, 5V 30MHz
RN1303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1303 (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 4362 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN1303 100MW SC-70 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
HN1A01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE-GR, LF 0.3300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 HN1A01 100MW ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 PNP (() 300mv @ 10ma, 100ma 200 @ 2ma, 6v 80MHz
SSM3J338R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J338R, LF 0.3700
RFQ
 ECAD 121 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSVII 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 SSM3J338 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 6A (TA) 1.8V, 8V 17.6MOHM @ 6A, 8V 1V @ 1mA 19.5 nc @ 4.5 v ± 10V 1400 pf @ 6 v - 1W (TA)
RN1316,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1316, LF 0.2100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN1316 100MW SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
RN2101MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101MFV, L3XHF (CT 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN2101 150 MW VESM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S04M3L (T6L1, NQ 1.4000
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TJ60S04 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 60A (TA) 6V, 10V 6.3MOHM @ 30A, 10V 3V @ 1mA 125 nc @ 10 v +10V, -20V 6510 pf @ 10 v - 90W (TC)
RN2105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2105MFV, L3F (Ct 0.1800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN2105 150 MW VESM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
TJ200F04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ200F04M3L, LXHQ 3.1700
RFQ
 ECAD 3367 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB TJ200F04 MOSFET (금속 (() TO-220SM (W) 다운로드 3 (168 시간) 귀 99 8541.21.0095 1,000 p 채널 40 v 200a (TA) 6V, 10V 1.8mohm @ 100a, 10V 3V @ 1mA 460 nc @ 10 v +10V, -20V 1280 pf @ 10 v - 375W (TC)
TPN22006NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN22006NH, LQ 0.9600
RFQ
 ECAD 3455 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPN22006 MOSFET (금속 (() 8 3 3. (3.3x3.3) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 9A (TA) 6.5V, 10V 22mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 100µa 12 nc @ 10 v ± 20V 710 pf @ 30 v - 700MW (TA), 18W (TC)
TK065U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK065U65Z, RQ 6.3200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 8-Powersfn MOSFET (금속 (() 희생 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 650 v 38A (TA) 10V 65mohm @ 19a, 10V 4V @ 1.69ma 62 NC @ 10 v ± 30V 3650 pf @ 300 v - 270W (TC)
RN1108ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1108ACT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 7969 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN1108 100MW CST3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 MA 500NA npn-사전- 150mv @ 250µa, 5mA 80 @ 10ma, 5V 22 KOHMS 47 Kohms
2SC5714(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5714 (TE12L, ZF) -
RFQ
 ECAD 5601 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 상자 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. PW- 미니 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 20 v 4 a 100NA (ICBO) NPN 150mv @ 32ma, 1.6a 400 @ 500ma, 2V -
3SK292(TE85R,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK292 (TE85R, F) -
RFQ
 ECAD 9325 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 12.5 v 표면 표면 SC-61AA 3SK292 500MHz MOSFET SMQ - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 게이트 게이트 듀얼 30ma 10 MA - 26db 1.4dB 6 v
2SK3403(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3403 (Q) -
RFQ
 ECAD 1637 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3,-탭 2SK3403 MOSFET (금속 (() TO-220FL 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 450 v 13A (TA) 10V 400mohm @ 6a, 10V 5V @ 1MA 34 NC @ 10 v ± 30V 1600 pf @ 25 v - 100W (TC)
RN2103MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2103MFV, L3F -
RFQ
 ECAD 1968 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN2103 150 MW VESM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) RN2103MFVL3F 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 22 KOHMS 22 KOHMS
2SC2235-Y(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y (T6FJT, AF -
RFQ
 ECAD 6044 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2235 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 80 @ 100MA, 5V 120MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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