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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
TJ80S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L, LXHQ 1.6500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TJ80S04 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 80A (TA) 6V, 10V 5.2MOHM @ 40A, 10V 3V @ 1mA 158 NC @ 10 v +10V, -20V 7770 pf @ 10 v - 100W (TC)
TK58A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK58A06N1, S4X 1.3300
RFQ
ECAD 46 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK58A06 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 58A (TC) 10V 5.4mohm @ 29a, 10V 4V @ 500µA 46 NC @ 10 v ± 20V 3400 pf @ 30 v - 35W (TC)
TK8A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk8a50d (sta4, q, m) 1.6800
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 tk8a50 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 8A (TA) 10V 850mohm @ 4a, 10V 4V @ 1MA 16 nc @ 10 v ± 30V 800 pf @ 25 v - 40W (TC)
TK16A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK16A55D (STA4, Q, M) -
RFQ
ECAD 3760 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK16A55 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 550 v 16A (TA) 330mohm @ 8a, 10V 4V @ 1MA 45 NC @ 10 v 2600 pf @ 25 v - -
HN1C01FU-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-GR, LXHF 0.4100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C01 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 250mv @ 10ma, 100ma 200 @ 2ma, 6v 80MHz
TPC8227-H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPC8227-H, LQ -
RFQ
ECAD 5995 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u-mosvi-h 대부분 활동적인 150 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TPC8227 MOSFET (금속 (() 1.5W (TA) 8-SOP 다운로드 264-TPC8227-HLQ 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 40V 5.1A 33mohm @ 2.6a, 10V 2.3v @ 100µa 10nc @ 10v 640pf @ 10V -
RN1109(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1109 (T5L, F, T) -
RFQ
ECAD 2234 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN1109 100MW SSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz 47 Kohms 22 KOHMS
TK10J80E,S1E Toshiba Semiconductor and Storage tk10j80e, s1e 3.0700
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosviii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 tk10j80 MOSFET (금속 (() TO-3P (N) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 800 v 10A (TA) 10V 1ohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 46 NC @ 10 v ± 30V 2000 pf @ 25 v - 250W (TC)
TK12A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A55D (STA4, Q, M) 2.8400
RFQ
ECAD 5060 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK12A55 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 550 v 12A (TA) 10V 570mohm @ 6a, 10V 4V @ 1MA 28 nc @ 10 v ± 30V 1550 pf @ 25 v - 45W (TC)
2SC2229-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y (TE6, F, M) -
RFQ
ECAD 2366 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2229 800MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 150 v 50 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1ma, 10ma 70 @ 10ma, 5V 120MHz
2SK2507(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2507 (F) -
RFQ
ECAD 5339 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SK2507 MOSFET (금속 (() TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 50 v 25A (TA) 4V, 10V 46mohm @ 12a, 10V 2V @ 1mA 25 nc @ 10 v ± 20V 900 pf @ 10 v - 30W (TC)
RN2108CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2108CT (TPL3) -
RFQ
ECAD 4145 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN2108 50 MW CST3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 MA 500NA pnp- 사전- 150mv @ 250µa, 5mA 120 @ 10ma, 5V 22 KOHMS 47 Kohms
SSM3J374R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J374R, LF 0.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 SSM3J374 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4A (TA) 4V, 10V 71mohm @ 3a, 10V 2V @ 100µa 5.9 NC @ 10 v +10V, -20V 280 pf @ 15 v - 1W (TA)
RN4911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4911 (T5L, F, T) -
RFQ
ECAD 9993 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4911 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 10kohms -
RN4988(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4988 (TE85L, F) 0.3400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4988 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz, 200MHz 22kohms 47kohms
SSM6J214FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage ssm6j214fe (te85l, f 0.3900
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SSM6J214 MOSFET (금속 (() ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 p 채널 30 v 3.6A (TA) 1.8V, 10V 50mohm @ 3a, 10V 1.2v @ 1ma 7.9 NC @ 4.5 v ± 12V 560 pf @ 15 v - 500MW (TA)
2SC4117-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4117-GR, LF 0.2300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SC4117 100MW SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 120 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 1ma, 10ma 200 @ 2ma, 6v 100MHz
RN2702TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2702TE85LF -
RFQ
ECAD 6945 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2702 200MW 5-SSOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (이중 이중) (이미 터 커플 링) 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
2SC5084-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5084-O (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 3160 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC5084 150MW S- 미니 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 11db 12V 80ma NPN 80 @ 20ma, 10V 7GHz 1.1db @ 1ghz
SSM3K15AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15AFU, LF 0.2300
RFQ
ECAD 102 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SSM3K15 MOSFET (금속 (() USM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 100MA (TA) 2.5V, 4V 3.6ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100µa ± 20V 13.5 pf @ 3 v - 150MW (TA)
TBC847B,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBC847B, LM 0.1600
RFQ
ECAD 54 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TBC847 320 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 30NA (ICBO) NPN 400mv @ 100ma, 5ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
RN1107MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107MFV, L3XHF (CT 0.3400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN1107 150 MW VESM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 10 KOHMS 47 Kohms
TTB1067B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTB1067B, Q (s -
RFQ
ECAD 8529 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 활동적인 TTB1067 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 250
SSM3K16CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16CTC, L3F 0.3200
RFQ
ECAD 4158 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SC-101, SOT-883 SSM3K16 MOSFET (금속 (() CST3C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 200MA (TA) 1.5V, 4.5V 2.2ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 1mA ± 10V 12 pf @ 10 v - 500MW (TA)
2SA1837,HFEYHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, HFEYHF (m -
RFQ
ECAD 6958 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SA1837 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µA (ICBO) PNP 1.5V @ 50MA, 500MA 100 @ 100ma, 5V 70MHz
RN1709,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1709, LF 0.3100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1709 200MW USV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz 47kohms 22kohms
RN1406S,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage RN1406S, LF (d -
RFQ
ECAD 5653 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1406 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) RN1406SLF (d 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
SSM6J801R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J801R, LF 0.4300
RFQ
ECAD 124 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6J801 MOSFET (금속 (() 6TSOP-F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6A (TA) 1.5V, 4.5V 32.5mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 1mA 12.8 nc @ 4.5 v +6V, -8V 840 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
RN2969FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2969FE (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 9454 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN2969 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 200MHz 47kohms 22kohms
TPC8109(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8109 (TE12L) -
RFQ
ECAD 2232 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8109 MOSFET (금속 (() 8-SOP (5.5x6.0) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 10A (TA) 20mohm @ 5a, 10V 2V @ 1mA 45 NC @ 10 v 2260 pf @ 10 v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고