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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
2SC3669-Y,T2PASF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3669-Y,T2PASF(M -
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 ECAD 5810 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC3669 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 80V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN4983,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983,LXHF(CT 0.4400
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4983 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 22kΩ 22kΩ
TK12A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50W,S5X 2.1100
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 500V 11.5A(타) 10V 300m옴 @ 5.8A, 10V 600μA에서 3.7V 25nC @ 10V ±30V 300V에서 890pF - 35W(Tc)
2SD2406-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2406-Y(F) -
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 ECAD 9090 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SD2406 25W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 80V 4A 30μA(ICBO) NPN 1.5V @ 300mA, 3A 120 @ 500mA, 5V 8MHz
RN2713JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2713JE(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN2713 100mW ESV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 47k옴 -
TK39N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60X,S1F 7.2100
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 ECAD 2761 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 TK39N60 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 38.8A(타) 10V 65m옴 @ 12.5A, 10V 3.5V @ 1.9mA 85nC @ 10V ±30V 300V에서 4100pF - 270W(Tc)
RN2311(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2311(TE85L,F) 0.2700
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2311 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 10kΩ
RN2409,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2409,LF 0.1900
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 ECAD 9037 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2409 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 22kΩ
SSM6K202FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K202FE,LF 0.4600
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 ECAD 15 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6K202 MOSFET(금속) ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 N채널 30V 2.3A(타) 1.8V, 4V 85m옴 @ 1.5A, 4V 1V @ 1mA ±12V 10V에서 270pF - 500mW(타)
RN4989(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4989(TE85L,F) 0.3400
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4989 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 47k옴 22kΩ
RN2309,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2309,LF 0.1800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2309 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 22kΩ
GT40RR21(STA1,E Toshiba Semiconductor and Storage GT40RR21(STA1,E 3.6500
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 ECAD 1369 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 GT40RR21 기준 230W TO-3P(엔) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 25 280V, 40A, 10옴, 20V 600ns - 1200V 40A 200A 2.8V @ 15V, 40A -, 540μJ(꺼짐) -
RN2404TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2404TE85LF -
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 ECAD 6084 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2404 200mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 47kΩ
2SC2655-Y,T6APNF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y,T6APNF(M -
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 ECAD 3058 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2655 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1101MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV,L3F 0.0261
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 ECAD 9895 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 SOT-723 RN1101 150mW 베스엠 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 4.7kΩ 4.7kΩ
2SC2655-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y(TE6,F,M) -
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 ECAD 1528 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2655 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN2107MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2107MFV,L3F(CT 0.1800
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 ECAD 16 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2107 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 10kΩ 47kΩ
SSM3J353F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J353F,LF 0.4900
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J353 MOSFET(금속) S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 30V 2A(타) 4V, 10V 150m옴 @ 2A, 10V 2.2V @ 250μA 3.4nC @ 4.5V +20V, -25V 15V에서 159pF - 600mW(타)
SSM6J502NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J502NU,LF 0.4800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6J502 MOSFET(금속) 6-UDFNB(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 6A(타) 1.5V, 4.5V 23.1m옴 @ 4A, 4.5V 1V @ 1mA 24.8nC @ 4.5V ±8V 10V에서 1800pF - 1W(타)
TK14E65W5,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK14E65W5,S1X 3.0200
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 ECAD 15 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK14E65 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 13.7A(타) 10V 300m옴 @ 6.9A, 10V 690μA에서 4.5V 40nC @ 10V ±30V 300V에서 1300pF - 130W(Tc)
RN2961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2961FE(TE85L,F) -
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 ECAD 9441 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2961 100mW ES6 - 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7k옴 4.7k옴
SSM6N48FU,RF(D Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU,RF(D -
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 ECAD 1977년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N48 MOSFET(금속) 300mW US6 다운로드 1(무제한) SSM6N48FURF(D EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 30V 100mA(타) 3.2옴 @ 10mA, 4V 1.5V @ 100μA - 15.1pF @ 3V 레벨 레벨 컨트롤러, 2.5V 드라이브
2SK2989,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989,F(J -
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 ECAD 9148 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SK2989 TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 5A(티제이)
SSM6N7002BFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU,LF -
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 ECAD 3756 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N7002 MOSFET(금속) 300mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 60V 200mA 2.1옴 @ 500mA, 10V 250μA에서 3.1V - 17pF @ 25V 게임 레벨 레벨
RN2702,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2702,LF 0.3000
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 ECAD 7882 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2702 200mW USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10k옴 10k옴
SSM6K824R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K824R,LF 0.5100
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 ECAD 2947 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6K824 MOSFET(금속) 6-TSOP-F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 20V 6A(타) 1.5V, 4.5V 33m옴 @ 4A, 4.5V 1V @ 1mA 3.6nC @ 4.5V ±8V 10V에서 410pF - 1.5W(타)
RN1103MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV,L3XHF(CT 0.3400
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1103 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 22kΩ 22kΩ
RN2109MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2109MFV,L3F 0.1800
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 ECAD 7200 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2109 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 47kΩ 22kΩ
2SK2989,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989,T6F(J -
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 ECAD 7347 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SK2989 TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 5A(티제이)
TK15A60U(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK15A60U(STA4,Q,M) -
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 ECAD 1261 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSII 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK15A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 15A(타) 10V 300m옴 @ 7.5A, 10V 5V @ 1mA 17nC @ 10V ±30V 10V에서 950pF - 40W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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