SIC
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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 내구성 인증(암페어) 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RN2702TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2702TE85LF -
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 ECAD 6945 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2702 200mW 5-SSOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10k옴 10k옴
SSM3K361TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361TU,LF 0.4700
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 SSM3K361 MOSFET(금속) UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 100V 3.5A(타) 4.5V, 10V 69m옴 @ 2A, 10V 100μA에서 2.5V 3.2nC @ 4.5V ±20V 15V에서 430pF - 1W(타)
RN1905,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1905,LF -
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 ECAD 6546 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1905 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2k옴 47k옴
2SK1119(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK1119(F) -
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 ECAD 6890 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2SK1119 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 1000V 4A(타) 10V 3.8옴 @ 2A, 10V 3.5V @ 1mA 60nC @ 10V ±20V 25V에서 700pF - 100W(Tc)
RN1310,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1310,LXHF 0.3900
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1310 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz 4.7kΩ
SSM3K7002BSU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002BSU,LF -
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 ECAD 7505 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 SSM3K7002 MOSFET(금속) USM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 200mA(타) 4.5V, 10V 2.1옴 @ 500mA, 10V 250μA에서 3.1V ±20V 25V에서 17pF - 150mW(타)
2SC4116-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-Y,LXHF 0.3300
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
SSM3K62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K62TU,LF 0.4100
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 SSM3K62 MOSFET(금속) UFM - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 20V 800mA(타) 1.2V, 4.5V 57m옴 @ 800mA, 4.5V 1V @ 1mA 2nC @ 4.5V ±8V 177pF @ 10V - 1W(타)
2SA2195,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2195,LF 0.5300
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 2SA2195 500mW UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 1.7A 100nA(ICBO) PNP 200mV @ 33mA, 1A 200 @ 300mA, 2V -
TK40A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK40A10N1,S4X 1.8500
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 ECAD 100 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK40A10 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 40A(Tc) 10V 8.2m옴 @ 20A, 10V 4V에서 500μA 49nC @ 10V ±20V 50V에서 3000pF - 35W(Tc)
SSM3J377R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J377R,LXHF 0.4700
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 3.9A(타) 1.5V, 4.5V 93m옴 @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1mA 4.6nC @ 4.5V +6V, -8V 10V에서 290pF - 1W(타)
SSM3K339R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K339R,LF 0.4500
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 ECAD 42 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3K339 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 40V 2A(타) 1.8V, 8V 185m옴 @ 1A, 8V 1.2V @ 1mA 1.1nC @ 4.2V ±12V 10V에서 130pF - 1W(타)
TK1K7A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K7A60F,S4X 0.9000
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK1K7A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 4A(타) 10V 1.7옴 @ 2A, 10V 4V @ 460μA 16nC @ 10V ±30V 300V에서 560pF - 35W(Tc)
SSM6P36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P36TU,LF 0.3800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6P36 MOSFET(금속) 500mW(타) UF6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 20V 330mA(타) 1.31옴 @ 100mA, 4.5V 1V @ 1mA 1.2nC @ 4V 43pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.5V 드라이브
TPC8066-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8066-H,LQ(S -
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 ECAD 9428 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) TPC8066 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 11A(타) 4.5V, 10V 16m옴 @ 5.5A, 10V 100μA에서 2.3V 15nC @ 10V ±20V 1100pF @ 10V - 1W(타)
SSM3K35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35MFV,L3F -
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 ECAD 6004 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-723 SSM3K35 MOSFET(금속) 베스엠 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) SSM3K35MFVL3F EAR99 8541.21.0095 8,000 N채널 20V 180mA(타) 1.2V, 4V 3옴 @ 50mA, 4V 1V @ 1mA ±10V 9.5pF @ 3V - 150mW(타)
TK13A65U(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A65U(STA4,Q,M) -
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 ECAD 1833년 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSII 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK13A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 500 N채널 650V 13A(타) 10V 380m옴 @ 6.5A, 10V 5V @ 1mA 17nC @ 10V ±30V 10V에서 950pF - 40W(Tc)
2SA1020-Y(6MBH1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y(6MBH1,AF -
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 ECAD 3365 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1020 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
SSM3J352F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J352F,LF 0.4900
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J352 MOSFET(금속) S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 2A(타) 1.8V, 10V 110m옴 @ 2A, 10V 1.2V @ 1mA 5.1nC @ 4.5V ±12V 10V에서 210pF - 1.2W(타)
2SC2229-Y(T6MITIFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y(T6MITIFM -
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 ECAD 7080 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2229 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) 2SC2229YT6MITIFM EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120MHz
2SA1943N(S1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1943N(S1,E,S) 2.4400
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 2SA1943 150W TO-3P(엔) 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 2SA1943N(S1ES) EAR99 8541.29.0075 25 230V 15A 5μA(ICBO) PNP 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1A, 5V 30MHz
2SA949-Y,ONK-1F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y,ONK-1F(M -
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 ECAD 6594 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA949 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) PNP 800mV @ 1mA, 10A 70 @ 10mA, 5V 120MHz
2SA1312-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1312-BL(TE85L,F 0.3300
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 ECAD 33 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1312 150mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 1mA, 10mA 350 @ 2mA, 6V 100MHz
2SC5714(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5714(TE12L,ZF) -
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 ECAD 5601 0.00000000 도시바 및 저장 - 상자 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 1W PW-미니 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 20V 4A 100nA(ICBO) NPN 150mV @ 32mA, 1.6A 400 @ 500mA, 2V -
RN1911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911,LF(CT 0.2800
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 ECAD 8828 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1911 100mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz 10k옴 -
SSM6N813R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N813R,LF 0.5500
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6N813 MOSFET(금속) 1.5W(타) 6-TSOP-F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 100V 3.5A(타) 112m옴 @ 3.5A, 10V 100μA에서 2.5V 3.6nC @ 4.5V 242pF @ 15V -
TPH5900CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5900CNH,L1Q 1.0100
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 ECAD 3577 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH5900 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 150V 9A(타) 10V 59m옴 @ 4.5A, 10V 4V @ 200μA 7nC @ 10V ±20V 75V에서 600pF - 1.6W(Ta), 42W(Tc)
3SK293(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK293(TE85L,F) 0.5200
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 12.5V 표면 실장 SC-82A, SOT-343 3SK293 800MHz MOSFET USQ 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 듀얼 모듈 30mA 10mA - 22dB 2.5dB 6V
TK15S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK15S04N1L,LQ 1.6400
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 ECAD 4104 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK15S04 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 15A(타) 4.5V, 10V 17.8m옴 @ 7.5A, 10V 100μA에서 2.5V 10nC @ 10V ±20V 10V에서 610pF - 46W(Tc)
TPC8407,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8407,LQ(S -
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 ECAD 5590 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) TPC8407 MOSFET(금속) 450mW 8-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 9A, 7.4A 17m옴 @ 4.5A, 10V 100μA에서 2.3V 17nC @ 10V 1190pF @ 10V 게임 레벨 레벨
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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