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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 출력(V(BR)GSS) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f) 소스 소스(Id) - 최대
RN2503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2503(TE85L,F) 0.4800
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74A, SOT-753 RN2503 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22k옴 22k옴
SSM3K344R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K344R,LF 0.4400
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ECAD 32 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3K344 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 20V 3A(타) 1.5V, 4.5V 71m옴 @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 2nC @ 4V ±8V 153pF @ 10V - 1W(타)
SSM3J16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J16CT(TPL3) -
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ECAD 2106 0.00000000 도시바 및 저장 π-모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 SSM3J16 MOSFET(금속) CST3 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 P채널 20V 100mA(타) 1.5V, 4V 8옴 @ 10mA, 4V 1.1V @ 100μA ±10V 11pF @ 3V - 100mW(타)
TK16V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16V60W,LVQ 1.5822
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ECAD 7838 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 4-VSFN 옆형 패드 TK16V60 MOSFET(금속) 4-DFN-EP(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 15.8A(타) 10V 190m옴 @ 7.9A, 10V 790μA에서 3.7V 38nC @ 10V ±30V 300V에서 1350pF - 139W(Tc)
RN1402,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1402,LXHF 0.3400
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ECAD 47 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1402 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
SSM3K36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K36TU,LF 0.3600
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ECAD 2021 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 SSM3K36 MOSFET(금속) UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 500mA(타) 1.5V, 5V 630m옴 @ 200mA, 5V 1V @ 1mA 1.23nC @ 4V ±10V 10V에서 46pF - 800mW(타)
RN1510(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1510(TE85L,F) 0.4500
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ECAD 142 0.00000000 도시바 및 저장 - 컷테이프(CT) 활동적인 표면 실장 SC-74A, SOT-753 RN1510 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz 4.7k옴 -
TK50E06K3A,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK50E06K3A,S1X(S -
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ECAD 5024 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 - 스루홀 TO-220-3 TK50E06 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 50A(Tc) 8.5m옴 @ 25A, 10V - 54nC @ 10V - -
2SB1457(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457(T6CANO,F,M -
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ECAD 2882 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SB1457 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 100V 2A 10μA(ICBO) PNP 1.5V @ 1mA, 1A 2000 @ 1A, 2V 50MHz
TK8S06K3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TK8S06K3L(T6L1,NQ) 1.2600
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ECAD 4739 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK8S06 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 60V 8A(타) 6V, 10V 54m옴 @ 4A, 10V 3V @ 1mA 10nC @ 10V ±20V 10V에서 400pF - 25W(Tc)
RN1106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106,LXHF(CT 0.3300
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1106 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 47kΩ
2SA2154MFV-GR(TPL3 Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFV-GR(TPL3 -
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ECAD 6607 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 2SA2154 150mW 베스엠 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
SSM4K27CTTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage SSM4K27CTTPL3 -
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ECAD 8402 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 4-SMD, 무연 SSM4K27 MOSFET(금속) CST4(1.2x0.8) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 20V 500mA(타) 1.8V, 4V 205m옴 @ 250mA, 4V 1.1V @ 1mA ±12V 174pF @ 10V - 400mW(타)
2SC5086-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5086-O,LF -
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ECAD 4240 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SC5086 100mW SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 - 12V 80mA NPN 80 @ 20mA, 10V 7GHz 1dB @ 500MHz
2SK3566(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3566(STA4,Q,M) 1.6700
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ECAD 955 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SK3566 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 900V 2.5A(타) 10V 6.4옴 @ 1.5A, 10V 4V @ 1mA 12nC @ 10V ±30V 470pF @ 25V - 40W(Tc)
RN1906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1906,LF -
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ECAD 4453 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1906 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7k옴 47k옴
TJ20A10M3(STA4,Q Toshiba Semiconductor and Storage TJ20A10M3(STA4,Q -
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ECAD 6373 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TJ20A10 MOSFET(금속) TO-220SIS - 264-TJ20A10M3(STA4Q EAR99 8541.29.0095 50 P채널 100V 20A(타) 10V 90m옴 @ 10A, 10V 4V @ 1mA 120nC @ 10V ±20V 10V에서 5500pF - 35W(Tc)
2SC3668-Y,F2PANF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3668-Y,F2PANF(J -
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ECAD 1899년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC3668 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SA1931,NIKKIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931,니키크(J -
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ECAD 1734년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1931 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 50V 5A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 200mA, 2A 100 @ 1A, 1V 60MHz
TTA0002(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTA0002(Q) 3.4100
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ECAD 7945 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3PL TTA0002 180W TO-3P(L) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TTA0002Q EAR99 8541.29.0075 100 160V 18A 1μA(ICBO) PNP 2V @ 900mA, 9A 80 @ 1A, 5V 30MHz
HN1A01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE-Y,LF 0.3300
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ECAD 1298 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 HN1A01 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 PNP(이중) 300mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
2SB1258 Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1258 -
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ECAD 2065년 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 활동적인 2SB1258 - RoHS 준수 1(무제한) 2SB1258TS 0000.00.0000 50
RN2305,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2305,LF 0.1800
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2305 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2kΩ 47kΩ
TK8A60DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A60DA(STA4,Q,M) -
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ECAD 1362 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK8A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 7.5A(타) 10V 1옴 @ 4A, 10V 4V @ 1mA 20nC @ 10V ±30V 25V에서 1050pF - 45W(Tc)
RN1605TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1605TE85LF 0.3500
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ECAD 79 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN1605 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2k옴 47k옴
2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-GR(TE85L,F) 0.4900
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100mW SC-59 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 8.2pF @ 10V 50V 10V에서 2.6mA 400mV @ 100nA 6.5mA
TK3A65DA(STA4,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65DA(STA4,QM) 1.5200
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ECAD 4118 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK3A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 2.5A(타) 10V 2.51옴 @ 1.3A, 10V 4.4V @ 1mA 11nC @ 10V ±30V 490pF @ 25V - 35W(Tc)
TPN7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN7R006PL,L1Q 0.9100
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPN7R006 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 54A(티씨) 4.5V, 10V 7m옴 @ 27A, 10V 2.5V @ 200μA 20nC @ 10V ±20V 30V에서 1875pF - 630mW(Ta), 75W(Tc)
2SA1887(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1887(F) -
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ECAD 2770 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1887 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 50 50V 10A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 250mA, 5A 120 @ 1A, 1V 45MHz
RN2711,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2711,LF 0.3000
보상요청
ECAD 100 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2711 200mW USV 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 200MHz 10kΩ -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고