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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
TK5A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A65D(STA4,Q,M) 1.6200
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ECAD 1402 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK5A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) TK5A65D(STA4QM) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 5A(타) 10V 1.43옴 @ 2.5A, 10V 4V @ 1mA 16nC @ 10V ±30V 25V에서 800pF - 40W(Tc)
TDTC114E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC114E,LM 0.1800
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ECAD 5134 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTC114 320mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
SSM3K337R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K337R,LF 0.4600
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ECAD 8818 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3K337 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 38V 2A(타) 4V, 10V 150m옴 @ 2A, 10V 1.7V @ 1mA 3nC @ 10V ±20V 120pF @ 10V - 1W(타)
2SK3403(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3403(Q) -
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ECAD 1637년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3, 단기 탭 2SK3403 MOSFET(금속) TO-220FL 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 450V 13A(타) 10V 400m옴 @ 6A, 10V 5V @ 1mA 34nC @ 10V ±30V 25V에서 1600pF - 100W(Tc)
RN1314(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1314(TE85L,F) 0.0474
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ECAD 7121 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1314 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 50 @ 10mA, 5V 250MHz 1kΩ 10kΩ
TK15S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK15S04N1L,LQ 1.6400
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ECAD 4104 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK15S04 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 15A(타) 4.5V, 10V 17.8m옴 @ 7.5A, 10V 100μA에서 2.5V 10nC @ 10V ±20V 10V에서 610pF - 46W(Tc)
2SA949-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y(TE6,F,M) -
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ECAD 6398 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA949 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) PNP 800mV @ 1mA, 10A 70 @ 10mA, 5V 120MHz
RN1112MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1112MFV,L3F 0.1800
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ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1112 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 22kΩ
TK8S06K3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TK8S06K3L(T6L1,NQ) 1.2600
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ECAD 4739 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK8S06 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 60V 8A(타) 6V, 10V 54m옴 @ 4A, 10V 3V @ 1mA 10nC @ 10V ±20V 10V에서 400pF - 25W(Tc)
RN1106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106,LXHF(CT 0.3300
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1106 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 47kΩ
HN1B04FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-GR,LF 0.3000
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ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 HN1B04 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN, PNP 250mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
TK33S10N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L,LQ 1.9000
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ECAD 7785 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK33S10 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 264-TK33S10N1LLQCT EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 100V 33A(타) 4.5V, 10V 9.7m옴 @ 16.5A, 10V 500μA에서 2.5V 33nC @ 10V ±20V 2250pF @ 10V - 125W(Tc)
RN1118MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1118MFV,L3F 0.1800
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ECAD 6563 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1118 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 50 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 10kΩ
TK40P03M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK40P03M1(T6RSS-Q) -
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ECAD 4208 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVI-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK40P03 MOSFET(금속) D-박 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 30V 40A(타) 4.5V, 10V 10.8m옴 @ 20A, 10V 100μA에서 2.3V 17.5nC @ 10V ±20V 1150pF @ 10V - -
RN1418,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1418,LF 0.1800
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ECAD 184 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1418 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 50 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 10kΩ
TTA006B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTA006B,Q(S -
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ECAD 1451 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 활동적인 TTA006 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 250
RN2702TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2702TE85LF -
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ECAD 6945 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2702 200mW 5-SSOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 10kΩ
TPCP8003-H(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8003-H(TE85L,F -
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ECAD 2466 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TCPP8003 MOSFET(금속) PS-8(2.9x2.4) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 100V 2.2A(타) 4.5V, 10V 180m옴 @ 1.1A, 10V 2.3V @ 1mA 7.5nC @ 10V ±20V 10V에서 360pF - 840mW(타)
2SC2383-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-Y,T6KEHF(M -
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ECAD 1154 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2383 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 160V 1A 1μA(ICBO) NPN 1.5V @ 50mA, 500mA 60 @ 200mA, 5V 100MHz
2SC5086-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5086-O,LF -
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ECAD 4240 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SC5086 100mW SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 - 12V 80mA NPN 80 @ 20mA, 10V 7GHz 1dB @ 500MHz
2SC2482(FJTN,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2482(FJTN,F,M) -
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ECAD 1055 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2482 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 300V 100mA 1μA(ICBO) NPN 1V @ 1mA, 10mA 30 @ 20mA, 10V 50MHz
SSM4K27CTTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage SSM4K27CTTPL3 -
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ECAD 8402 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 4-SMD, 무연 SSM4K27 MOSFET(금속) CST4(1.2x0.8) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 20V 500mA(타) 1.8V, 4V 205m옴 @ 250mA, 4V 1.1V @ 1mA ±12V 174pF @ 10V - 400mW(타)
2SA1873-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1873-GR(TE85L,F 0.3500
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ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 2SA1873 200mW USV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 PNP(이중) 일치쌍, 섹션 이미터 300mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
2SA2154MFV-GR(TPL3 Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFV-GR(TPL3 -
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ECAD 6607 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 2SA2154 150mW 베스엠 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
TPC8125,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8125, LQ(에스 0.7300
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TPC8125 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 30V 10A(타) 4.5V, 10V 13m옴 @ 5A, 10V 2V에서 500μA 64nC @ 10V +20V, -25V 2580pF @ 10V - 1W(타)
TK11A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK11A65W,S5X 1.5300
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ECAD 101 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK11A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 11.1A(타) 10V 390m옴 @ 5.5A, 10V 450μA에서 3.5V 25nC @ 10V ±30V 300V에서 890pF - 35W(Tc)
2SB1457(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457(T6CANO,F,M -
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ECAD 2882 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SB1457 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 100V 2A 10μA(ICBO) PNP 1.5V @ 1mA, 1A 2000 @ 1A, 2V 50MHz
TK1K9A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K9A60F,S4X 0.9000
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ECAD 4438 0.00000000 도시바 및 저장 유모식스 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK1K9A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 3.7A(타) 10V 1.9옴 @ 1.9A, 10V 4V @ 400μA 14nC @ 10V ±30V 300V에서 490pF - 30W(Tc)
RN2503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2503(TE85L,F) 0.4800
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74A, SOT-753 RN2503 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22k옴 22k옴
2SC5084-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5084-O(TE85L,F) -
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ECAD 3160 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC5084 150mW S-미니 - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 11dB 12V 80mA NPN 80 @ 20mA, 10V 7GHz 1.1dB @ 1GHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고