SIC
close

트랜지스터 (2488)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
TK30S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK30S06K3L (T6L1, NQ -
RFQ
 ECAD 1314 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u- 모시브 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK30S06 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 30A (TA) 6V, 10V 18ohm @ 15a, 10V 3V @ 1mA 28 nc @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 10 v - 58W (TC)
TK10A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk10a50d (sta4, q, m) 1.9000
RFQ
 ECAD 5682 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK10A50 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 10A (TA) 10V 720mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 20 nc @ 10 v ± 30V 1050 pf @ 25 v - 45W (TC)
RN2901,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2901, LXHF (Ct 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2901 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 30 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN1111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage rn1111ct (tpl3) -
RFQ
 ECAD 5359 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN1111 50 MW CST3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 150mv @ 250µa, 5mA 300 @ 1ma, 5V 10 KOHMS
RN2402,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2402, LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2402 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 200MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
RN1606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1606 (TE85L, F) 0.4200
RFQ
 ECAD 390 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 RN1606 300MW sm6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
RN1408,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1408, LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1408 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 22 KOHMS 47 Kohms
2SA1020-Y(6MBH1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (6MBH1, AF -
RFQ
 ECAD 3365 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1020 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
RN1910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910, LXHF (Ct 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1910 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7kohms -
TK40S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S06N1L, LQ 0.9100
RFQ
 ECAD 7800 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK40S06 MOSFET (금속 (() DPAK+ - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 40A (TA) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 200µA 26 NC @ 10 v ± 20V 1650 pf @ 10 v - 88.2W (TC)
2SC2655-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-O, F (J. -
RFQ
 ECAD 3435 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2655 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
2SB1258 Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1258 -
RFQ
 ECAD 2065 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 활동적인 2SB1258 - rohs 준수 1 (무제한) 2SB1258ts 0000.00.0000 50
SSM6K208FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K208FE, LF 0.5200
RFQ
 ECAD 2897 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SSM6K208 MOSFET (금속 (() ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 채널 30 v 1.9A (TA) 1.8V, 4V 133mohm @ 1a, 4v 1V @ 1mA 1.9 NC @ 4 v ± 12V 123 pf @ 15 v - 500MW (TA)
RN1410,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1410, LF 0.1900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1410 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
TK25E60X,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK25E60X, S1X 4.4100
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv-h 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TK25E60 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 25A (TA) 10V 125mohm @ 7.5a, 10V 3.5v @ 1.2ma 40 nc @ 10 v ± 30V 2400 pf @ 300 v - 180W (TC)
RN1114,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1114, LF 0.2000
RFQ
 ECAD 7018 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN1114 100MW SSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
RN1106MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV, L3F 0.1600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN1106 150 MW VESM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 4.7 Kohms 47 Kohms
TPC8207(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8207 (TE12L, Q) -
RFQ
 ECAD 8561 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8207 MOSFET (금속 (() 450MW 8-SOP (5.5x6.0) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 6A 20mohm @ 4.8a, 4v 1.2V @ 200µA 22NC @ 5V 2010pf @ 10V 논리 논리 게이트
MT3S111TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111TU, LF 0.5800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 MT3S111 800MW UFM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 12.5dB 6V 100ma NPN 200 @ 30ma, 5V 10GHz 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
2SC2712-BL,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-BL, LXHF 0.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 350 @ 2MA, 6V 80MHz
SSM3J168F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J168F, LXHF 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 400MA (TA) 4V, 10V 1.55ohm @ 200ma, 10V 2V @ 1mA 3 NC @ 10 v +10V, -20V 82 pf @ 10 v - 600MW (TA)
TK11A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk11a55d (sta4, q, m) 2.5900
RFQ
 ECAD 5991 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 Tk11a55 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 550 v 11A (TA) 10V 630mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 1MA 25 nc @ 10 v ± 30V 1350 pf @ 25 v - 45W (TC)
TPH4R10ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R10ANL, L1Q 1.6500
RFQ
 ECAD 7346 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 8-powervdfn TPH4R10 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 92A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 4.1mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 1mA 75 NC @ 10 v ± 20V 6300 pf @ 50 v - 2.5W (TA), 67W (TC)
TK2A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk2a65d (sta4, q, m) 1.4400
RFQ
 ECAD 6893 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK2A65 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 2A (TA) 10V 3.26ohm @ 1a, 10V 4.4V @ 1mA 9 NC @ 10 v ± 30V 380 pf @ 25 v - 30W (TC)
TPCF8102(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8102 (TE85L, F, M. -
RFQ
 ECAD 8048 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 TPCF8102 MOSFET (금속 (() VS-8 (2.9x1.5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 p 채널 20 v 6A (TA) 1.8V, 4.5V 30mohm @ 3a, 4.5v 1.2V @ 200µA 19 NC @ 5 v ± 8V 1550 pf @ 10 v - 700MW (TA)
TPCA8018-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8018-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 8893 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPCA8018 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 30A (TA) 4.5V, 10V 6.2mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 1mA 34 NC @ 10 v ± 20V 2846 pf @ 10 v - 1.6W (TA), 45W (TC)
RN2908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2908FE (TE85L, F) 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN2908 100MW ES6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 22kohms 47kohms
2SC2712-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-GR, LXHF 0.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 200 @ 2ma, 6v 80MHz
SSM3K72CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72CTC, L3F 0.3000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosvii-h 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 SSM3K72 MOSFET (금속 (() CST3C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 150MA (TA) 4.5V, 10V 3.9ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.35 nc @ 4.5 v ± 20V 17 pf @ 10 v - 500MW (TA)
TK8P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8P60W, RVQ 1.1354
RFQ
 ECAD 8551 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Tk8p60 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 8A (TA) 10V 500mohm @ 4a, 10V 3.7V @ 400µA 18.5 nc @ 10 v ± 30V 570 pf @ 300 v - 80W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다