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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
SSM6P16FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P16FE(TE85L,F) -
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ECAD 1655년 0.00000000 도시바 및 저장 - 컷테이프(CT) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6P16 MOSFET(금속) ES6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 P채널 20V 100mA(타) 8옴 @ 10mA, 4V - 11pF @ 3V - 150mW(타)
RN1704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1704JE(TE85L,F) 0.4700
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ECAD 116 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN1704 100mW ESV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47k옴 47k옴
RN1105,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1105,LXHF(CT 0.3300
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ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1105 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 47kΩ
2SC2714-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2714-O(TE85L,F) 0.0964
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ECAD 6404 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2714 100mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 23dB 30V 20mA NPN 70 @ 1mA, 6V 550MHz 2.5dB @ 100MHz
TW015N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015N65C,S1F 55.4500
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ECAD 114 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-247-3 SiCFET(탄화규소) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 100A(Tc) 18V 21m옴 @ 50A, 18V 5V @ 11.7mA 128nC @ 18V +25V, -10V 4850pF @ 400V - 342W(Tc)
2SK3127(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3127(TE24L,Q) -
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ECAD 2581 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SK3127 MOSFET(금속) TO-220SM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 45A(타) 10V 12m옴 @ 25A, 10V 3V @ 1mA 66nC @ 10V ±20V 10V에서 2300pF - 65W(Tc)
2SK2989(TPE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989(TPE6,F,M) -
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ECAD 8590 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SK2989 TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 5A(티제이)
SSM3K131TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K131TU,LF 0.5000
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ECAD 11 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 SSM3K131 MOSFET(금속) UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 6A(타) 4.5V, 10V 27.6m옴 @ 4A, 10V 2.5V @ 1mA 10.1nC @ 10V ±20V 15V에서 450pF - 500mW(타)
TK14G65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14G65W,RQ 2.4800
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ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB TK14G65 MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 650V 13.7A(타) 10V 250m옴 @ 6.9A, 10V 3.5V @ 690μA 35nC @ 10V ±30V 300V에서 1300pF - 130W(Tc)
RN4905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905,LXHF(CT 0.4400
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4905 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 2.2k옴 47k옴
TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S04M3L(T6L1,NQ 1.4000
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ECAD 6560 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TJ60S04 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 40V 60A(타) 6V, 10V 6.3m옴 @ 30A, 10V 3V @ 1mA 125nC @ 10V +10V, -20V 6510pF @ 10V - 90W(Tc)
TPC8132,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8132,LQ(S 0.9600
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ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TPC8132 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 40V 7A(타) 4.5V, 10V 25m옴 @ 3.5A, 10V 2V @ 200μA 34nC @ 10V +20V, -25V 1580pF @ 10V - 1W(타)
SSM3J36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J36FS,LF 0.2900
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ECAD 479 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 SSM3J36 MOSFET(금속) SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 330mA(타) 1.5V, 4.5V 1.31옴 @ 100mA, 4.5V 1V @ 1mA 1.2nC @ 4V ±8V 10V에서 43pF - 150mW(타)
2SC1627A-O,PASF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC1627A-O,PASF(M -
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ECAD 7005 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC1627 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 80V 400mA 100nA(ICBO) NPN 400mV @ 20mA, 200A 70 @ 50mA, 2V 100MHz
TPC8113(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8113(TE12L,Q) -
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ECAD 9646 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TPC8113 MOSFET(금속) 8-SOP(5.5x6.0) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 11A(타) 4V, 10V 10m옴 @ 5.5A, 10V 2V @ 1mA 107nC @ 10V ±20V 10V에서 4500pF - 1W(타)
TK17E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK17E80W,S1X 4.5900
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ECAD 4719 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 TK17E80 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 800V 17A(타) 10V 290m옴 @ 8.5A, 10V 4V @ 850μA 32nC @ 10V ±20V 2050pF @ 300V - 180W(Tc)
HN2A01FE-GR(TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2A01FE-GR(TE85LF -
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ECAD 8778 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 HN2A01 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 4,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 PNP(이중) 300mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 800MHz
TK100L60W,VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100L60W,VQ 34.7700
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ECAD 5509 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3PL TK100L60 MOSFET(금속) TO-3P(L) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 100 N채널 600V 100A(타) 10V 18m옴 @ 50A, 10V 3.7V @ 5mA 360nC @ 10V ±30V 30V에서 15000pF - 797W(Tc)
2SC6042,T2HOSH1Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6042,T2HOSH1Q(J -
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ECAD 5485 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC6042 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 375V 1A 100μA(ICBO) NPN 1V @ 100mA, 800mA 100 @ 100mA, 5V -
TPN11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11006NL,LQ 0.9400
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ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN11006 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 60V 17A(TC) 4.5V, 10V 11.4m옴 @ 8.5A, 10V 2.5V @ 200μA 23nC @ 10V ±20V 2000pF @ 30V - 700mW(Ta), 30W(Tc)
RN1312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1312(TE85L,F) 0.2800
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1312 150mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz 22kΩ
SSM6L09FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L09FUTE85LF 0.4900
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ECAD 17 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6L09 MOSFET(금속) 300mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N 및 P 채널 30V 400mA, 200mA 700m옴 @ 200MA, 10V 1.8V @ 100μA - 20pF @ 5V 게임 레벨 레벨
RN4988,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4988,LXHF(CT 0.4400
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ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4988 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 22k옴 47k옴
SSM3K2615R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K2615R,LF 0.4600
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ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3K2615 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 60V 2A(타) 3.3V, 10V 300m옴 @ 1A, 10V 2V @ 1mA ±20V 150pF @ 10V - 1W(타)
TK6A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK6A65W,S5X 1.7300
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ECAD 4293 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK6A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 5.8A(타) 10V 1옴 @ 2.9A, 10V 180μA에서 3.5V 11nC @ 10V ±30V 300V에서 390pF - 30W(Tc)
TK7P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7P65W,RQ 1.6300
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ECAD 7459 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK7P65 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 650V 6.8A(타) 10V 800m옴 @ 3.4A, 10V 250μA에서 3.5V 15nC @ 10V ±30V 300V에서 490pF - 60W(Tc)
SSM3K16FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16FV,L3F 0.2200
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ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-723 MOSFET(금속) 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 N채널 20V 100mA(타) 1.5V, 4V 3옴 @ 10mA, 4V 1.1V @ 100μA ±10V 9.3pF @ 3V - 150mW(타)
2SA1312GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1312GRTE85LF 0.0618
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ECAD 5284 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1312 150mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 1mA, 10mA 200 @ 2mA, 6V 100MHz
RN1911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE,LXHF(CT 0.3800
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ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1911 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz 10kΩ -
SSM3J56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56MFV,L3F 0.4500
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ECAD 490 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 SSM3J56 MOSFET(금속) 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 P채널 20V 800mA(타) 1.2V, 4.5V 390m옴 @ 800mA, 4.5V - ±8V 10V에서 100pF - 150mW(타)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고