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트랜지스터 (2488)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 전류 전류 (ID) - 최대
SSM6L09FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L09FUTE85LF 0.4900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6L09 MOSFET (금속 (() 300MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 30V 400ma, 200ma 700mohm @ 200ma, 10V 1.8V @ 100µa - 20pf @ 5V 논리 논리 게이트
2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-GR (TE85L, F) 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100MW SC-59 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 8.2pf @ 10V 50 v 2.6 ma @ 10 v 400 mV @ 100 NA 6.5 MA
2SK208-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-O (TE85L, F) 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100MW SC-59 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 8.2pf @ 10V 50 v 600 µa @ 10 v 400 mV @ 100 NA 6.5 MA
2SK209-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-BL (TE85L, F) 0.4400
RFQ
 ECAD 1670 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK209 150 MW SC-59 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 13pf @ 10V 50 v 14 ma @ 10 v 1.5 V @ 100 NA 14 MA
2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-Y (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK209 150 MW SC-59 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 13pf @ 10V 50 v 14 ma @ 10 v 1.5 V @ 100 NA 14 MA
TK10A60W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W, S4X 1.6339
RFQ
 ECAD 3281 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 Tk10a60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) Tk10a60ws4x 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 9.7A (TA) 10V 380mohm @ 4.9a, 10V 3.7V @ 500µA 20 nc @ 10 v ± 30V 720 pf @ 300 v - 30W (TC)
TK22E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK22E10N1, S1X 1.5000
RFQ
 ECAD 6064 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TK22E10 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 52A (TC) 10V 13.8mohm @ 11a, 10V 4V @ 300µA 28 nc @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 50 v - 72W (TC)
2SK208-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-R (TE85L, F) 0.4900
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100MW S- 미니 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 8.2pf @ 10V 50 v 300 µa @ 10 v 400 mV @ 100 NA 6.5 MA
2SK2145-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-GR (TE85L, f 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 2SK2145 300MW SMV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 13pf @ 10V 2.6 ma @ 10 v 200 MV @ 100 NA
RN1111,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1111, LF (CT 0.0355
RFQ
 ECAD 4214 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN1111 100MW SSM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 10 KOHMS
RN1910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910, LF (Ct 0.2700
RFQ
 ECAD 8287 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1910 100MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7kohms -
TK11A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK11A65W, S5X 1.5300
RFQ
 ECAD 101 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 Tk11a65 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 11.1A (TA) 10V 390mohm @ 5.5a, 10V 3.5V @ 450µA 25 nc @ 10 v ± 30V 890 pf @ 300 v - 35W (TC)
TK65A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK65A10N1, S4X 2.7900
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK65A10 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 65A (TC) 10V 4.8mohm @ 32.5a, 10V 4V @ 1MA 81 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 50 v - 45W (TC)
TPH4R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R008NH, L1Q 2.7900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPH4R008 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 80 v 60A (TC) 10V 4mohm @ 30a, 10V 4V @ 1MA 59 NC @ 10 v ± 20V 5300 pf @ 40 v - 1.6W (TA), 78W (TC)
TK16A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W, S4VX 2.9700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK16A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 15.8A (TA) 10V 190mohm @ 7.9a, 10V 3.7V @ 790µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1350 pf @ 300 v - 40W (TC)
TJ15S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ15S06M3L, LXHQ 0.9500
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TJ15S06 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 15A (TA) 6V, 10V 50mohm @ 7.5a, 10V 3V @ 1mA 36 nc @ 10 v +10V, -20V 1770 pf @ 10 v - 41W (TC)
XK1R9F10QB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage XK1R9F10QB, LXGQ 3.9000
RFQ
 ECAD 4008 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSX-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB XK1R9F10 MOSFET (금속 (() TO-220SM (W) 다운로드 3 (168 시간) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 160A (TA) 6V, 10V 1.92mohm @ 80a, 10V 3.5V @ 1mA 184 NC @ 10 v ± 20V 11500 pf @ 10 v - 375W (TC)
TJ200F04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ200F04M3L, LXHQ 3.1700
RFQ
 ECAD 3367 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB TJ200F04 MOSFET (금속 (() TO-220SM (W) 다운로드 3 (168 시간) 귀 99 8541.21.0095 1,000 p 채널 40 v 200a (TA) 6V, 10V 1.8mohm @ 100a, 10V 3V @ 1mA 460 nc @ 10 v +10V, -20V 1280 pf @ 10 v - 375W (TC)
TPHR7904PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR7904PB, L1XHQ 2.8200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비) TPHR7904 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 5,000 n 채널 40 v 150A (TA) 6V, 10V 0.79mohm @ 75a, 10V 3V @ 1mA 85 NC @ 10 v ± 20V 6650 pf @ 10 v - 960MW (TA), 170W (TC)
TPH1R104PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R104PB, L1XHQ 2.0900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.197 ", 5.00mm 너비) TPH1R104 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 5,000 n 채널 40 v 120A (TA) 6V, 10V 1.14mohm @ 60a, 10V 3V @ 500µA 55 NC @ 10 v ± 20V 4560 pf @ 10 v - 960MW (TA), 132W (TC)
TK25S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25S06N1L, LXHQ 0.9300
RFQ
 ECAD 3804 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK25S06 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 25A (TA) 4.5V, 10V 36.8mohm @ 12.5a, 4.5v 2.5V @ 100µa 15 nc @ 10 v ± 20V 855 pf @ 10 v - 57W (TC)
TK33S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z, LXHQ 1.4200
RFQ
 ECAD 8142 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK33S10 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 33A (TA) 10V 9.7mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 500µA 28 nc @ 10 v ± 20V 2050 pf @ 10 v - 125W (TC)
TPCC8104,L1Q(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8104, L1Q (CM -
RFQ
 ECAD 2662 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 8-powervdfn TPCC8104 MOSFET (금속 (() 8 1 3. (3.1x3.1) - 1 (무제한) 264-TPCC8104L1Q (CMTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 20A (TA) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 10a, 10V 2V @ 500µA 58 NC @ 10 v +20V, -25V 2260 pf @ 10 v - 700MW (TA), 27W (TC)
TK33S10N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L, LQ 1.9000
RFQ
 ECAD 7785 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK33S10 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 264-TK33S10N1LLQCT 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 33A (TA) 4.5V, 10V 9.7mohm @ 16.5a, 10V 2.5V @ 500µA 33 NC @ 10 v ± 20V 2250 pf @ 10 v - 125W (TC)
TPCP8107,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8107, LF 0.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-smd,, 리드 TPCP8107 MOSFET (금속 (() PS-8 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 8A (TA) 6V, 10V 18mohm @ 4a, 10V 3V @ 1mA 44.6 NC @ 10 v +10V, -20V 2160 pf @ 10 v - 1W (TA)
SSM6J422TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J422TU, LXHF 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 MOSFET (금속 (() UF6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA) 1.5V, 4.5V 42.7mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 1mA 12.8 nc @ 4.5 v +6V, -8V 840 pf @ 10 v - 1W (TA)
SSM3J145TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J145TU, LXHF 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3A (TA) 1.5V, 4.5V 103mohm @ 1a, 4.5v 1V @ 1mA 4.6 NC @ 4.5 v +6V, -8V 270 pf @ 10 v - 500MW (TA)
SSM3K62TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K62TU, LXHF 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVII-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 800MA (TA) 1.2V, 4.5V 57mohm @ 800ma, 4.5v 1V @ 1mA 2 nc @ 4.5 v ± 8V 177 pf @ 10 v - 500MW (TA)
2SA2060(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2060 (TE12L, ZF) -
RFQ
 ECAD 9451 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 상자 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1 W. PW- 미니 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 50 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 200mv @ 33ma, 1a 200 @ 300ma, 2v -
RN4911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911, LXHF (Ct 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4911 100MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz, 250MHz 10kohms -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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