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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 테스트 조건 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
RN2309,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2309,LXHF 0.3900
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2309 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 22kΩ
TPC6104(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6104(TE85L,F,M) -
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 ECAD 7275 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 TPC6104 MOSFET(금속) VS-6(2.9x2.8) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 5.5A(타) 1.8V, 4.5V 40m옴 @ 2.8A, 4.5V 200μA에서 1.2V 19nC @ 5V ±8V 1430pF @ 10V - 700mW(타)
RN4990(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4990(TE85L,F) 0.3400
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4990 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7kΩ -
TK2R4A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK2R4A08QM,S4X 2.8700
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 ECAD 46 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSX-H 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 80V 100A(Tc) 6V, 10V 2.44m옴 @ 50A, 10V 3.5V @ 2.2mA 179nC @ 10V ±20V 40V에서 13000pF - 47W(Tc)
TK20E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK20E60W,S1VX 5.3700
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 ECAD 1878년 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK20E60 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 20A(타) 10V 155m옴 @ 10A, 10V 3.7V @ 1mA 48nC @ 10V ±30V 300V에서 1680pF - 165W(Tc)
2SC2235-Y(T6KMATFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y(T6KMATFM -
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 ECAD 9620 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2235 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) 2SC2235YT6KMATFM EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
TK290A60Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK290A60Y,S4X 1.7600
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 ECAD 4892 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK290A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 11.5A(Tc) 10V 290m옴 @ 5.8A, 10V 4V @ 450μA 25nC @ 10V ±30V 300V에서 730pF - 35W(Tc)
2SC4116-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-GR,LXHF 0.3300
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
GT30J341,Q Toshiba Semiconductor and Storage GT30J341,Q 3.4000
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 ECAD 100 0.00000000 도시바 및 저장 - 쟁반 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 GT30J341 기준 230W TO-3P(엔) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 264-GT30J341Q EAR99 8541.29.0095 100 300V, 30A, 24옴, 15V 50ns 600V 59A 120A 2V @ 15V, 30A 800μJ(켜짐), 600μJ(꺼짐) 80ns/280ns
RN2105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2105MFV,L3F(CT 0.1800
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2105 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 47kΩ
TK22E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK22E10N1,S1X 1.5000
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 ECAD 6064 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK22E10 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 52A(Tc) 10V 13.8m옴 @ 11A, 10V 300μA에서 4V 28nC @ 10V ±20V 50V에서 1800pF - 72W(Tc)
2SK2989(TPE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989(TPE6,F,M) -
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 ECAD 8590 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SK2989 TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 5A(티제이)
TPHR9003NL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9003NL1,LQ 1.5900
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 ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-SOP 고급(5x5.75) - 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 150A(Tc) 4.5V, 10V 0.9m옴 @ 50A, 10V 2.3V @ 1mA 74nC @ 10V ±20V 6900pF @ 15V - 800mW(Ta), 170W(Tc)
TJ200F04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ200F04M3L,LXHQ 3.1700
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 ECAD 3367 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB TJ200F04 MOSFET(금속) TO-220SM(W) 다운로드 3(168시간) EAR99 8541.21.0095 1,000 P채널 40V 200A(타) 6V, 10V 1.8m옴 @ 100A, 10V 3V @ 1mA 460nC @ 10V +10V, -20V 1280pF @ 10V - 375W(Tc)
2SC2859-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2859-Y(TE85L,F) -
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 ECAD 8762 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2859 150mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 500mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 100mA, 1V 300MHz
RN1607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1607(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN1607 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 10k옴 47k옴
RN2710JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2710JE(TE85L,F) 0.4800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN2710 100mW ESV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 4.7kΩ -
TK16J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16J60W,S1VQ -
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 ECAD 8499 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 TK16J60 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 25 N채널 600V 15.8A(타) 10V 190m옴 @ 7.9A, 10V 790μA에서 3.7V 38nC @ 10V ±30V 300V에서 1350pF - 130W(Tc)
SSM6P16FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P16FE(TE85L,F) -
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 ECAD 1655년 0.00000000 도시바 및 저장 - 컷테이프(CT) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6P16 MOSFET(금속) ES6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 P채널 20V 100mA(타) 8옴 @ 10mA, 4V - 11pF @ 3V - 150mW(타)
SSM3K2615R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K2615R,LF 0.4600
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3K2615 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 60V 2A(타) 3.3V, 10V 300m옴 @ 1A, 10V 2V @ 1mA ±20V 150pF @ 10V - 1W(타)
RN1911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1911 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 10k옴 -
SSM5H16TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H16TU,LF 0.4800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD(5리드), 플랫 리드 SSM5H16 MOSFET(금속) UFV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 1.9A(타) 1.8V, 4V 133m옴 @ 1A, 4V 1V @ 1mA 1.9nC @ 4V ±12V 15V에서 123pF 쇼트키 다이오드(절연) 500mW(타)
RN4988,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4988,LXHF(CT 0.4400
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4988 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 22k옴 47k옴
2SC2712-BL,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-BL,LXHF 0.3300
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 350 @ 2mA, 6V 80MHz
RN4908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908,LF(CT 0.2800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4908 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 22k옴 47k옴
2SC2714-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2714-O(TE85L,F) 0.0964
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 ECAD 6404 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2714 100mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 23dB 30V 20mA NPN 70 @ 1mA, 6V 550MHz 2.5dB @ 100MHz
TK110U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK110U65Z,RQ 4.5300
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 8-PowerSFN MOSFET(금속) 힘 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 650V 24A(타) 10V 110m옴 @ 12A, 10V 4V @ 1.02mA 40nC @ 10V ±30V 300V에서 2250pF - 190W(Tc)
2SA1312GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1312GRTE85LF 0.0618
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 ECAD 5284 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1312 150mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 1mA, 10mA 200 @ 2mA, 6V 100MHz
SSM3J378R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J378R,LXHF 0.5000
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 ECAD 24 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 6A(타) 1.5V, 4.5V 29.8m옴 @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 12.8nC @ 4.5V +6V, -8V 10V에서 840pF - 1W(타)
TK5A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK5A90E,S4X 1.4600
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 ECAD 9249 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 900V 4.5A(타) 10V 3.1옴 @ 2.3A, 10V 4V @ 450μA 20nC @ 10V ±30V 25V에서 950pF - 40W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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