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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 출력(V(BR)GSS) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
2SA965-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y,F(J -
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ECAD 3433 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA965 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) PNP 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
SSM6P35FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35FE(TE85L,F) 0.4400
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ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6P35 MOSFET(금속) 150mW ES6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 2 P채널(듀얼) 20V 100mA 8옴 @ 50mA, 4V 1V @ 1mA - 12.2pF @ 3V 게임 레벨 레벨
TK20J60U(F) Toshiba Semiconductor and Storage TK20J60U(F) -
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ECAD 2851 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSII 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 TK20J60 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 20A(타) 10V 190m옴 @ 10A, 10V 5V @ 1mA 27nC @ 10V ±30V 1470pF @ 10V - 190W(Tc)
2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-BL(TE85L,F) 0.5900
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ECAD 14 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SK880 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 13pF @ 10V 50V 10V에서 6mA 1.5V @ 100nA
SSM6P54TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P54TU,LF 0.4100
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ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6P54 MOSFET(금속) 500mW(타) UF6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 20V 1.2A(타) 228m옴 @ 600mA, 2.5V 1V @ 1mA 7.7nC @ 4V 331pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.5V 드라이브
SSM3J56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56ACT,L3F 0.3900
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ECAD 32 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SC-101, SOT-883 SSM3J56 MOSFET(금속) CST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 P채널 20V 1.4A(타) 1.2V, 4.5V 390m옴 @ 800mA, 4.5V 1V @ 1mA 1.6nC @ 4.5V ±8V 10V에서 100pF - 500mW(타)
TK20A25D,S5Q(M Toshiba Semiconductor and Storage TK20A25D,S5Q(M -
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ECAD 8354 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK20A25 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 250V 20A(타) 10V 100m옴 @ 10A, 10V 3.5V @ 1mA 55nC @ 10V ±20V 100V에서 2550pF - 45W(Tc)
HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE-GR,LXHF 0.4500
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ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 HN1A01 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 PNP(이중) 300mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
TMBT3906,LM Toshiba Semiconductor and Storage TMBT3906,LM 0.1800
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ECAD 15 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TMBT3906 320mW SOT-23-3 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 400mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250MHz
2SC5439(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5439(F) -
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ECAD 9123 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC5439 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 450V 8A 100μA(ICBO) NPN 1V @ 640mA, 3.2A 14 @ 1A, 5V -
HN1A01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU-Y,LXHF 0.3700
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ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1A01 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 PNP(이중) 300mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
TK8A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A65D(STA4,Q,M) 2.4000
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ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK8A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 8A(타) 10V 840m옴 @ 4A, 10V 4V @ 1mA 25nC @ 10V ±30V 1350pF @ 25V - 45W(Tc)
TTA008B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTA008B,Q 0.6600
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ECAD 250 0.00000000 도시바 및 저장 - 쟁반 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-225AA, TO-126-3 1.5W TO-126N 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 250 80V 2A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 100mA, 1A 100 @ 500mA, 2V 100MHz
MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113(TE85L,F) 0.7000
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MT3S113 800mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 11.8dB 5.3V 100mA NPN 200 @ 30mA, 5V 12.5GHz 1.45dB @ 1GHz
TK28V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK28V65W, LQ 5.2600
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ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 4-VSFN 옆형 패드 TK28V65 MOSFET(금속) 4-DFN-EP(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 650V 27.6A(타) 10V 120m옴 @ 13.8A, 10V 3.5V @ 1.6mA 75nC @ 10V ±30V 300V에서 3000pF - 240W(Tc)
TPC8062-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8062-H,LQ(CM -
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ECAD 2139 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TPC8062 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 18A(타) 4.5V, 10V 5.8m옴 @ 9A, 10V 300μA에서 2.3V 34nC @ 10V ±20V 2900pF @ 10V - 1W(타)
2SC5200-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5200-O(Q) 3.0600
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ECAD 2325 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3PL 2SC5200 150W TO-3P(L) 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0075 100 230V 15A 5μA(ICBO) NPN 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1A, 5V 30MHz
TK8Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK8Q65W,S1Q 1.7200
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ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 스텁 레코드, IPak TK8Q65 MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 75 N채널 650V 7.8A(타) 10V 670m옴 @ 3.9A, 10V 3.5V @ 300μA 16nC @ 10V ±30V 300V에서 570pF - 80W(Tc)
RN1118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1118(T5L,F,T) -
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ECAD 3198 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1118 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 50 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 10kΩ
TK20S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20S04K3L(T6L1,NQ -
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ECAD 2714 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK20S04 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 20A(타) 6V, 10V 14m옴 @ 10A, 10V 3V @ 1mA 18nC @ 10V ±20V 10V에서 820pF - 38W(Tc)
RN1131MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1131MFV,L3F 0.1800
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ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1131 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 100kΩ
2SA1315-Y,HOF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1315-Y,HOF(M -
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ECAD 8164 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1315 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 80V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 80MHz
2SC6026CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026CT-Y(TPL3) -
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ECAD 7438 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 2SC6026 100mW CST3 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 60MHz
2SK3342(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3342(TE16L1,NQ) -
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ECAD 3368 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SK3342 MOSFET(금속) PW-MOLD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 250V 4.5A(타) 10V 1옴 @ 2.5A, 10V 3.5V @ 1mA 10nC @ 10V ±20V 10V에서 440pF - 20W(Tc)
RN4908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4908(T5L,F,T) -
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ECAD 6703 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4908 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22k옴 47k옴
2SC2655-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y(TE6,F,M) -
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ECAD 1528 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2655 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
SSM6P816R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P816R,LF 0.4900
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ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6P816 MOSFET(금속) 1.4W(타) 6-TSOP-F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 20V 6A(타) 30.1m옴 @ 4A, 4.5V 1V @ 1mA 16.6nC @ 4.5V 1030pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.8V 드라이브
RN2101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2101ACT(TPL3) -
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ECAD 7160 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2101 100mW CST3 - 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 80mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 4.7kΩ 4.7kΩ
2SC5096-R,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5096-R,LF -
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ECAD 8066 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SC5096 100mW SSM - 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 1.4dB 10V 15mA NPN 50 @ 7mA, 6V 10GHz 1.4dB @ 1GHz
TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK090U65Z,RQ 5.5000
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 8-PowerSFN MOSFET(금속) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 650V 30A(타) 10V 90m옴 @ 15A, 10V 4V @ 1.27mA 47nC @ 10V ±30V 300V에서 2780pF - 230W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고