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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RN49A1(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN49A1(T5L,F,T) -
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ECAD 6337 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN49A1 200mW US6 - 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2k옴 47k옴
RN2107MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2107MFV,L3F -
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ECAD 3225 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2107 150mW 베스엠 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 10kΩ 47kΩ
RN2307,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2307,LXHF 0.3900
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ECAD 2595 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2307 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 47kΩ
RN4906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4906,LF 0.2800
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4906 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7k옴 47k옴
RN1130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1130MFV,L3F 0.1000
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ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1130 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 100 @ 10mA, 5V 250MHz 100kΩ 100kΩ
2SC2229-Y(T6MIT1FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y(T6MIT1FM -
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ECAD 1667년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2229 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) 2SC2229YT6MIT1FM EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120MHz
SSM6N7002BFU(T5L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU(T5L,F -
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ECAD 3812 0.00000000 도시바 및 저장 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N7002 MOSFET(금속) 300mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 60V 200mA 2.1옴 @ 500mA, 10V 250μA에서 3.1V - 17pF @ 25V 게임 레벨 레벨
TK8Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8Q60W,S1VQ 2.4800
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ECAD 7622 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 스텁 레코드, IPak TK8Q60 MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 75 N채널 600V 8A(타) 10V 500m옴 @ 4A, 10V 400μA에서 3.7V 18.5nC @ 10V ±30V 300V에서 570pF - 80W(Tc)
RN2312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2312(TE85L,F) 0.2700
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2312 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 200MHz 22kΩ
RN4907,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4907,LF 0.2800
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ECAD 3821 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4907 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10k옴 47k옴
2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326-A,LF 0.4000
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ECAD 78 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3326 150mW TO-236 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100nA(ICBO) NPN 100mV @ 3mA, 30mA 200 @ 4mA, 2V 30MHz
RN2114(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2114(TE85L,F) 0.2800
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ECAD 5009 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2114 100mW SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 50 @ 10mA, 5V 200MHz 1kΩ 10kΩ
2SC3324GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324GRTE85LF -
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ECAD 3943 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3324 150mW TO-236 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100nA(ICBO) NPN 300mV @ 1mA, 10mA 200 @ 2mA, 6V 100MHz
2SD2206,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206,T6F(J -
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ECAD 1678년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SD2206 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 100V 2A 10μA(ICBO) NPN 1.5V @ 1mA, 1A 2000 @ 1A, 2V 100MHz
TPCA8010-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010-H(TE12L,Q -
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ECAD 9297 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSV 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8010 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 200V 5.5A(타) 10V 450m옴 @ 2.7A, 10V 4V @ 1mA 10nC @ 10V ±20V 10V에서 600pF - 1.6W(Ta), 45W(Tc)
RN2965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2965FE(TE85L,F) -
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ECAD 7583 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2965 100mW ES6 - 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2k옴 47k옴
RN1116(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1116(TE85L,F) 0.2800
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ECAD 73 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1116 100mW SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 50 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 10kΩ
SSM6N58NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N58NU,LF 0.4600
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ECAD 139 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6N58 MOSFET(금속) 1W 6-UDFN(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 30V 4A 84m옴 @ 2A, 4.5V 1V @ 1mA 1.8nC @ 4.5V 129pF @ 15V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.8V 드라이브
2SC4935-Y,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4935-Y,Q(J -
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ECAD 8469 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC4935 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 50V 3A 1μA(ICBO) NPN 600mV @ 200mA, 2A 70 @ 500mA, 2V 80MHz
HN1C01FU-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-Y(T5L,F,T -
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ECAD 3498 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C01 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
2SC5459(TOJS,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5459(TOJS,Q,M) -
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ECAD 5031 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC5459 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 400V 3A 100μA(ICBO) NPN 1V @ 150mA, 1.2A 20 @ 300mA, 5V -
TPWR6003PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR6003PL,L1Q 3.0600
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ECAD 458 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-파워WDFN TPWR6003 MOSFET(금속) 8-DSOP 어드밴스 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 150A(Tc) 4.5V, 10V 0.6m옴 @ 50A, 10V 2.1V @ 1mA 110nC @ 10V ±20V 10000pF @ 15V - 960mW(Ta), 170W(Tc)
TPCP8203(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCPP8203(TE85L,F) -
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ECAD 5326 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TCPP8203 MOSFET(금속) 360mW PS-8(2.9x2.4) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 40V 4.7A - 2.5V @ 1mA - - -
SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L39TU,LF 0.4600
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ECAD 20 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6L39 MOSFET(금속) 500mW UF6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N 및 P 채널 20V 800mA 143m옴 @ 600MA, 4V 1V @ 1mA - 268pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.8V 드라이브
SSM3K16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16CT(TPL3) 0.0571
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ECAD 2573 0.00000000 도시바 및 저장 π-모스비 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 SSM3K16 MOSFET(금속) CST3 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 20V 100mA(타) 1.5V, 4V 3옴 @ 10mA, 4V 1.1V @ 100μA ±10V 9.3pF @ 3V - 100mW(타)
2SC2235-Y(T6CN,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y(T6CN,A,F -
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ECAD 3118 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2235 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
2SC2235-Y(MBSH1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y(MBSH1,FM -
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ECAD 5908 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2235 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
2SC4207-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4207-Y(TE85L,F) 0.3500
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ECAD 49 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-74A, SOT-753 2SC4207 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 일치쌍, 예비 이미터 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
TK14N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK14N65W5,S1F 4.3100
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ECAD 4776 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 TK14N65 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 13.7A(타) 10V 300m옴 @ 6.9A, 10V 690μA에서 4.5V 40nC @ 10V ±30V 300V에서 1300pF - 130W(Tc)
SSM3J372R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J372R,LXHF 0.4600
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ECAD 20 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 6A(타) 1.8V, 10V 42m옴 @ 5A, 10V 1.2V @ 1mA 8.2nC @ 4.5V +6V, -12V 15V에서 560pF - 1W(타)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고