| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 얻다 | 자연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) | 모델 지수(dB 일반 @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SSM3K35AMFV,L3F | 0.2300 | ![]() | 239 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSIII | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-723 | SSM3K35 | MOSFET(금속) | 베스엠 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | N채널 | 20V | 250mA(타) | 1.2V, 4.5V | 1.1옴 @ 150mA, 4.5V | 1V @ 100μA | 0.34nC @ 4.5V | ±10V | 10V에서 36pF | - | 500mW(타) | ||||||||||||||
![]() | TPC6011(TE85L,F,M) | - | ![]() | 5591 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 유모스크롤(U-MOSIV) | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | TPC6011 | MOSFET(금속) | VS-6(2.9x2.8) | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 6A(타) | 4.5V, 10V | 20m옴 @ 3A, 10V | 2.5V @ 1mA | 14nC @ 10V | ±20V | 10V에서 640pF | - | 700mW(타) | ||||||||||||||
![]() | TPN11003NL,LQ | 0.6800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSVIII-H | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | TPN11003 | MOSFET(금속) | 8-TSON 고급(3.1x3.1) | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 11A(티씨) | 4.5V, 10V | 11m옴 @ 5.5A, 10V | 100μA에서 2.3V | 7.5nC @ 10V | ±20V | 15V에서 660pF | - | 700mW(Ta), 19W(Tc) | ||||||||||||||
| 2SC3665-Y,T2NSF(J | - | ![]() | 3531 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | SC-71 | 2SC3665 | 1W | MSTM | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 120V | 800mA | 100nA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA, 500mA | 80 @ 100mA, 5V | 120MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | TPH3R10AQM,LQ | 1.7000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 175°C | 표면 실장 | 8파워TDFN | TPH3R10 | MOSFET(금속) | 8-SOP 고급(5x5.75) | 다운로드 | 1(무제한) | 5,000 | N채널 | 100V | 180A(타), 120A(Tc) | 6V, 10V | 3.1m옴 @ 50A, 10V | 500μA에서 3.5V | 83nC @ 10V | ±20V | 50V에서 7400pF | - | 3W(Ta), 210W(Tc) | |||||||||||||||||
![]() | TK39N60X,S1F | 7.2100 | ![]() | 2761 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | DTMOSIV-H | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | TK39N60 | MOSFET(금속) | TO-247 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 600V | 38.8A(타) | 10V | 65m옴 @ 12.5A, 10V | 3.5V @ 1.9mA | 85nC @ 10V | ±30V | 300V에서 4100pF | - | 270W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | RN2109CT(TPL3) | - | ![]() | 8190 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SC-101, SOT-883 | RN2109 | 50mW | CST3 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 20V | 50mA | 500nA | PNP - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 150mV, 5mA | 100 @ 10mA, 5V | 47kΩ | 22kΩ | |||||||||||||||||||
![]() | TTD1415B,S4X(S | - | ![]() | 3496 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | * | 튜브 | 활동적인 | TTD1415 | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM6K202FE,LF | 0.4600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | SSM6K202 | MOSFET(금속) | ES6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | N채널 | 30V | 2.3A(타) | 1.8V, 4V | 85m옴 @ 1.5A, 4V | 1V @ 1mA | ±12V | 10V에서 270pF | - | 500mW(타) | |||||||||||||||
![]() | RN4603(TE85L,F) | 0.3800 | ![]() | 7481 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SC-74, SOT-457 | RN4603 | 300mW | SM6 | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) | 250μA, 5mA에서 300mV | 70 @ 10mA, 5V | 200MHz, 250MHz | 22k옴 | 22k옴 | |||||||||||||||||
![]() | TK9A65W,S5X | 2.2200 | ![]() | 1169 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | DTMOSIV | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TK9A65 | MOSFET(금속) | TO-220SIS | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 9.3A(타) | 10V | 500m옴 @ 4.6A, 10V | 3.5V @ 350μA | 20nC @ 10V | ±30V | 300V에서 700pF | - | 30W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | 2SD2695(T6CNO,A,F) | - | ![]() | 5381 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 | 2SD2695 | 900mW | TO-92MOD | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 60V | 2A | 10μA(ICBO) | NPN | 1.5V @ 1mA, 1A | 2000 @ 1A, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | TK14A65W,S5X | 2.8200 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | DTMOSIV | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TK14A65 | MOSFET(금속) | TO-220SIS | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 13.7A(타) | 10V | 250m옴 @ 6.9A, 10V | 3.5V @ 690μA | 35nC @ 10V | ±30V | 300V에서 1300pF | - | 40W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | TK35E08N1,S1X | 1.1500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSVIII-H | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TK35E08 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 80V | 55A(Tc) | 10V | 12.2m옴 @ 17.5A, 10V | 300μA에서 4V | 25nC @ 10V | ±20V | 40V에서 1700pF | - | 72W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | 2SC2714-Y(TE85L,F) | 0.4400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 125°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SC2714 | 100mW | S-미니 | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 23dB | 30V | 20mA | NPN | 100@1mA, 6V | 550MHz | 2.5dB @ 100MHz | ||||||||||||||||||
| TK14C65W5,S1Q | - | ![]() | 2691 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | DTMOSIV | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | TK14C65 | MOSFET(금속) | I2PAK | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 13.7A(타) | 10V | 300m옴 @ 6.9A, 10V | 690μA에서 4.5V | 40nC @ 10V | ±30V | 300V에서 1300pF | - | 130W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | 2SA1987-O(Q) | 3.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-3PL | 2SA1987 | 180W | TO-3P(L) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | EAR99 | 8541.29.0075 | 100 | 230V | 15A | 5μA(ICBO) | PNP | 3V @ 800mA, 8A | 80 @ 1A, 5V | 30MHz | ||||||||||||||||||
![]() | TK32A12N1,S4X | 1.4000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSVIII-H | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TK32A12 | MOSFET(금속) | TO-220SIS | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 120V | 32A(Tc) | 10V | 13.8m옴 @ 16A, 10V | 4V에서 500μA | 34nC @ 10V | ±20V | 60V에서 2000pF | - | 30W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | TPC6008-H(TE85L,FM | - | ![]() | 7556 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSVI-H | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | TPC6008 | MOSFET(금속) | VS-6(2.9x2.8) | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 5.9A(타) | 4.5V, 10V | 60m옴 @ 3A, 10V | 100μA에서 2.3V | 4.8nC @ 10V | ±20V | 10V에서 300pF | - | 700mW(타) | ||||||||||||||
![]() | SSM3J133TU,LF | 0.4600 | ![]() | 71 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 유모스비 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-SMD, 플랫 리드 | SSM3J133 | MOSFET(금속) | UFM | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 5.5A(타) | 1.5V, 4.5V | 29.8m옴 @ 3A, 4.5V | 1V @ 1mA | 12.8nC @ 4.5V | ±8V | 10V에서 840pF | - | 500mW(타) | ||||||||||||||
![]() | 2SJ610(TE16L1,NQ) | - | ![]() | 7676 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 2SJ610 | MOSFET(금속) | PW-MOLD | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | P채널 | 250V | 2A(타) | 10V | 2.55옴 @ 1A, 10V | 3.5V @ 1mA | 24nC @ 10V | ±20V | 10V에서 381pF | - | 20W(타) | |||||||||||||||
![]() | TK5A65W,S5X | 1.6000 | ![]() | 1655년 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | DTMOSIV | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TK5A65 | MOSFET(금속) | TO-220SIS | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 5.2A(타) | 10V | 1.2옴 @ 2.6A, 10V | 170μA에서 3.5V | 10.5nC @ 10V | ±30V | 300V에서 380pF | - | 30W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | TPCC8A01-H(TE12LQM | - | ![]() | 4142 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSV-H | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-VDFN 옆 패드 | TPCC8A01 | MOSFET(금속) | 8-TSON 고급(3.3x3.3) | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 21A(타) | 4.5V, 10V | 9.9m옴 @ 10.5A, 10V | 2.3V @ 1mA | 20nC @ 10V | ±20V | 1900pF @ 10V | - | 700mW(Ta), 30W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | SSM3K341TU,LXHF | 0.5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101, U-MOSVIII-H | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 175°C | 표면 실장 | 3-SMD, 플랫 리드 | MOSFET(금속) | UFM | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 60V | 6A(타) | 4V, 10V | 36m옴 @ 4A, 10V | 100μA에서 2.5V | 9.3nC @ 10V | ±20V | 10V에서 550pF | - | 1W(타) | |||||||||||||||
![]() | SSM3K318R,LF | 0.4300 | ![]() | 710 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 유모스크롤(U-MOSIV) | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-3 플랫 리드 | SSM3K318 | MOSFET(금속) | SOT-23F | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 60V | 2.5A(타) | 4.5V, 10V | 107m옴 @ 2A, 10V | 2.8V @ 1mA | 7nC @ 10V | ±20V | 30V에서 235pF | - | 1W(타) | ||||||||||||||
![]() | TK5Q65W,S1Q | 1.2700 | ![]() | 75 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | DTMOSIV | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 스텁 레코드, IPak | TK5Q65 | MOSFET(금속) | 아이팩 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 650V | 5.2A(타) | 10V | 1.22옴 @ 2.6A, 10V | 170μA에서 3.5V | 10.5nC @ 10V | ±30V | 300V에서 380pF | - | 60W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | RN2504(TE85L,F) | 0.4800 | ![]() | 247 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SC-74A, SOT-753 | RN2504 | 300mW | SMV | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) | 250μA, 5mA에서 300mV | 80 @ 10mA, 5V | 200MHz | 47k옴 | 47k옴 | |||||||||||||||||
![]() | TK12E80W,S1X | 3.6100 | ![]() | 4687 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | DTMOSIV | 튜브 | 활동적인 | 150°C | 스루홀 | TO-220-3 | TK12E80 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 800V | 11.5A(타) | 10V | 450m옴 @ 5.8A, 10V | 4V에서 570μA | 23nC @ 10V | ±20V | 300V에서 1400pF | - | 165W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | SSM6P35AFE,LF | 0.4200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSVII | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | SSM6P35 | MOSFET(금속) | 150mW(타) | ES6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 250mA(타) | 1.4옴 @ 150mA, 4.5V | 1V @ 100μA | - | 42pF @ 10V | 레벨 레벨 컨트롤러, 1.2V 드라이브 | ||||||||||||||||
![]() | 2SC4935-Y,Q(J | - | ![]() | 8469 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | 2SC4935 | 2W | TO-220NIS | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 50V | 3A | 1μA(ICBO) | NPN | 600mV @ 200mA, 2A | 70 @ 500mA, 2V | 80MHz |

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