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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 얻다 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
SSM3K35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35AMFV,L3F 0.2300
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ECAD 239 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 SSM3K35 MOSFET(금속) 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 N채널 20V 250mA(타) 1.2V, 4.5V 1.1옴 @ 150mA, 4.5V 1V @ 100μA 0.34nC @ 4.5V ±10V 10V에서 36pF - 500mW(타)
TPC6011(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6011(TE85L,F,M) -
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ECAD 5591 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 TPC6011 MOSFET(금속) VS-6(2.9x2.8) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 6A(타) 4.5V, 10V 20m옴 @ 3A, 10V 2.5V @ 1mA 14nC @ 10V ±20V 10V에서 640pF - 700mW(타)
TPN11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11003NL,LQ 0.6800
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN11003 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 11A(티씨) 4.5V, 10V 11m옴 @ 5.5A, 10V 100μA에서 2.3V 7.5nC @ 10V ±20V 15V에서 660pF - 700mW(Ta), 19W(Tc)
2SC3665-Y,T2NSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-Y,T2NSF(J -
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ECAD 3531 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC3665 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
TPH3R10AQM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R10AQM,LQ 1.7000
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ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8파워TDFN TPH3R10 MOSFET(금속) 8-SOP 고급(5x5.75) 다운로드 1(무제한) 5,000 N채널 100V 180A(타), 120A(Tc) 6V, 10V 3.1m옴 @ 50A, 10V 500μA에서 3.5V 83nC @ 10V ±20V 50V에서 7400pF - 3W(Ta), 210W(Tc)
TK39N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60X,S1F 7.2100
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ECAD 2761 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 TK39N60 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 38.8A(타) 10V 65m옴 @ 12.5A, 10V 3.5V @ 1.9mA 85nC @ 10V ±30V 300V에서 4100pF - 270W(Tc)
RN2109CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2109CT(TPL3) -
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ECAD 8190 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2109 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 100 @ 10mA, 5V 47kΩ 22kΩ
TTD1415B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TTD1415B,S4X(S -
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ECAD 3496 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 활동적인 TTD1415 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50
SSM6K202FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K202FE,LF 0.4600
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ECAD 15 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6K202 MOSFET(금속) ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 N채널 30V 2.3A(타) 1.8V, 4V 85m옴 @ 1.5A, 4V 1V @ 1mA ±12V 10V에서 270pF - 500mW(타)
RN4603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4603(TE85L,F) 0.3800
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ECAD 7481 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN4603 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 22k옴 22k옴
TK9A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK9A65W,S5X 2.2200
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ECAD 1169 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK9A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 9.3A(타) 10V 500m옴 @ 4.6A, 10V 3.5V @ 350μA 20nC @ 10V ±30V 300V에서 700pF - 30W(Tc)
2SD2695(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695(T6CNO,A,F) -
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ECAD 5381 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SD2695 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 60V 2A 10μA(ICBO) NPN 1.5V @ 1mA, 1A 2000 @ 1A, 2V 100MHz
TK14A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK14A65W,S5X 2.8200
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ECAD 21 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK14A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 13.7A(타) 10V 250m옴 @ 6.9A, 10V 3.5V @ 690μA 35nC @ 10V ±30V 300V에서 1300pF - 40W(Tc)
TK35E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK35E08N1,S1X 1.1500
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ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK35E08 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 80V 55A(Tc) 10V 12.2m옴 @ 17.5A, 10V 300μA에서 4V 25nC @ 10V ±20V 40V에서 1700pF - 72W(Tc)
2SC2714-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2714-Y(TE85L,F) 0.4400
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ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2714 100mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 23dB 30V 20mA NPN 100@1mA, 6V 550MHz 2.5dB @ 100MHz
TK14C65W5,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK14C65W5,S1Q -
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ECAD 2691 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA TK14C65 MOSFET(금속) I2PAK 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 13.7A(타) 10V 300m옴 @ 6.9A, 10V 690μA에서 4.5V 40nC @ 10V ±30V 300V에서 1300pF - 130W(Tc)
2SA1987-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1987-O(Q) 3.4500
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ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3PL 2SA1987 180W TO-3P(L) 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0075 100 230V 15A 5μA(ICBO) PNP 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1A, 5V 30MHz
TK32A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK32A12N1,S4X 1.4000
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ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK32A12 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 120V 32A(Tc) 10V 13.8m옴 @ 16A, 10V 4V에서 500μA 34nC @ 10V ±20V 60V에서 2000pF - 30W(Tc)
TPC6008-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage TPC6008-H(TE85L,FM -
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ECAD 7556 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVI-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 TPC6008 MOSFET(금속) VS-6(2.9x2.8) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 5.9A(타) 4.5V, 10V 60m옴 @ 3A, 10V 100μA에서 2.3V 4.8nC @ 10V ±20V 10V에서 300pF - 700mW(타)
SSM3J133TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J133TU,LF 0.4600
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ECAD 71 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 SSM3J133 MOSFET(금속) UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 5.5A(타) 1.5V, 4.5V 29.8m옴 @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 12.8nC @ 4.5V ±8V 10V에서 840pF - 500mW(타)
2SJ610(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ610(TE16L1,NQ) -
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ECAD 7676 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SJ610 MOSFET(금속) PW-MOLD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 250V 2A(타) 10V 2.55옴 @ 1A, 10V 3.5V @ 1mA 24nC @ 10V ±20V 10V에서 381pF - 20W(타)
TK5A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK5A65W,S5X 1.6000
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ECAD 1655년 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK5A65 MOSFET(금속) TO-220SIS - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 5.2A(타) 10V 1.2옴 @ 2.6A, 10V 170μA에서 3.5V 10.5nC @ 10V ±30V 300V에서 380pF - 30W(Tc)
TPCC8A01-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8A01-H(TE12LQM -
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ECAD 4142 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSV-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-VDFN 옆 패드 TPCC8A01 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.3x3.3) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 21A(타) 4.5V, 10V 9.9m옴 @ 10.5A, 10V 2.3V @ 1mA 20nC @ 10V ±20V 1900pF @ 10V - 700mW(Ta), 30W(Tc)
SSM3K341TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K341TU,LXHF 0.5900
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 MOSFET(금속) UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 60V 6A(타) 4V, 10V 36m옴 @ 4A, 10V 100μA에서 2.5V 9.3nC @ 10V ±20V 10V에서 550pF - 1W(타)
SSM3K318R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K318R,LF 0.4300
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ECAD 710 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3K318 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 60V 2.5A(타) 4.5V, 10V 107m옴 @ 2A, 10V 2.8V @ 1mA 7nC @ 10V ±20V 30V에서 235pF - 1W(타)
TK5Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK5Q65W,S1Q 1.2700
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ECAD 75 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 스텁 레코드, IPak TK5Q65 MOSFET(금속) 아이팩 - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 75 N채널 650V 5.2A(타) 10V 1.22옴 @ 2.6A, 10V 170μA에서 3.5V 10.5nC @ 10V ±30V 300V에서 380pF - 60W(Tc)
RN2504(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2504(TE85L,F) 0.4800
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ECAD 247 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74A, SOT-753 RN2504 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47k옴 47k옴
TK12E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK12E80W,S1X 3.6100
보상요청
ECAD 4687 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 TK12E80 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 800V 11.5A(타) 10V 450m옴 @ 5.8A, 10V 4V에서 570μA 23nC @ 10V ±20V 300V에서 1400pF - 165W(Tc)
SSM6P35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35AFE,LF 0.4200
보상요청
ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6P35 MOSFET(금속) 150mW(타) ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 2 P채널(듀얼) 20V 250mA(타) 1.4옴 @ 150mA, 4.5V 1V @ 100μA - 42pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.2V 드라이브
2SC4935-Y,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4935-Y,Q(J -
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ECAD 8469 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC4935 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 50V 3A 1μA(ICBO) NPN 600mV @ 200mA, 2A 70 @ 500mA, 2V 80MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고