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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 내구성 인증(암페어) 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
SSM6P47NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P47NU,LF 0.4200
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6P47 MOSFET(금속) 1W 6-μDFN(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 20V 4A 95m옴 @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1mA 4.6nC @ 4.5V 290pF @ 10V 게임 레벨 레벨
RN2306,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2306,LF 0.1900
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 ECAD 2146 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2306 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 47kΩ
TPCA8009-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8009-H(TE12L,Q -
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 ECAD 7100 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8009 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 150V 7A(타) 10V 350m옴 @ 3.5A, 10V 4V @ 1mA 10nC @ 10V ±20V 10V에서 600pF - 1.6W(Ta), 45W(Tc)
2SK2962,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962,T6F(M -
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 ECAD 4332 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SK2962 TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 1A(티제이)
TK4A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4A80E,S4X 1.2300
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 ECAD 9274 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 800V 4A(타) 10V 3.5옴 @ 2A, 10V 4V @ 400μA 15nC @ 10V ±30V 25V에서 650pF - 35W(Tc)
3SK294(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK294(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 12.5V 표면 실장 SC-82A, SOT-343 3SK294 500MHz MOSFET USQ 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30mA 10mA - 26dB 1.4dB 6V
RN2313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2313(TE85L,F) -
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 ECAD 4403 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2313 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 47kΩ
RN2301,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301,LXHF 0.3900
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2301 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
RN4901,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901,LXHF(CT 0.4400
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 ECAD 6357 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4901 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
RN4902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4902 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 10k옴 10k옴
2SD2206(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206(TE6,F,M) -
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 ECAD 7464 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SD2206 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 100V 2A 10μA(ICBO) NPN 1.5V @ 1mA, 1A 2000 @ 1A, 2V 100MHz
RN1705,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1705,LF 0.3000
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1705 200mW USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2k옴 47k옴
2SC4793,YHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793,YHF(J -
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 ECAD 4612 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC4793 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 230V 1A 1μA(ICBO) NPN 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 100MHz
RN1113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1113CT(TPL3) -
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 ECAD 5999 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN1113 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 300@1mA, 5V 47kΩ
TK62N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60W5,S1VF 11.3800
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 ECAD 18 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 61.8A(타) 10V 45m옴 @ 30.9A, 10V 4.5V @ 3.1mA 205nC @ 10V ±30V 300V에서 6500pF - 400W(Tc)
TPH1R204PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R204PL1,LQ 1.6600
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 ECAD 16 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-SOP 고급(5x5.75) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 150A(Tc) 4.5V, 10V 1.24m옴 @ 50A, 10V 500μA에서 2.4V 74nC @ 10V ±20V 20V에서 7200pF - 960mW(Ta), 170W(Tc)
TPH2010FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2010FNH,L1Q 1.6200
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 ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH2010 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 250V 5.6A(타) 10V 198m옴 @ 2.8A, 10V 4V @ 200μA 7nC @ 10V ±20V 100V에서 600pF - 1.6W(Ta), 42W(Tc)
SSM6N7002BFU(T5L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU(T5L,F -
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 ECAD 3812 0.00000000 도시바 및 저장 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N7002 MOSFET(금속) 300mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 60V 200mA 2.1옴 @ 500mA, 10V 250μA에서 3.1V - 17pF @ 25V 게임 레벨 레벨
HN1A01F-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01F-Y(TE85L,F) -
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 ECAD 3952 0.00000000 도시바 및 저장 - 컷테이프(CT) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 HN1A01 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 PNP(이중) 300mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
TK7A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A45DA(STA4,Q,M) 1.4000
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 ECAD 5114 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK7A45 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 450V 6.5A(타) 10V 1.2옴 @ 3.3A, 10V 4.4V @ 1mA 11nC @ 10V ±30V 25V에서 540pF - 35W(Tc)
2SA965-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y,F(J -
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 ECAD 3433 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA965 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) PNP 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
TK17A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK17A80W,S4X 3.8400
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 ECAD 28 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK17A80 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 800V 17A(타) 10V 290m옴 @ 8.5A, 10V 4V @ 850μA 32nC @ 10V ±20V 2050pF @ 300V - 45W(Tc)
HN1B04F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04F(TE85L,F) -
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 ECAD 3334 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 HN1B04 300mW SM6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 500mA 100nA(ICBO) NPN, PNP 250mV @ 10mA, 100mA 70 @ 100mA, 1V 200MHz
SSM3J372R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J372R,LF 0.4400
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 ECAD 334 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3J372 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 6A(타) 1.8V, 10V 42m옴 @ 5A, 10V 1.2V @ 1mA 8.2nC @ 4.5V +12V, -6V 15V에서 560pF - 1W(타)
RN4988(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4988(T5L,F,T) -
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 ECAD 6086 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4988 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100μA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 22k옴 47k옴
2SC5171(LBS2MATQ,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171(LBS2MATQ,M -
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 ECAD 8910 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC5171 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 180V 2A 5μA(ICBO) NPN 1V @ 100mA, 1A 100 @ 100mA, 5V 200MHz
RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1302,LF 0.2600
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1302 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
RN1405,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1405,LXHF 0.3400
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1405 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 47kΩ
2SA1162-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-GR,LXHF 0.3900
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 ECAD 454 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
RN1112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112CT(TPL3) -
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 ECAD 9061 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN1112 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 300@1mA, 5V 22kΩ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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