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트랜지스터 (2488)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
2SA965-Y,SWFF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-y, SWFF (m -
RFQ
 ECAD 8844 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA965 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA (ICBO) PNP 1V @ 50MA, 500MA 80 @ 100MA, 5V 120MHz
RN2118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2118 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 7756 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN2118 100MW SSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 200MHz 47 Kohms 10 KOHMS
2SA1020-Y(T6TR1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6TR1, AF -
RFQ
 ECAD 8896 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1020 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
ULN2803AFWG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage ULN2803AFWG, C, EL -
RFQ
 ECAD 4777 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 18- SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) ULN2803 1.31W 18-SOP 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1,000 50V 500ma - 8 npn 달링턴 1.6V @ 500µa, 350ma 1000 @ 350MA, 2V -
MT3S20TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20TU (TE85L) -
RFQ
 ECAD 2541 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 MT3S20 900MW UFM - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 12db 12V 80ma NPN 100 @ 50MA, 5V 7GHz 1.45db @ 20ma, 5V
TK62N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60W5, S1VF 11.3800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 61.8A (TA) 10V 45mohm @ 30.9a, 10V 4.5V @ 3.1ma 205 NC @ 10 v ± 30V 6500 pf @ 300 v - 400W (TC)
TK090Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK090Z65Z, S1F 6.3200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosvi 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-247-4 MOSFET (금속 (() TO-247-4L (T) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 650 v 30A (TA) 10V 90mohm @ 15a, 10V 4V @ 1.27ma 47 NC @ 10 v ± 30V 2780 pf @ 300 v - 230W (TC)
RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV, L3F 0.1700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN1104 150 MW VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 47 Kohms 47 Kohms
SSM6K824R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K824R, LF 0.5100
RFQ
 ECAD 2947 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6K824 MOSFET (금속 (() 6TSOP-F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6A (TA) 1.5V, 4.5V 33mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 1mA 3.6 NC @ 4.5 v ± 8V 410 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
TK20C60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20C60W, S1VQ -
RFQ
 ECAD 8691 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA TK20C60 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 20A (TA) 10V 155mohm @ 10a, 10V 3.7v @ 1ma 48 NC @ 10 v ± 30V 1680 pf @ 300 v - 165W (TC)
TK31N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60X, S1F 5.9700
RFQ
 ECAD 9517 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv-h 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 TK31N60 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 30.8A (TA) 10V 88mohm @ 9.4a, 10V 3.5v @ 1.5ma 65 nc @ 10 v ± 30V 3000 pf @ 300 v - 230W (TC)
2SC6139,T2F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6139, T2F (m -
RFQ
 ECAD 7133 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-71 2SC6139 1 W. MSTM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 160 v 1.5 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 140 @ 100MA, 5V 100MHz
RN1911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1911 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 2298 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1911 100MW US6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7kohms -
TTD1415B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TTD1415B, S4X (s -
RFQ
 ECAD 3496 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 활동적인 TTD1415 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50
2SC5171,MATUDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171, Matudq (j -
RFQ
 ECAD 1872 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SC5171 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µA (ICBO) NPN 1V @ 100MA, 1A 100 @ 100ma, 5V 200MHz
TPH6R004PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R004PL, LQ 0.7900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powervdfn TPH6R004 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 87A (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 24.5A, 10V 2.4V @ 200µA 30 nc @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 20 v - 1.8W (TA), 81W (TC)
3SK294(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK294 (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 12.5 v 표면 표면 SC-82A, SOT-343 3SK294 500MHz MOSFET USQ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30ma 10 MA - 26db 1.4dB 6 v
TPCA8011-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8011-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 5101 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii-h 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPCA8011 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 40A (TA) 2.5V, 4.5V 3.5mohm @ 20a, 4.5v 1.3V @ 200µA 32 NC @ 5 v ± 12V 2900 pf @ 10 v - 1.6W (TA), 45W (TC)
RN2109MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2109MFV, L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 7200 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN2109 150 MW VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 47 Kohms 22 KOHMS
2SC2229-O(MIT1F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O (MIT1F, M) -
RFQ
 ECAD 5931 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2229 800MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 150 v 50 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1ma, 10ma 70 @ 10ma, 5V 120MHz
RN2111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2111Act (TPL3) 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN2111 100MW CST3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 150mv @ 250µa, 5mA 120 @ 1ma, 5V 10 KOHMS
RN1961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1961FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 8974 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN1961 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
TK16A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK16A45D (STA4, Q, M) -
RFQ
 ECAD 9568 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK16A45 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 450 v 16A 270mohm @ 8a, 10V - - -
RN1306,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1306, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN1306 100MW SC-70 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
TK4P60DB(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60DB (T6RSS-Q) -
RFQ
 ECAD 1320 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK4P60 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) TK4P60DBT6RSSQ 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 3.7A (TA) 10V 2ohm @ 1.9a, 10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 v ± 30V 540 pf @ 25 v - 80W (TC)
RN2904FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 8069 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN2904 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 47kohms 47kohms
RN1113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1113CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 5999 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN1113 50 MW CST3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 150mv @ 250µa, 5mA 300 @ 1ma, 5V 47 Kohms
RN1970FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1970FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 9551 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN1970 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7kohms -
RN1112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 9061 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN1112 50 MW CST3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 150mv @ 250µa, 5mA 300 @ 1ma, 5V 22 KOHMS
SSM6J505NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J505NU, LF 0.5100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 SSM6J505 MOSFET (금속 (() 6-udfnb (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 12A (TA) 1.2V, 4.5V 12MOHM @ 4A, 4.5V 1V @ 1mA 37.6 NC @ 4.5 v ± 6V 2700 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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