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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
SSM3J144TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU,LF 0.4100
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 SSM3J144 MOSFET(금속) UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 3.2A(타) 1.5V, 4.5V 93m옴 @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1mA 4.7nC @ 4.5V +6V, -8V 10V에서 290pF - 500mW(타)
TPN5R203PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN5R203PL,LQ 0.6400
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ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPN5R203 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 38A(Tc) 4.5V, 10V 5.2m옴 @ 19A, 10V 2.1V @ 200μA 22nC @ 10V ±20V 1975pF @ 15V - 610mW(Ta), 61W(Tc)
TPCP8103-H(TE85LFM Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8103-H(TE85LFM -
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ECAD 9306 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TCPP8103 MOSFET(금속) PS-8(2.9x2.4) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 40V 4.8A(타) 4.5V, 10V 40m옴 @ 2.4A, 10V 2V @ 1mA 19nC @ 10V ±20V 10V에서 800pF - 840mW(타)
TPC8207(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8207(TE12L) -
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ECAD 4725 0.00000000 도시바 및 저장 - Digi-Reel® 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TPC8207 MOSFET(금속) 750mW 8-SOP(5.5x6.0) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 20V 6A 20m옴 @ 4.8A, 4V 200μA에서 1.2V 22nC @ 5V 2010pF @ 10V 게임 레벨 레벨
2SK3700(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3700(F) 2.5200
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ECAD 100 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 2SK3700 MOSFET(금속) TO-3P(엔) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 900V 5A(타) 2.5옴 @ 3A, 10V 4V @ 1mA 28nC @ 10V 25V에서 1150pF - 150W(Tc)
RN1968FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1968FE(TE85L,F) -
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ECAD 5591 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1968 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22k옴 47k옴
2SC2383-O(T6OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-O(T6OMI, FM -
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ECAD 4250 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2383 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 160V 1A 1μA(ICBO) NPN 1.5V @ 50mA, 500mA 60 @ 200mA, 5V 100MHz
TPH3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R70APL,L1Q 1.6400
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ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPH3R70 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 100V 90A(Tc) 4.5V, 10V 3.7m옴 @ 45A, 10V 2.5V @ 1mA 67nC @ 10V ±20V 50V에서 6300pF - 960mW(Ta), 170W(Tc)
TDTC143Z,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC143Z,LM 0.1800
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTC143 320mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ
TTB1020B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TTB1020B,S4X(S -
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ECAD 8142 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 활동적인 TTB1020 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50
2SC5085-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5085-Y(TE85L,F) -
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ECAD 3125 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SC5085 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 11dB ~ 16.5dB 12V 80mA NPN 120 @ 20mA, 10V 7GHz 1.1dB @ 1GHz
TK80S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK80S06K3L(T6L1,NQ -
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ECAD 7483 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK80S06 MOSFET(금속) DPAK+ - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 60V 80A(타) 6V, 10V 5.5m옴 @ 40A, 10V 3V @ 1mA 85nC @ 10V ±20V 10V에서 4200pF - 100W(Tc)
TK11A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A45D(STA4,Q,M) 1.8600
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ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK11A45 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 450V 11A(타) 10V 620m옴 @ 5.5A, 10V 4V @ 1mA 20nC @ 10V ±30V 25V에서 1050pF - 40W(Tc)
XPH2R106NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH2R106NC,L1XHQ 2.1700
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ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-SOIC(0.197", 5.00mm 폭) XPH2R106 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 110A(타) 2.1m옴 @ 55A, 10V 2.5V @ 1mA 104nC @ 10V ±20V 6900pF @ 10V - 960mW(Ta), 170W(Tc)
TK380A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK380A65Y,S4X 1.8300
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ECAD 95 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK380A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 9.7A(Tc) 10V 380m옴 @ 4.9A, 10V 4V @ 360μA 20nC @ 10V ±30V 300V에서 590pF - 30W(Tc)
RN1307,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1307,LF 0.2200
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1307 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 47kΩ
SSM6P35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35AFE,LF 0.4200
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ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6P35 MOSFET(금속) 150mW(타) ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 2 P채널(듀얼) 20V 250mA(타) 1.4옴 @ 150mA, 4.5V 1V @ 100μA - 42pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.2V 드라이브
RN2104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2104MFV,L3F -
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ECAD 2607 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2104 150mW 베스엠 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) RN2104MFVL3F EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 47kΩ
TPCA8062-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8062-H,LQ(CM -
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ECAD 4497 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8062 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 28A(타) 4.5V, 10V 5.6m옴 @ 14A, 10V 300μA에서 2.3V 34nC @ 10V ±20V 2900pF @ 10V - 1.6W(Ta), 42W(Tc)
SSM6N357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N357R,LF 0.4100
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ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6N357 MOSFET(금속) 1.5W(타) 6-TSOP-F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 60V 650mA(타) 1.8옴 @ 150mA, 5V 2V @ 1mA 1.5nC @ 5V 60pF @ 12V -
2SA1930(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930(Q,M) -
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ECAD 3597 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1930 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 500 180V 2A 5μA(ICBO) PNP 1V @ 100mA, 1A 100 @ 100mA, 5V 200MHz
2SK2962,T6WNLF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962,T6WNLF(M -
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ECAD 5951 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SK2962 TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 1A(티제이)
SSM3K361R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361R,LXHF 0.6400
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ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 100V 3.5A(타) 4.5V, 10V 69m옴 @ 2A, 10V 100μA에서 2.5V 3.2nC @ 4.5V ±20V 15V에서 430pF - 1.2W(타)
TTC5460B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTC5460B,Q(S -
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ECAD 9144 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 활동적인 TTC5460 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 250
TPCC8105,L1Q(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105,L1Q(CM -
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ECAD 1963년 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 8-VDFN 옆 패드 TPCC8105 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.3x3.3) - 1(무제한) 264-TPCC8105L1Q(CMTR EAR99 8541.29.0095 5,000 P채널 30V 23A(타) 4.5V, 10V 7.8m옴 @ 11.5A, 10V 2V에서 500μA 76nC @ 10V +20V, -25V 10V에서 3240pF - 700mW(Ta), 30W(Tc)
TK4A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A60D(STA4,Q,M) -
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ECAD 6275 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK4A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 4A(타) 10V 1.7옴 @ 2A, 10V 4.4V @ 1mA 12nC @ 10V ±30V 25V에서 600pF - 35W(Tc)
RN1704,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1704,LF 0.3000
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ECAD 210 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1704 200mW USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47k옴 47k옴
2SA949-Y(T6JVC1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y(T6JVC1,FM -
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ECAD 6789 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA949 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) PNP 800mV @ 1mA, 10A 70 @ 10mA, 5V 120MHz
RN2304,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2304,LXHF 0.3900
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ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2304 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 47kΩ
RN2408,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2408,LXHF 0.3400
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ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2408 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 47kΩ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고