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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
TK2P60D(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TK2P60D(TE16L1,NQ) -
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ECAD 2671 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK2P60 MOSFET(금속) PW-MOLD 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 600V 2A(타) 10V 4.3옴 @ 1A, 10V 4.4V @ 1mA 7nC @ 10V ±30V 280pF @ 25V - 60W(Tc)
SSM6K781G,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K781G,LF 0.5100
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ECAD 850 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-UFBGA, WLCSP SSM6K781 MOSFET(금속) 6-WCSPC(1.5x1.0) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 12V 7A(타) 1.5V, 4.5V 18m옴 @ 1.5A, 4.5V 1V @ 250μA 5.4nC @ 4.5V ±8V 600pF @ 6V - 1.6W(타)
RN1110(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1110(T5L,F,T) -
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ECAD 5975 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1110 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 4.7kΩ
TK25A20D,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK25A20D,S5X 1.7900
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ECAD 40 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 200V 25A(타) 10V 70mΩ @ 12.5A, 10V 3.5V @ 1mA 60nC @ 10V ±20V 100V에서 2550pF - 45W(Tc)
2SA1721OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1721OTE85LF 0.1207
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ECAD 5444 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1721 150mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 300V 100mA 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 2mA, 20mA 30 @ 20mA, 10V 50MHz
RN2412,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412,LXHF 0.0645
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ECAD 2650 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2412 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 22kΩ
TK4A60DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A60DA(STA4,Q,M) -
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ECAD 8479 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK4A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 3.5A(타) 10V 2.2옴 @ 1.8A, 10V 4.4V @ 1mA 11nC @ 10V ±30V 490pF @ 25V - -
2SA1020-O(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O(F,M) -
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ECAD 4526 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1020 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK40E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK40E06N1,S1X 1.0400
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ECAD 9091 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK40E06 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 40A(타) 10V 10.4m옴 @ 20A, 10V 300μA에서 4V 23nC @ 10V ±20V 30V에서 1700pF - 67W(Tc)
TK28A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK28A65W,S5X 5.0100
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ECAD 34 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK28A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 27.6A(타) 10V 110m옴 @ 13.8A, 10V 3.5V @ 1.6mA 75nC @ 10V ±30V 300V에서 3000pF - 45W(Tc)
RN1118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1118(T5L,F,T) -
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ECAD 3198 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1118 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 10kΩ
2SC5200-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5200-O(Q) 3.0600
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ECAD 2325 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3PL 2SC5200 150W TO-3P(L) 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0075 100 230V 15A 5μA(ICBO) NPN 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1A, 5V 30MHz
TK7E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK7E80W,S1X 2.8500
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ECAD 8245 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 TK7E80 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 800V 6.5A(타) 10V 950m옴 @ 3.3A, 10V 4V @ 280μA 13nC @ 10V ±20V 300V에서 700pF - 110W(Tc)
HN1C03F-B(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03F-B(TE85L,F) 0.1485
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ECAD 6796 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 HN1C03 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 100mV @ 3mA, 30mA 350 @ 4mA, 2V 30MHz
RN2113,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2113,LXHF(CT 0.0624
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ECAD 9067 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2113 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 47kΩ
SSM3J358R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J358R,LF 0.4700
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3J358 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 6A(타) 1.8V, 8V 22.1m옴 @ 6A, 8V 1V @ 1mA 38.5nC @ 8V ±10V 10V에서 1331pF - 1W(타)
GT40WR21,Q Toshiba Semiconductor and Storage GT40WR21,Q 11.0200
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ECAD 7358 0.00000000 도시바 및 저장 - 쟁반 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 기준 375W TO-3P(엔) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 100 - - 1350V 40A 80A 5.9V @ 15V, 40A - -
TPH7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R506NH,L1Q 1.4700
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ECAD 26 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH7R506 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 22A(타) 10V 7.5m옴 @ 11A, 10V 300μA에서 4V 31nC @ 10V ±20V 30V에서 2320pF - 1.6W(Ta), 45W(Tc)
RN2308(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2308(TE85L,F) 0.2700
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2308 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 47kΩ
TK7P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7P60W,RVQ 1.8400
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ECAD 9031 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK7P60 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 600V 7A(타) 10V 600m옴 @ 3.5A, 10V 3.7V @ 350μA 15nC @ 10V ±30V 300V에서 490pF - 60W(Tc)
TK13A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A45D(STA4,Q,M) 2.4700
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ECAD 9513 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK13A45 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 450V 13A(타) 10V 460m옴 @ 6.5A, 10V 4V @ 1mA 25nC @ 10V ±30V 1350pF @ 25V - 45W(Tc)
TTB1020B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TTB1020B,S4X(S -
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ECAD 8142 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 활동적인 TTB1020 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50
SSM3K361R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361R,LXHF 0.6400
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ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 100V 3.5A(타) 4.5V, 10V 69m옴 @ 2A, 10V 100μA에서 2.5V 3.2nC @ 4.5V ±20V 15V에서 430pF - 1.2W(타)
2SC6042,T2WNLQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6042,T2WNLQ(J -
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ECAD 6294 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC6042 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 375V 1A 100μA(ICBO) NPN 1V @ 100mA, 800mA 100 @ 100mA, 5V -
2SA1761,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1761,T6F(J -
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ECAD 8513 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1761 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 3A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 75mA, 1.5A 120 @ 100mA, 2V 100MHz
2SC2655-Y(T6CN,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y(T6CN,A,F -
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ECAD 8602 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2655 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN4983,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983,LXHF(CT 0.4400
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4983 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 22k옴 22k옴
TPC6901(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6901(TE85L,F,M) -
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ECAD 6955 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 TPC6901 400mW VS-6(2.9x2.8) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 1A, 700mA 100nA(ICBO) NPN, PNP 170mV @ 6mA, 300mA / 230mV @ 10mA, 300mA 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V -
TPN1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1110ENH,L1Q 1.6800
보상요청
ECAD 1291 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN1110 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 200V 7.2A(타) 10V 114m옴 @ 3.6A, 10V 4V @ 200μA 7nC @ 10V ±20V 100V에서 600pF - 700mW(Ta), 39W(Tc)
TK040N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK040N65Z,S1F 11.2700
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ECAD 300 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-247-3 TK040N65 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 57A(타) 10V 40m옴 @ 28.5A, 10V 4V @ 2.85mA 105nC @ 10V ±30V 300V에서 6250pF - 360W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고