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트랜지스터 (2488)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f) 전류 전류 (ID) - 최대
2SC6026MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026MFV-Y, L3F 0.1900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 2SC6026 150 MW VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 60MHz
TK7P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7P60W, RVQ 1.8400
RFQ
 ECAD 9031 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Tk7p60 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 7A (TA) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 3.7V @ 350µA 15 nc @ 10 v ± 30V 490 pf @ 300 v - 60W (TC)
XPJR6604PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPJR6604PB, LXHQ 2.7700
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSIX-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 5-powersfn MOSFET (금속 (() S-TOGL ™ - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 200a (TA) 6V, 10V 0.66MOHM @ 100A, 10V 3V @ 1mA 128 NC @ 10 v ± 20V 11380 pf @ 10 v - 375W (TC)
SSM3K7002CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002CFU, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosvii-h 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SSM3K7002 MOSFET (금속 (() USM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 170ma (TA) 4.5V, 10V 3.9ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.35 nc @ 4.5 v ± 20V 17 pf @ 10 v - 150MW (TA)
TK14N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK14N65W5, S1F 4.3100
RFQ
 ECAD 4776 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 TK14N65 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 13.7A (TA) 10V 300mohm @ 6.9a, 10V 4.5V @ 690µA 40 nc @ 10 v ± 30V 1300 pf @ 300 v - 130W (TC)
2SA1930,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930, Q (j -
RFQ
 ECAD 3454 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SA1930 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µA (ICBO) PNP 1V @ 100MA, 1A 100 @ 100ma, 5V 200MHz
RN2905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905, LF (Ct 0.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2905 200MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 2.2kohms 47kohms
TK20S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20S04K3L (T6L1, NQ -
RFQ
 ECAD 2714 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u- 모시브 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK20S04 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 20A (TA) 6V, 10V 14mohm @ 10a, 10V 3V @ 1mA 18 nc @ 10 v ± 20V 820 pf @ 10 v - 38W (TC)
TK62N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60W5, S1VF 11.3800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 61.8A (TA) 10V 45mohm @ 30.9a, 10V 4.5V @ 3.1ma 205 NC @ 10 v ± 30V 6500 pf @ 300 v - 400W (TC)
RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1302, LF 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN1302 100MW SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
RN2408,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2408, LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2408 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 22 KOHMS 47 Kohms
RN1701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1701JE (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-553 RN1701 100MW ESV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (이중 이중) (이미 터 커플 링) 300MV @ 250µA, 5MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
2SC5085-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5085-Y (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 3125 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SC5085 100MW SC-70 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 11dB ~ 16.5dB 12V 80ma NPN 120 @ 20MA, 10V 7GHz 1.1db @ 1ghz
TTD1415B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TTD1415B, S4X (s -
RFQ
 ECAD 3496 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 활동적인 TTD1415 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50
TK12E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK12E80W, S1X 3.6100
RFQ
 ECAD 4687 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 TK12E80 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 11.5A (TA) 10V 450mohm @ 5.8a, 10V 4V @ 570µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 300 v - 165W (TC)
RN2110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2110ACT (TPL3) 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN2110 100MW CST3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 150mv @ 250µa, 5mA 120 @ 1ma, 5V 4.7 Kohms
TPH1R306PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL1, LQ 2.4200
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5.75) - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.34mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 1mA 91 NC @ 10 v ± 20V 8100 pf @ 30 v - 960MW (TA), 210W (TC)
RN1909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1909 (T5L, F, T) 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1909 200MW US6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz 47kohms 22kohms
RN2301,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN2301 100MW SC-70 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 30 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-Y (TE85L, F) 0.4900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100MW S- 미니 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 8.2pf @ 10V 50 v 1.2 ma @ 10 v 400 mV @ 100 NA 6.5 MA
TK560A60Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK560A60Y, S4X 1.5300
RFQ
 ECAD 1059 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 DTMOSV 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK560A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 560mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 240µA 14.5 nc @ 10 v ± 30V 380 pf @ 300 v - 30W
RN1111,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1111, LXHF (Ct 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN1111 100MW SSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 10 KOHMS
RN2424(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2424 (TE85L, F) 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2424 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 800 MA 500NA pnp- 사전- 250mv @ 1ma, 50ma 90 @ 100MA, 1V 200MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
TJ30S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ30S06M3L (T6L1, NQ 0.7102
RFQ
 ECAD 2570 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TJ30S06 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 30A (TA) 6V, 10V 21.8mohm @ 15a, 10V 3V @ 1mA 80 nc @ 10 v +10V, -20V 3950 pf @ 10 v - 68W (TC)
2SC6042,T2WNLQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6042, T2WNLQ (j -
RFQ
 ECAD 6294 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-71 2SC6042 1 W. MSTM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 375 v 1 a 100µA (ICBO) NPN 1V @ 100MA, 800MA 100 @ 100ma, 5V -
TPCC8A01-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8A01-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 4142 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSV-H 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 TPCC8A01 MOSFET (금속 (() 8 3 3. (3.3x3.3) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 21A (TA) 4.5V, 10V 9.9mohm @ 10.5a, 10v 2.3v @ 1ma 20 nc @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 10 v - 700MW (TA), 30W (TC)
2SC6076(TE16L1,NV) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6076 (TE16L1, NV) 0.6300
RFQ
 ECAD 7769 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SC6076 10 W. PW-Mold 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 2,000 80 v 3 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 180 @ 500ma, 2V 150MHz
RN2113,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2113, LXHF (Ct 0.0624
RFQ
 ECAD 9067 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN2113 100MW SSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 47 Kohms
2SA1020-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y, T6KEHF (m -
RFQ
 ECAD 1707 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1020 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
RN4984FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984FE, LF (Ct 0.2800
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN4984 100MW ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 47kohms 47kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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