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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RN2905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905FE,LXHF(CT 0.3800
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ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2905 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2k옴 47k옴
2SC2235-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y(T6CANOFM -
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ECAD 1780년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2235 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) 2SC2235YT6CANOFM EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
RN1702,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1702,LF 0.3000
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1702 200mW USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10k옴 10k옴
TK17A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK17A65W5,S5X 3.1400
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ECAD 100 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK17A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 17.3A(타) 10V 230m옴 @ 8.7A, 10V 900μA에서 4.5V 50nC @ 10V ±30V 300V에서 1800pF - 45W(Tc)
TK4P60DB(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60DB(T6RSS-Q) -
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ECAD 1320 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK4P60 MOSFET(금속) D-박 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TK4P60DBT6RSSQ EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 600V 3.7A(타) 10V 2옴 @ 1.9A, 10V 4.4V @ 1mA 11nC @ 10V ±30V 25V에서 540pF - 80W(Tc)
HN1B04FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-Y,LF 0.2700
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ECAD 12 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B04 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN, PNP 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 150MHz
TK31Z60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK31Z60X,S1F 12.4300
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ECAD 11 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-247-4 TK31Z60 MOSFET(금속) TO-247-4L(T) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 25 N채널 600V 30.8A(타) 10V 88m옴 @ 9.4A, 10V 3.5V @ 1.5mA 65nC @ 10V ±30V 300V에서 3000pF - 230W(Tc)
SSM6L12TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L12TU,LF 0.5100
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6L12 MOSFET(금속) 500mW UF6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N 및 P 채널 30V, 20V 500mA(타) 145m옴 @ 500mA, 4.5V, 260m옴 @ 250mA, 4V 1.1V @ 100μA - 245pF @ 10V, 218pF @ 10V -
RN1410,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1410,LXHF 0.0645
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ECAD 9455 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1410 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 4.7kΩ
TTA004B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTA004B,Q 0.4500
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-225AA, TO-126-3 TTA004 10W TO-126N 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 250 160V 1.5A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 500mA 140 @ 100mA, 5V 100MHz
2SC6026CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026CT-Y(TPL3) -
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ECAD 7438 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 2SC6026 100mW CST3 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 60MHz
RN1427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1427TE85LF 0.3900
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1427 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 800mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250mV @ 1mA, 50mA 90 @ 100mA, 1V 300MHz 2.2kΩ 10kΩ
SSM6N67NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N67NU,LF 0.5000
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ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6N67 MOSFET(금속) 2W(타) 6-μDFN(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 30V 4A(타) 39.1m옴 @ 2A, 4.5V 1V @ 1mA 3.2nC @ 4.5V 310pF @ 15V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.8V 드라이브
2SA1931,BOSCHQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931,BOSCHQ(J -
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ECAD 2292 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1931 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 50V 5A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 200mA, 2A 100 @ 1A, 1V 60MHz
RN2306,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2306,LF 0.1900
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ECAD 2146 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2306 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 47kΩ
SSM6P47NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P47NU,LF 0.4200
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6P47 MOSFET(금속) 1W 6-μDFN(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 20V 4A 95m옴 @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1mA 4.6nC @ 4.5V 290pF @ 10V 게임 레벨 레벨
TPN1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1110ENH,L1Q 1.6800
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ECAD 1291 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN1110 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 200V 7.2A(타) 10V 114m옴 @ 3.6A, 10V 4V @ 200μA 7nC @ 10V ±20V 100V에서 600pF - 700mW(Ta), 39W(Tc)
TK16A60W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W,S4X 2.3741
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ECAD 4531 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK16A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TK16A60WS4X EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 15.8A(타) 10V 190m옴 @ 7.9A, 10V 790μA에서 3.7V 40nC @ 10V ±30V 300V에서 1350pF - 40W(Tc)
TK25V60X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X5,LQ 5.0300
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ECAD 8257 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 4-VSFN 옆형 패드 MOSFET(금속) 4-DFN-EP(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 25A(타) 10V 150m옴 @ 7.5A, 10V 4.5V @ 1.2mA 60nC @ 10V ±30V 300V에서 2400pF - 180W(Tc)
SSM6J213FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J213FE(TE85L,F 0.4700
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ECAD 8736 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6J213 MOSFET(금속) ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 P채널 20V 2.6A(타) 1.5V, 4.5V 103m옴 @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1mA 4.7nC @ 4.5V ±8V 10V에서 290pF - 500mW(타)
SSM6J503NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J503NU,LF 0.4600
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6J503 MOSFET(금속) 6-UDFNB(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 6A(타) 1.5V, 4.5V 32.4m옴 @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 12.8nC @ 10V ±8V 10V에서 840pF - 1W(타)
2SK3670,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670,F(J -
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ECAD 2775 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SK3670 TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 670mA(Tj)
XPJR6604PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPJR6604PB,LXHQ 2.7700
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ECAD 1489 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 5-PowerSFN MOSFET(금속) S-TOGL™ - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 40V 200A(타) 6V, 10V 0.66m옴 @ 100A, 10V 3V @ 1mA 128nC @ 10V ±20V 11380pF @ 10V - 375W(Tc)
RN2410,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2410,LXHF 0.0645
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ECAD 7556 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2410 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 4.7kΩ
2SK4017(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4017(Q) -
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ECAD 1117 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 스텁 레코드, IPak 2SK4017 MOSFET(금속) PW-MOLD2 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 200 N채널 60V 5A(타) 4V, 10V 100m옴 @ 2.5A, 10V 2.5V @ 1mA 15nC @ 10V ±20V 10V에서 730pF - 20W(Tc)
SSM3J144TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU,LXHF 0.4300
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ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 MOSFET(금속) UFM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 3.2A(타) 1.5V, 4.5V 93m옴 @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1mA 4.7nC @ 4.5V +6V, -8V 10V에서 290pF - 500mW(타)
SSM3K37CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37CT,L3F 0.2900
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ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 SSM3K37 MOSFET(금속) CST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 20V 200mA(타) 1.5V, 4.5V 2.2옴 @ 100mA, 4.5V 1V @ 1mA ±10V 12pF @ 10V - 100mW(타)
RN2108,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2108,LXHF(CT 0.3300
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ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2108 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 47kΩ
2SC5201,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201,T6F(J -
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ECAD 4968 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC5201 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 600V 50mA 1μA(ICBO) NPN 1V @ 500mA, 20mA 100 @ 20mA, 5V -
RN2118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2118(T5L,F,T) -
보상요청
ECAD 7756 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2118 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 10kΩ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고