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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
TK16A60W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W,S4X 2.3741
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 ECAD 4531 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK16A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) TK16A60WS4X EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 15.8A(타) 10V 190m옴 @ 7.9A, 10V 790μA에서 3.7V 40nC @ 10V ±30V 300V에서 1350pF - 40W(Tc)
TK25V60X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X5,LQ 5.0300
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 ECAD 8257 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 4-VSFN 옆형 패드 MOSFET(금속) 4-DFN-EP(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 25A(타) 10V 150m옴 @ 7.5A, 10V 4.5V @ 1.2mA 60nC @ 10V ±30V 300V에서 2400pF - 180W(Tc)
SSM6J213FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J213FE(TE85L,F 0.4700
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 ECAD 8736 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6J213 MOSFET(금속) ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 P채널 20V 2.6A(타) 1.5V, 4.5V 103m옴 @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1mA 4.7nC @ 4.5V ±8V 10V에서 290pF - 500mW(타)
SSM6J503NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J503NU,LF 0.4600
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6J503 MOSFET(금속) 6-UDFNB(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 6A(타) 1.5V, 4.5V 32.4m옴 @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 12.8nC @ 10V ±8V 10V에서 840pF - 1W(타)
2SK3670,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670,F(J -
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 ECAD 2775 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SK3670 TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 670mA(Tj)
XPJR6604PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPJR6604PB,LXHQ 2.7700
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 ECAD 1489 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 5-PowerSFN MOSFET(금속) S-TOGL™ - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 40V 200A(타) 6V, 10V 0.66m옴 @ 100A, 10V 3V @ 1mA 128nC @ 10V ±20V 11380pF @ 10V - 375W(Tc)
RN2410,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2410,LXHF 0.0645
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 ECAD 7556 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2410 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 4.7kΩ
2SK4017(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4017(Q) -
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 ECAD 1117 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 스텁 레코드, IPak 2SK4017 MOSFET(금속) PW-MOLD2 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 200 N채널 60V 5A(타) 4V, 10V 100m옴 @ 2.5A, 10V 2.5V @ 1mA 15nC @ 10V ±20V 10V에서 730pF - 20W(Tc)
SSM3J144TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU,LXHF 0.4300
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 MOSFET(금속) UFM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 3.2A(타) 1.5V, 4.5V 93m옴 @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1mA 4.7nC @ 4.5V +6V, -8V 10V에서 290pF - 500mW(타)
SSM3K37CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37CT,L3F 0.2900
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 SSM3K37 MOSFET(금속) CST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 20V 200mA(타) 1.5V, 4.5V 2.2옴 @ 100mA, 4.5V 1V @ 1mA ±10V 12pF @ 10V - 100mW(타)
RN2108,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2108,LXHF(CT 0.3300
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2108 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 47kΩ
2SC5201,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201,T6F(J -
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 ECAD 4968 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC5201 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 600V 50mA 1μA(ICBO) NPN 1V @ 500mA, 20mA 100 @ 20mA, 5V -
RN2118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2118(T5L,F,T) -
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 ECAD 7756 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2118 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 10kΩ
2SK2145-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2145-BL(TE85L,F 0.6800
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-74A, SOT-753 2SK2145 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 13pF @ 10V 10V에서 6mA 200mV @ 100nA
TK6A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A45DA(STA4,Q,M) 1.2500
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK6A45 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 450V 5.5A(타) 10V 1.35옴 @ 2.8A, 10V 4.4V @ 1mA 11nC @ 10V ±30V 490pF @ 25V - -
HN1B04F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04F(TE85L,F) -
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 ECAD 3334 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 HN1B04 300mW SM6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 500mA 100nA(ICBO) NPN, PNP 250mV @ 10mA, 100mA 70 @ 100mA, 1V 200MHz
SSM3J140TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J140TU,LF 0.4700
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 SSM3J140 MOSFET(금속) UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 4.4A(타) 1.5V, 4.5V 25.8m옴 @ 4A, 4.5V 1V @ 1mA 24.8nC @ 4.5V +6V, -8V 10V에서 1800pF - 500mW(타)
RN1907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1907FE,LF(CT 0.2700
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1907 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 10k옴 47k옴
RN1703,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1703,LF 0.3100
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1703 200mW USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22k옴 22k옴
TPCA8109(TE12L1,V Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8109(TE12L1,V -
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 ECAD 3844 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8109 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) - 1(무제한) 264-TPCA8109(TE12L1VTR EAR99 8541.29.0095 5,000 P채널 30V 24A(타) 4.5V, 10V 9m옴 @ 12A, 10V 2V에서 500μA 56nC @ 10V +20V, -25V 10V에서 2400pF - 1.6W(Ta), 30W(Tc)
SSM3K341TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K341TU,LXHF 0.5900
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 MOSFET(금속) UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 60V 6A(타) 4V, 10V 36m옴 @ 4A, 10V 100μA에서 2.5V 9.3nC @ 10V ±20V 10V에서 550pF - 1W(타)
RN4902,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4902,LF -
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 ECAD 2510 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4902 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10k옴 10k옴
GT30N135SRA,S1E Toshiba Semiconductor and Storage GT30N135SRA,S1E 3.7700
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 ECAD 3270 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 348W TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 300V, 60A, 39옴, 15V - 1350V 60A 120A 2.6V @ 15V, 60A -, 1.3mJ(꺼짐) 270nC -
2SC3074-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3074-O(Q) -
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 ECAD 3255 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SC3074 1W PW-MOLD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 200 50V 5A 1μA(ICBO) NPN 400mV @ 150mA, 3A 70 @ 1A, 1V 120MHz
2SC5171(ONK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171(ONK,Q,M) -
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 ECAD 9307 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC5171 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 180V 2A 5μA(ICBO) NPN 1V @ 100mA, 1A 100 @ 100mA, 5V 200MHz
RN4603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4603(TE85L,F) 0.3800
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 ECAD 7481 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN4603 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 22k옴 22k옴
RN4986(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4986(T5L,F,T) 0.3000
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 ECAD 483 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4986 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100μA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7kΩ 47k옴
RN1402,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1402,LF 0.2200
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 ECAD 1364 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1402 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
TPCA8016-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8016-H(TE12LQM -
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 ECAD 6814 0.00000000 도시바 및 저장 - Digi-Reel® 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8016 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 60V 25A(타) 21m옴 @ 13A, 10V 2.3V @ 1mA 22nC @ 10V 1375pF @ 10V -
SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K345R,LF 0.4300
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3K345 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 20V 4A(타) 1.5V, 4.5V 33m옴 @ 4A, 4.5V 1V @ 1mA 3.6nC @ 4.5V ±8V 10V에서 410pF - 1W(타)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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