- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
트랜지스터 (2488)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TPCA8023-H (TE12LQM | - |  | 3367 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | TPCA8023 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP Advance (5x5) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 21A (TA) | 4.5V, 10V | 12.9mohm @ 11a, 10V | 2.5V @ 1mA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | 2150 pf @ 10 v | - | 1.6W (TA), 30W (TC) | ||||||||||||
 | SSM3J133TU, LF | 0.4600 | | 71 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-Mosvi | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 리드 | SSM3J133 | MOSFET (금속 (() | UFM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 5.5A (TA) | 1.5V, 4.5V | 29.8mohm @ 3a, 4.5v | 1V @ 1mA | 12.8 nc @ 4.5 v | ± 8V | 840 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | |||||||||||
 | RN1102ACT (TPL3) | - | | 6140 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | RN1102 | 100MW | CST3 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 v | 80 MA | 500NA | npn-사전- | 150mv @ 250µa, 5mA | 50 @ 10ma, 5V | 10 KOHMS | 10 KOHMS | ||||||||||||||||
 | TK090Z65Z, S1F | 6.3200 | | 25 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | dtmosvi | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | MOSFET (금속 (() | TO-247-4L (T) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 650 v | 30A (TA) | 10V | 90mohm @ 15a, 10V | 4V @ 1.27ma | 47 NC @ 10 v | ± 30V | 2780 pf @ 300 v | - | 230W (TC) | ||||||||||||
 | RN1117 (T5L, F, T) | - | | 6824 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | RN1117 | 100MW | SSM | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 30 @ 10ma, 5V | 250MHz | 10 KOHMS | 4.7 Kohms | ||||||||||||||
 | 2SD2406-Y (F) | - | | 9090 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | 2SD2406 | 25 W. | TO-220NIS | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 4 a | 30µA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 300MA, 3A | 120 @ 500ma, 5V | 8MHz | ||||||||||||||||
 | 2SA1244-Y (Q) | - | | 1152 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | 2SA1244 | 1 W. | PW-Mold | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0075 | 200 | 50 v | 5 a | 1µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 150ma, 3a | 120 @ 1a, 1v | 60MHz | ||||||||||||||||
| TPCA8010-H (TE12LQM | - | | 6650 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | π-mosv | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | TPCA8010 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP Advance (5x5) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 200 v | 5.5A (TA) | 10V | 450mohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 1MA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 600 pf @ 10 v | - | 1.6W (TA), 45W (TC) | ||||||||||||
 | TK14C65W5, S1Q | - | | 2691 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | dtmosiv | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | TK14C65 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 13.7A (TA) | 10V | 300mohm @ 6.9a, 10V | 4.5V @ 690µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 1300 pf @ 300 v | - | 130W (TC) | |||||||||||
 | 2SK2989 (T6Cano, F, m | - | | 9386 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | 2SK2989 | TO-92 모드 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 5A (TJ) | ||||||||||||||||||||||||
 | SSM3K309T (TE85L, F) | - | | 1396 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SSM3K309 | MOSFET (금속 (() | TSM | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 4.7A (TA) | 1.8V, 4V | 31mohm @ 4a, 4v | - | ± 12V | 1020 pf @ 10 v | - | 700MW (TA) | |||||||||||||
 | SSM3K56MFV, L3F | 0.4500 | | 50 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-mosvii-h | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-723 | SSM3K56 | MOSFET (금속 (() | VESM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | n 채널 | 20 v | 800MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 235mohm @ 800ma, 4.5v | 1V @ 1mA | 1 NC @ 4.5 v | ± 8V | 55 pf @ 10 v | - | 150MW (TA) | |||||||||||
| 2SC2235-Y (MBSH1, FM | - | | 5908 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | 2SC2235 | 900 MW | TO-92 모드 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 v | 800 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 80 @ 100MA, 5V | 120MHz | ||||||||||||||||
 | 2SA1428-O, T2WNLF (J. | - | | 6056 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | SC-71 | 2SA1428 | 900 MW | MSTM | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 2 a | 1µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||
 | RN4603 (TE85L, F) | 0.3800 | | 7481 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | RN4603 | 300MW | sm6 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 100NA (ICBO) | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 300MV @ 250µA, 5MA | 70 @ 10ma, 5V | 200MHz, 250MHz | 22kohms | 22kohms | ||||||||||||||
| RN1107, LF (Ct | 0.2000 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | RN1107 | 100MW | SSM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 250MHz | 10 KOHMS | 47 Kohms | ||||||||||||||
| RN2104 (T5L, F, T) | 0.2800 | | 727 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | RN2104 | 100MW | SSM | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 200MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||
 | RN1306, LXHF | 0.3900 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | RN1306 | 100MW | SC-70 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 200MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||
| rn1131mfv (tl3, t) | 0.2100 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-723 | RN1131 | 150 MW | VESM | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 5MA | 120 @ 1ma, 5V | 100 KOHMS | ||||||||||||||||
 | SSM3J35CTC, L3F | 0.3400 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-MOSVII | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | SSM3J35 | MOSFET (금속 (() | CST3C | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | p 채널 | 20 v | 250MA (TA) | 1.2V, 4.5V | 1.4ohm @ 150ma, 4.5v | 1V @ 100µA | ± 10V | 42 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | ||||||||||||
| 2SC5171, Matudq (j | - | | 1872 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | 2SC5171 | 2 w | TO-220NIS | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 180 v | 2 a | 5µA (ICBO) | NPN | 1V @ 100MA, 1A | 100 @ 100ma, 5V | 200MHz | ||||||||||||||||
| RN2101, LXHF (Ct | 0.3300 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | RN2101 | 100MW | SSM | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 30 @ 10ma, 5V | 200MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||
| RN1317 (TE85L, F) | 0.2600 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | RN1317 | 100MW | SC-70 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 30 @ 10ma, 5V | 250MHz | 10 KOHMS | 4.7 Kohms | ||||||||||||||
 | RN2409, LF | 0.1900 | | 9037 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN2409 | 200 MW | S- 미니 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 70 @ 10ma, 5V | 200MHz | 47 Kohms | 22 KOHMS | ||||||||||||||
| SSM3K35CTC, L3F | 0.3200 | | 109 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-mosiii | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | SSM3K35 | MOSFET (금속 (() | CST3C | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 채널 | 20 v | 250MA (TA) | 1.2V, 4.5V | 1.1ohm @ 150ma, 4.5v | 1V @ 100µA | 0.34 nc @ 4.5 v | ± 10V | 36 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | |||||||||||
| RN2423 (TE85L, F) | 0.4100 | | 130 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN2423 | 200 MW | S- 미니 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 800 MA | 500NA | pnp- 사전- | 250mv @ 1ma, 50ma | 70 @ 100MA, 1V | 200MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||
| 2SC6026MFV-Y, L3F | 0.1900 | | 7 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-723 | 2SC6026 | 150 MW | VESM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 v | 150 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 250mv @ 10ma, 100ma | 120 @ 2MA, 6V | 60MHz | |||||||||||||||
| 2SC3669-Y, T2PASF (m | - | | 5810 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | SC-71 | 2SC3669 | 1 W. | MSTM | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 80 v | 2 a | 1µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||
| HN1C03F-B (TE85L, F) | 0.1485 | | 6796 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | HN1C03 | 300MW | sm6 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 20V | 300ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN (() | 100mv @ 3ma, 30ma | 350 @ 4ma, 2v | 30MHz | |||||||||||||||
 | TK7P60W, RVQ | 1.8400 | | 9031 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | dtmosiv | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | Tk7p60 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 600 v | 7A (TA) | 10V | 600mohm @ 3.5a, 10V | 3.7V @ 350µA | 15 nc @ 10 v | ± 30V | 490 pf @ 300 v | - | 60W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)