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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RN2316,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2316,LXHF 0.3900
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ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2316 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 10kΩ
2SC2235-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O,F(J -
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ECAD 8839 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2235 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
TK9A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK9A65W,S5X 2.2200
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ECAD 1169 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK9A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 9.3A(타) 10V 500m옴 @ 4.6A, 10V 3.5V @ 350μA 20nC @ 10V ±30V 300V에서 700pF - 30W(Tc)
2SA1954-A(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1954-A(TE85L,F) -
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ECAD 8074 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SA1954 100mW SC-70 - 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 12V 500mA 100nA(ICBO) PNP 250mV @ 10mA, 200mA 300 @ 10mA, 2V 130MHz
TPN14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN14006NH,L1Q 0.3533
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ECAD 4019 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN14006 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 13A(타) 6.5V, 10V 14m옴 @ 6.5A, 10V 4V @ 200μA 15nC @ 10V ±20V 30V에서 1300pF - 700mW(Ta), 30W(Tc)
RN1421TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1421TE85LF 0.4200
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1421 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 800mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250mV @ 2mA, 50mA 60 @ 100mA, 1V 300MHz 1kΩ 1kΩ
SSM6K411TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K411TU(TE85L,F -
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ECAD 5581 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6K411 MOSFET(금속) UF6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 20V 10A(타) 2.5V, 4.5V 12m옴 @ 7A, 4.5V 1.2V @ 1mA 9.4nC @ 4.5V ±12V 710pF @ 10V - 1W(타)
RN4902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902,LF(CT 0.2800
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4902 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10k옴 10k옴
RN4986FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986FE,LXHF(CT 0.3800
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ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4986 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7kΩ 47kΩ
2SA1162-O,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-O,LXHF 0.3900
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ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 70 @ 2mA, 6V 80MHz
RN2412TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412TE85LF 0.2900
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ECAD 6971 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2412 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 22kΩ
SSM3J15FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15FS,LF 0.2500
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ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SC-75, SOT-416 SSM3J15 MOSFET(금속) SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 30V 100mA(타) 2.5V, 4V 12옴 @ 10mA, 4V 1.7V @ 100μA ±20V 9.1pF @ 3V - 100mW(타)
RN1673(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1673(TE85L,F) -
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ECAD 6017 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1673 300mW US6 - 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V - 47kΩ -
TW048N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW048N65C,S1F 16.3200
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ECAD 17 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-247-3 SiCFET(탄화규소) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 40A(Tc) 18V 65m옴 @ 20A, 18V 5V @ 1.6mA 41nC @ 18V +25V, -10V 400V에서 1362pF - 132W(Tc)
TJ15P04M3,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TJ15P04M3,RQ(S 0.8700
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ECAD 878 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TJ15P04 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 40V 15A(타) 4.5V, 10V 36m옴 @ 7.5A, 10V 100μA에서 2V 26nC @ 10V ±20V 1100pF @ 10V - 29W(Tc)
RN1116(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1116(TE85L,F) 0.2800
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ECAD 73 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1116 100mW SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 10kΩ
RN1413,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1413,LF 0.1900
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ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1413 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 47kΩ
RN2114(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2114(TE85L,F) 0.2800
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ECAD 5009 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2114 100mW SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 1kΩ 10kΩ
TK28N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK28N65W5,S1F 6.6700
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ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-247-3 TK28N65 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 27.6A(타) 10V 130m옴 @ 13.8A, 10V 4.5V @ 1.6mA 90nC @ 10V ±30V 300V에서 3000pF - 230W(Tc)
TK5P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P60W5,RVQ 1.3300
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ECAD 1789년 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) DPAK - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 600V 4.5A(타) 10V 990m옴 @ 2.3A, 10V 4.5V @ 230μA 11.5nC @ 10V ±30V 370pF @ 300V - 60W(Tc)
2SC4207-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4207-GR(TE85L,F 0.3500
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ECAD 41 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-74A, SOT-753 2SC4207 300mW SMV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 섹션 이미터 250mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
TK14V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14V65W,LQ 3.4800
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ECAD 2719 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 4-VSFN 옆형 패드 MOSFET(금속) 4-DFN-EP(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 650V 13.7A(타) 10V 280m옴 @ 6.9A, 10V 3.5V @ 690μA 35nC @ 10V ±30V 300V에서 1300pF - 139W(Tc)
SSM3J108TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J108TU(TE85L) -
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ECAD 2405 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 SSM3J108 MOSFET(금속) UFM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 1.8A(타) 1.8V, 4V 158m옴 @ 800mA, 4V 1V @ 1mA ±8V 10V에서 250pF - 500mW(타)
TPC8031-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8031-H(TE12LQM) -
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ECAD 5858 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 너비) TPC8031 MOSFET(금속) 8-SOP(5.5x6.0) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 11A(타) 13.3m옴 @ 5.5A, 10V 2.5V @ 1mA 21nC @ 10V 10V에서 2150pF - -
TPC6113(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6113(TE85L,F,M) -
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ECAD 4053 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 TPC6113 MOSFET(금속) VS-6(2.9x2.8) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 5A(타) 2.5V, 4.5V 55m옴 @ 2.5A, 4.5V 200μA에서 1.2V 10nC @ 5V ±12V 10V에서 690pF - 700mW(타)
TMBT3906,LM Toshiba Semiconductor and Storage TMBT3906,LM 0.1800
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ECAD 15 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TMBT3906 320mW SOT-23-3 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) PNP 400mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250MHz
RN4907,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4907,LF 0.2800
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ECAD 3821 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4907 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10k옴 47kΩ
TPH3R10AQM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R10AQM,LQ 1.7000
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ECAD 10 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8파워TDFN TPH3R10 MOSFET(금속) 8-SOP 고급(5x5.75) 다운로드 1(무제한) 5,000 N채널 100V 180A(타), 120A(Tc) 6V, 10V 3.1m옴 @ 50A, 10V 500μA에서 3.5V 83nC @ 10V ±20V 50V에서 7400pF - 3W(Ta), 210W(Tc)
TK5A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A55D(STA4,Q,M) 1.3900
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ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK5A55 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 550V 5A(타) 10V 1.7옴 @ 2.5A, 10V 4.4V @ 1mA 11nC @ 10V ±30V 25V에서 540pF - 35W(Tc)
2SC5459(TOJS,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5459(TOJS,Q,M) -
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ECAD 5031 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC5459 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 400V 3A 100μA(ICBO) NPN 1V @ 150mA, 1.2A 20 @ 300mA, 5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고