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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
2SK2989,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989, F (J. -
RFQ
ECAD 9148 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SK2989 TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 5A (TJ)
RN2905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905, LXHF (Ct 0.4400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2905 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 2.2kohms 47kohms
TPN14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN14006NH, L1Q 0.3533
RFQ
ECAD 4019 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPN14006 MOSFET (금속 (() 8 1 3. (3.1x3.1) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 13A (TA) 6.5V, 10V 14mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 200µA 15 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 30 v - 700MW (TA), 30W (TC)
RN1101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1101CT (TPL3) -
RFQ
ECAD 2343 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN1101 50 MW CST3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 MA 500NA npn-사전- 150mv @ 250µa, 5mA 30 @ 10ma, 5V 4.7 Kohms 4.7 Kohms
SSM3J108TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J108TU (TE85L) -
RFQ
ECAD 2405 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 SSM3J108 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.8A (TA) 1.8V, 4V 158mohm @ 800ma, 4v 1V @ 1mA ± 8V 250 pf @ 10 v - 500MW (TA)
2SA1315-Y,HOF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1315-y, HOF (m -
RFQ
ECAD 8164 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1315 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 80 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 80MHz
XPJR6604PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPJR6604PB, LXHQ 2.7700
RFQ
ECAD 1489 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSIX-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 5-powersfn MOSFET (금속 (() S-TOGL ™ - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 200a (TA) 6V, 10V 0.66MOHM @ 100A, 10V 3V @ 1mA 128 NC @ 10 v ± 20V 11380 pf @ 10 v - 375W (TC)
RN1103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103, LF (Ct 0.2000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN1103 100MW SSM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
TK65S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK65S04N1L, LQ 2.0100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK65S04 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 65A (TA) 10V 4.3mohm @ 32.5a, 10V 2.5V @ 300µA 39 NC @ 10 v ± 20V 2550 pf @ 10 v - 107W (TC)
2SB1457(T6DW,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457 (T6dw, F, M) -
RFQ
ECAD 5222 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SB1457 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 100 v 2 a 10µA (ICBO) PNP 1.5v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 2v 50MHz
RN2116,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2116, LF (Ct 0.2000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN2116 100MW SSM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
TPCP8005-H(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8005-H (TE85L, f -
RFQ
ECAD 2162 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSV-H 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 TPCP8005 MOSFET (금속 (() PS-8 (2.9x2.4) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 12.9mohm @ 5.5a, 10V 2.5V @ 1mA 20 nc @ 10 v ± 20V 2150 pf @ 10 v - 840MW (TA)
TPCA8009-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8009-H (TE12L, Q -
RFQ
ECAD 7100 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPCA8009 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 7A (TA) 10V 350mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 1MA 10 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 10 v - 1.6W (TA), 45W (TC)
RN2312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2312 (TE85L, F) 0.2700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN2312 100MW SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 22 KOHMS
TPH4R50ANH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R50ANH1, LQ 1.5400
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5.75) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 92A (TC) 10V 4.5mohm @ 46a, 10V 4V @ 1MA 58 NC @ 10 v ± 20V 5200 pf @ 50 v - 800MW (TA)
TK6A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk6a50d (sta4, q, m) 1.3700
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK6A50 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 6A (TA) 10V 1.4ohm @ 3a, 10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 v ± 30V 540 pf @ 25 v - 35W (TC)
RN2107MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2107MFV, L3F -
RFQ
ECAD 3225 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN2107 150 MW VESM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 10 KOHMS 47 Kohms
2SC5096-R,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5096-R, LF -
RFQ
ECAD 8066 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 2SC5096 100MW SSM - 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 1.4dB 10V 15MA NPN 50 @ 7ma, 6V 10GHz 1GHz 1.4dB
RN4987,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987, LXHF (Ct 0.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4987 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz, 200MHz 10kohms 47kohms
RN4986(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4986 (T5L, F, T) 0.3000
RFQ
ECAD 483 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4986 200MW US6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100µA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz, 200MHz 4.7kohms 47kohms
RN1970(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1970 (TE85L, F) 0.4700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1970 200MW US6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7kohms -
TPC6012(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012 (TE85L, F, M) -
RFQ
ECAD 5714 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u- 모시브 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 TPC6012 MOSFET (금속 (() VS-6 (2.9x2.8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 6A (TA) 2.5V, 4.5V 20mohm @ 3a, 4.5v 1.2V @ 200µA 9 NC @ 5 v ± 12V 630 pf @ 10 v - 700MW (TA)
3SK294(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK294 (TE85L, F) 0.4700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 12.5 v 표면 표면 SC-82A, SOT-343 3SK294 500MHz MOSFET USQ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30ma 10 MA - 26db 1.4dB 6 v
2SC5439(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5439 (F) -
RFQ
ECAD 9123 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SC5439 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 450 v 8 a 100µA (ICBO) NPN 1V @ 640MA, 3.2A 14 @ 1a, 5V -
RN2113MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2113MFV, L3F 0.1800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN2113 150 MW VESM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 47 Kohms
RN1116,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1116, LXHF (Ct 0.3300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN1116 100MW SSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
RN2104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2104MFV, L3F -
RFQ
ECAD 2607 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN2104 150 MW VESM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) RN2104MFVL3F 귀 99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
TK380P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Tk380p65y, Rq 1.7300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 DTMOSV 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Tk380p65 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 650 v 9.7A (TC) 10V 380mohm @ 4.9a, 10V 4V @ 360µA 20 nc @ 10 v ± 30V 590 pf @ 300 v - 80W (TC)
RN2111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2111MFV, L3F 0.2000
RFQ
ECAD 1153 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-723 RN2111 150 MW VESM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 10 KOHMS
TK42A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK42A12N1, S4X 1.4900
RFQ
ECAD 210 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK42A12 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 120 v 42A (TC) 10V 9.4mohm @ 21a, 10V 4V @ 1MA 52 NC @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 60 v - 35W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고