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트랜지스터 (2488)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
SSM6J213FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage ssm6j213fe (te85l, f 0.4700
RFQ
 ECAD 8736 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SSM6J213 MOSFET (금속 (() ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 p 채널 20 v 2.6A (TA) 1.5V, 4.5V 103mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 1mA 4.7 NC @ 4.5 v ± 8V 290 pf @ 10 v - 500MW (TA)
2SA1586-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-Y, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SA1586 100MW SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 120 @ 2MA, 6V 80MHz
RN1118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1118 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 3198 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN1118 100MW SSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 47 Kohms 10 KOHMS
TK7A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK7A60W5, S5VX 1.6400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK7A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 7A (TA) 10V 650mohm @ 3.5a, 10V 4.5V @ 350µA 16 nc @ 10 v ± 30V 490 pf @ 300 v - 30W (TC)
TPC6011(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6011 (TE85L, F, M) -
RFQ
 ECAD 5591 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u- 모시브 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 TPC6011 MOSFET (금속 (() VS-6 (2.9x2.8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 6A (TA) 4.5V, 10V 20mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 1mA 14 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 10 v - 700MW (TA)
2SC2655-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 1528 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2655 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
RN2707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2707JE (TE85L, F) 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-553 RN2707 100MW ESV 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 10kohms 47kohms
TMBT3906,LM Toshiba Semiconductor and Storage TMBT3906, LM 0.1800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TMBT3906 320 MW SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
RN1911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1911 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 2298 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1911 100MW US6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7kohms -
RN1908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908, LF (Ct 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1908 200MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 22kohms 47kohms
2SA1162-O,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-O, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 70 @ 2MA, 6V 80MHz
2SD1223(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1223 (TE16L1, NQ) 0.9000
RFQ
 ECAD 1484 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SD1223 1 W. PW-Mold 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 80 v 4 a 20µA (ICBO) npn-달링턴 1.5V @ 6MA, 3A 1000 @ 3A, 2V -
RN1402,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1402, LF 0.2200
RFQ
 ECAD 1364 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1402 200 MW S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
2SK2962,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962, T6WNLF (J. -
RFQ
 ECAD 1755 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SK2962 TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 1A (TJ)
TK12A60U(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60U (Q, M) -
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosii 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK12A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 12A (TA) 10V 400mohm @ 6a, 10V 5V @ 1MA 14 nc @ 10 v ± 30V 720 pf @ 10 v - 35W (TC)
RN4986,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986, LXHF (Ct 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4986 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz, 200MHz 4.7kohms 47kohms
TK32A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK32A12N1, S4X 1.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK32A12 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 120 v 32A (TC) 10V 13.8mohm @ 16a, 10V 4V @ 500µA 34 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 60 v - 30W (TC)
2SC2229-O(SHP1,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O (SHP1, F, m -
RFQ
 ECAD 9880 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2229 800MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 150 v 50 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1ma, 10ma 70 @ 10ma, 5V 120MHz
2SK3662(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3662 (F) -
RFQ
 ECAD 1045 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SK3662 MOSFET (금속 (() TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 35A (TA) 4V, 10V 12.5mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 1mA 91 NC @ 10 v ± 20V 5120 pf @ 10 v - 35W (TC)
TK4A60DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A60DA (STA4, Q, M) -
RFQ
 ECAD 8479 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK4A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 3.5A (TA) 10V 2.2ohm @ 1.8a, 10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 v ± 30V 490 pf @ 25 v - -
TK62N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60W5, S1VF 11.3800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 61.8A (TA) 10V 45mohm @ 30.9a, 10V 4.5V @ 3.1ma 205 NC @ 10 v ± 30V 6500 pf @ 300 v - 400W (TC)
2SJ438,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438, Q (j -
RFQ
 ECAD 2689 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SJ438 TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 5A (TJ)
RN1971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1971FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 2787 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN1971 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 10kohms -
RN2307,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2307, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 2595 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN2307 100MW SC-70 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 10 KOHMS 47 Kohms
2SC2235-Y(T6CN,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y (T6CN, A, f -
RFQ
 ECAD 3118 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2235 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 80 @ 100MA, 5V 120MHz
RN2424(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2424 (TE85L, F) 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2424 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 800 MA 500NA pnp- 사전- 250mv @ 1ma, 50ma 90 @ 100MA, 1V 200MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
RN2111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2111Act (TPL3) 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN2111 100MW CST3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 150mv @ 250µa, 5mA 120 @ 1ma, 5V 10 KOHMS
RN1409,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1409, LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1409 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz 47 Kohms 22 KOHMS
2SC5171(ONK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171 (ONK, Q, M) -
RFQ
 ECAD 9307 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SC5171 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µA (ICBO) NPN 1V @ 100MA, 1A 100 @ 100ma, 5V 200MHz
TK12A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A45D (STA4, Q, M) 2.2300
RFQ
 ECAD 1473 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK12A45 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 450 v 12A (TA) 10V 520mohm @ 6a, 10V 4V @ 1MA 24 nc @ 10 v ± 30V 1200 pf @ 25 v - 45W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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