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트랜지스터 (2488)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
RN1310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1310 (TE85L, F) 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN1310 100MW SC-70 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
2SA1162S-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162S-Y, LF -
RFQ
 ECAD 9269 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1162 150 MW S- 미니 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 70 @ 2MA, 6V 80MHz
SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K211FE, LF 0.5400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SSM6K211 MOSFET (금속 (() ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 채널 20 v 3.2A (TA) 1.5V, 4.5V 47mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 1mA 10.8 nc @ 4.5 v ± 10V 510 pf @ 10 v - 500MW (TA)
TK5Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK5Q65W, S1Q 1.2700
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK TK5Q65 MOSFET (금속 (() i-pak - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 650 v 5.2A (TA) 10V 1.22ohm @ 2.6a, 10V 3.5V @ 170µA 10.5 nc @ 10 v ± 30V 380 pf @ 300 v - 60W (TC)
2SC2705-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2705-O (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 6177 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2705 800MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 150 v 50 MA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 1MA, 10MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz
2SA1930,CKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930, CKQ (J. -
RFQ
 ECAD 9881 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SA1930 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µA (ICBO) PNP 1V @ 100MA, 1A 100 @ 100ma, 5V 200MHz
RN1412,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1412, LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 6934 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1412 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 22 KOHMS
RN1702,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1702, LF 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1702 200MW USV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
TK72A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK72A12N1, S4X 3.0100
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK72A12 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 120 v 72A (TC) 10V 4.5mohm @ 36a, 10V 4V @ 1MA 130 NC @ 10 v ± 20V 8100 pf @ 60 v - 45W (TC)
SSM3K37FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37FS, LF 0.2300
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TA) 표면 표면 SC-75, SOT-416 SSM3K37 MOSFET (금속 (() SSM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 200MA (TA) 1.5V, 4.5V 2.2ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 1mA ± 10V 12 pf @ 10 v - 100MW (TA)
MT4S300U(TE85L,O,F Toshiba Semiconductor and Storage MT4S300U (TE85L, O, f 0.6800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 MT4S300 250MW USQ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 16.9dB 4V 50ma NPN 200 @ 10ma, 3v 26.5GHz 0.55dB @ 2GHz
2SJ380(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ380 (F) -
RFQ
 ECAD 1045 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SJ380 MOSFET (금속 (() TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 12A (TA) 4V, 10V 210mohm @ 6a, 10V 2V @ 1mA 48 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 10 v - 35W (TC)
2SD2257(CANO,A,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257 (Cano, A, Q) -
RFQ
 ECAD 7754 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SD2257 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 10µA (ICBO) NPN 1.5V @ 1.5MA, 1.5A 2000 @ 2a, 2v -
TK160F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L, LXGQ 3.7000
RFQ
 ECAD 4476 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB TK160F10 MOSFET (금속 (() TO-220SM (W) - 3 (168 시간) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 160A (TA) 6V, 10V 2.4mohm @ 80a, 10V 3.5V @ 1mA 122 NC @ 10 v ± 20V 10100 pf @ 10 v - 375W (TC)
RN4986,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986, LXHF (Ct 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4986 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz, 200MHz 4.7kohms 47kohms
TK12A60U(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60U (Q, M) -
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosii 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK12A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 12A (TA) 10V 400mohm @ 6a, 10V 5V @ 1MA 14 nc @ 10 v ± 30V 720 pf @ 10 v - 35W (TC)
2SD1223(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1223 (TE16L1, NQ) 0.9000
RFQ
 ECAD 1484 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SD1223 1 W. PW-Mold 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 80 v 4 a 20µA (ICBO) npn-달링턴 1.5V @ 6MA, 3A 1000 @ 3A, 2V -
TK62N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60W5, S1VF 11.3800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 61.8A (TA) 10V 45mohm @ 30.9a, 10V 4.5V @ 3.1ma 205 NC @ 10 v ± 30V 6500 pf @ 300 v - 400W (TC)
2SA1162-O,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-O, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 70 @ 2MA, 6V 80MHz
RN1402,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1402, LF 0.2200
RFQ
 ECAD 1364 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1402 200 MW S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
2SK2962,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962, T6WNLF (J. -
RFQ
 ECAD 1755 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SK2962 TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 1A (TJ)
2SC2235-Y(T6CN,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y (T6CN, A, f -
RFQ
 ECAD 3118 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2235 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 80 @ 100MA, 5V 120MHz
2SK3662(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3662 (F) -
RFQ
 ECAD 1045 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SK3662 MOSFET (금속 (() TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 35A (TA) 4V, 10V 12.5mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 1mA 91 NC @ 10 v ± 20V 5120 pf @ 10 v - 35W (TC)
RN1971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1971FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 2787 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN1971 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 10kohms -
RN1409,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1409, LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1409 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz 47 Kohms 22 KOHMS
RN2111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2111Act (TPL3) 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN2111 100MW CST3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 150mv @ 250µa, 5mA 120 @ 1ma, 5V 10 KOHMS
2SJ438,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438, Q (j -
RFQ
 ECAD 2689 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SJ438 TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 5A (TJ)
TK6A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk6a53d (sta4, q, m) 1.5000
RFQ
 ECAD 2959 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK6A53 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 525 v 6A (TA) 10V 1.3ohm @ 3a, 10V 4.4V @ 1mA 12 nc @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 35W (TC)
2SC5201,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201, T6F (J. -
RFQ
 ECAD 4968 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC5201 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 600 v 50 MA 1µA (ICBO) NPN 1V @ 500MA, 20MA 100 @ 20ma, 5V -
2SC5171(ONK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171 (ONK, Q, M) -
RFQ
 ECAD 9307 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SC5171 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µA (ICBO) NPN 1V @ 100MA, 1A 100 @ 100ma, 5V 200MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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