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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 내구성 인증(암페어) 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1302,LF 0.2600
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1302 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
2SA1987-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1987-O(Q) 3.4500
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-3PL 2SA1987 180W TO-3P(L) 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 EAR99 8541.29.0075 100 230V 15A 5μA(ICBO) PNP 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1A, 5V 30MHz
2SA1930,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930,Q(J -
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 ECAD 3454 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1930 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 180V 2A 5μA(ICBO) PNP 1V @ 100mA, 1A 100 @ 100mA, 5V 200MHz
TPCF8402(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8402(TE85L,F,M -
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 ECAD 3491 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TPCF8402 MOSFET(금속) 330mW VS-8(2.9x1.5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 N 및 P 채널 30V 4A, 3.2A 50m옴 @ 2A, 10V 2V @ 1mA 10nC @ 10V 470pF @ 10V 게임 레벨 레벨
TPH7R204PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R204PL,LQ 0.6500
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 ECAD 22 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH7R204 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 40V 48A(TC) 4.5V, 10V 9.7m옴 @ 15A, 4.5V 2.4V @ 200μA 24nC @ 10V ±20V 2040pF @ 20V - 69W(Tc)
2SK3342(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3342(TE16L1,NQ) -
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 ECAD 3368 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SK3342 MOSFET(금속) PW-MOLD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 250V 4.5A(타) 10V 1옴 @ 2.5A, 10V 3.5V @ 1mA 10nC @ 10V ±20V 10V에서 440pF - 20W(Tc)
2SA1761,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1761,T6F(J -
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 ECAD 8513 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1761 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 3A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 75mA, 1.5A 120 @ 100mA, 2V 100MHz
RN1908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908,LXHF(CT 0.3600
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1908 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22kΩ 47k옴
TPH3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R704PL,L1Q 0.9400
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 ECAD 60 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPH3R704 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 92A(Tc) 4.5V, 10V 3.7m옴 @ 46A, 10V 2.4V @ 200μA 27nC @ 10V ±20V 20V에서 2500pF - 960mW(Ta), 81W(Tc)
TK6A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A50D(STA4,Q,M) 1.3700
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK6A50 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 500V 6A(타) 10V 1.4옴 @ 3A, 10V 4.4V @ 1mA 11nC @ 10V ±30V 25V에서 540pF - 35W(Tc)
TK16A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK16A45D(STA4,Q,M) -
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 ECAD 9568 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 - 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK16A45 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 450V 16A 270m옴 @ 8A, 10V - - -
RN2102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2102MFV,L3XHF(CT 0.3400
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2102 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
TK80S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK80S06K3L(T6L1,NQ -
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 ECAD 7483 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK80S06 MOSFET(금속) DPAK+ - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 60V 80A(타) 6V, 10V 5.5m옴 @ 40A, 10V 3V @ 1mA 85nC @ 10V ±20V 10V에서 4200pF - 100W(Tc)
2SA1930(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930(Q,M) -
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 ECAD 3597 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1930 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 500 180V 2A 5μA(ICBO) PNP 1V @ 100mA, 1A 100 @ 100mA, 5V 200MHz
3SK294(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK294(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 12.5V 표면 실장 SC-82A, SOT-343 3SK294 500MHz MOSFET USQ 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30mA 10mA - 26dB 1.4dB 6V
RN1705,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1705,LF 0.3000
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1705 200mW USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2k옴 47k옴
RFM04U6P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM04U6P(TE12L,F) 1.5493
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 ECAD 7126 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 16V 표면 실장 TO-243AA RFM04U6 470MHz MOSFET PW-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 2A 500mA 4.3W 13.3dB - 6V
RN1306,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1306,LXHF 0.3900
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1306 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 47kΩ
RN2904,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904,LF(CT 0.2800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2904 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47k옴 47k옴
TK3A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65D(STA4,Q,M) 1.6100
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK3A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 3A(타) 10V 2.25옴 @ 1.5A, 10V 4.4V @ 1mA 11nC @ 10V ±30V 25V에서 540pF - 35W(Tc)
RN1417(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1417(TE85L,F) 0.3500
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 ECAD 384 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1417 200mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 4.7kΩ
RN1307,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1307,LF 0.2200
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1307 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 47kΩ
SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L39TU,LF 0.4600
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 ECAD 20 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6L39 MOSFET(금속) 500mW UF6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N 및 P 채널 20V 800mA 143m옴 @ 600MA, 4V 1V @ 1mA - 268pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.8V 드라이브
TPCC8065-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8065-H,LQ(S -
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 ECAD 2198 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCC8065 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 13A(타) 4.5V, 10V 11.4m옴 @ 6.5A, 10V 2.3V @ 200μA 20nC @ 10V ±20V 1350pF @ 10V - 700mW(Ta), 18W(Tc)
TK42A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK42A12N1,S4X 1.4900
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 ECAD 210 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK42A12 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 120V 42A(Tc) 10V 9.4m옴 @ 21A, 10V 4V @ 1mA 52nC @ 10V ±20V 60V에서 3100pF - 35W(Tc)
RN2116,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2116,LF(CT 0.2000
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2116 100mW SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 10kΩ
RN2710,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2710,LF 0.3000
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2710 200mW USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 4.7k옴 -
TK5A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK5A65W,S5X 1.6000
보상요청
 ECAD 1655년 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK5A65 MOSFET(금속) TO-220SIS - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 5.2A(타) 10V 1.2옴 @ 2.6A, 10V 170μA에서 3.5V 10.5nC @ 10V ±30V 300V에서 380pF - 30W(Tc)
2SK3662(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3662(F) -
보상요청
 ECAD 1045 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SK3662 MOSFET(금속) TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 35A(타) 4V, 10V 12.5m옴 @ 18A, 10V 2.5V @ 1mA 91nC @ 10V ±20V 10V에서 5120pF - 35W(Tc)
RN2407,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2407,LF 0.1900
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 ECAD 2430 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2407 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 47kΩ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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