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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 내구성 인증(암페어) 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
RN2307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2307(TE85L,F) -
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 ECAD 3221 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2307 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 47kΩ
2SJ668(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ668(TE16L1,NQ) -
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 ECAD 3389 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SJ668 MOSFET(금속) PW-MOLD 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) 2SJ668(TE16L1NQ) EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 60V 5A(타) 4V, 10V 170m옴 @ 2.5A, 10V 2V @ 1mA 15nC @ 10V ±20V 10V에서 700pF - 20W(Tc)
RN1409,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1409,LF 0.1900
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1409 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 22kΩ
RN1910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE,LF(CT 0.2700
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1910 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz 4.7k옴 -
TPCF8B01(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8B01(TE85L,F,M -
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 ECAD 5121 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TPCF8B01 MOSFET(금속) VS-8(2.9x1.5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 P채널 20V 2.7A(타) 1.8V, 4.5V 110m옴 @ 1.4A, 4.5V 200μA에서 1.2V 6nC @ 5V ±8V 10V에서 470pF 쇼트키 다이오드(절연) 330mW(타)
TK14V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14V65W,LQ 3.4800
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 ECAD 2719 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 4-VSFN 옆형 패드 MOSFET(금속) 4-DFN-EP(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 650V 13.7A(타) 10V 280m옴 @ 6.9A, 10V 3.5V @ 690μA 35nC @ 10V ±30V 300V에서 1300pF - 139W(Tc)
RN1907,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1907,LXHF(CT 0.3600
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 ECAD 5768 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1907 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 47k옴
TPCP8004(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCPP8004(TE85L,F) -
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 ECAD 6792 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TCPP8004 MOSFET(금속) PS-8(2.9x2.4) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 8.3A(타) 4.5V, 10V 8.5m옴 @ 4.2A, 10V 2.5V @ 1mA 26nC @ 10V ±20V 1270pF @ 10V - 840mW(타)
RN1909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1909(T5L,F,T) 0.3400
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1909 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 250MHz 47k옴 22k옴
2SA1587-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1587-BL,LF 0.2700
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SA1587 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 1mA, 10mA 350 @ 2mA, 6V 100MHz
RN1610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1610(TE85L,F) 0.4800
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN1610 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 250MHz 4.7k옴 -
TK12A60U(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60U(Q,M) -
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 ECAD 2935 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSII 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK12A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 12A(타) 10V 400m옴 @ 6A, 10V 5V @ 1mA 14nC @ 10V ±30V 10V에서 720pF - 35W(Tc)
RN2911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2911,LXHF(CT 0.4400
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2911 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 120@1mA, 5V 200MHz 10kΩ -
2SA1020-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O(TE6,F,M) -
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 ECAD 3483 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1020 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN4982FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4982FE,LF(CT 0.2700
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4982 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
RN2425(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2425(TE85L,F) 0.4000
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2425 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 800mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250mV @ 1mA, 50mA 90 @ 100mA, 1V 200MHz 10kΩ
2SC5819(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5819(TE12L,ZF) -
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 ECAD 4711 0.00000000 도시바 및 저장 - 상자 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 1W PW-미니 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 20V 1.5A 100nA(ICBO) NPN 120mV @ 10mA, 500mA 400 @ 150mA, 2V -
TK20P04M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK20P04M1,RQ(S -
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 ECAD 3613 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVI-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK20P04 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 20A(타) 4.5V, 10V 29m옴 @ 10A, 10V 100μA에서 2.3V 15nC @ 10V ±20V 10V에서 985pF - 27W(Tc)
MT3S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S16U(TE85L,F) 0.2500
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 MT3S16 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 4.5dBi 5V 60mA NPN 80 @ 5mA, 1V 4GHz 2.4dB @ 1GHz
SSM6L14FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L14FE(TE85L,F) 0.4300
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 ECAD 35 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6L14 MOSFET(금속) 150mW(타) ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 N 및 P 채널 20V 800mA(타), 720mA(타) 240m옴 @ 500mA, 4.5V, 300m옴 @ 400mA, 4.5V 1V @ 1mA 2nC @ 4.5V, 1.76nC @ 4.5V 90pF @ 10V, 110pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.5V 드라이브
TK31N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60X,S1F 5.9700
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 ECAD 9517 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 TK31N60 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 30.8A(타) 10V 88m옴 @ 9.4A, 10V 3.5V @ 1.5mA 65nC @ 10V ±30V 300V에서 3000pF - 230W(Tc)
TW107N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW107N65C,S1F 9.6200
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 ECAD 96 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-247-3 SiCFET(탄화규소) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 20A(TC) 18V 145m옴 @ 10A, 18V 5V @ 1.2mA 21nC @ 18V +25V, -10V 400V에서 600pF - 76W(Tc)
HN1A01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU-Y,LF 0.2700
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1A01 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 PNP(이중) 300mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
HN1C01FU-Y(T5L,F,T Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-Y(T5L,F,T -
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 ECAD 3498 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1C01 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
TPCA8031-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8031-H(TE12L,Q -
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 ECAD 8993 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSV-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8031 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 24A(타) 4.5V, 10V 11m옴 @ 12A, 10V 2.5V @ 1mA 21nC @ 10V ±20V 10V에서 2150pF - 1.6W(Ta), 30W(Tc)
RN1403,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1403,LXHF 0.0645
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1403 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22kΩ 22kΩ
RN2961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2961FE(TE85L,F) -
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 ECAD 9441 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2961 100mW ES6 - 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 30 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7k옴 4.7k옴
2SK3670,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670,F(J -
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 ECAD 2775 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SK3670 TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 670mA(Tj)
2SA1931,KEHINQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931,KEHINQ(M -
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 ECAD 8804 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1931 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 50V 5A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 200mA, 2A 100 @ 1A, 1V 60MHz
3SK291(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK291(TE85L,F) -
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 ECAD 4341 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 12.5V 표면 실장 SC-61AA 3SK291 800MHz MOSFET SMQ - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 듀얼 모듈 30mA 10mA - 22.5dB 2.5dB 6V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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