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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
RN4901(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4901(T5L,F,T) -
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 ECAD 4562 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4901 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
TPC6901(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6901(TE85L,F,M) -
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 ECAD 6955 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 TPC6901 400mW VS-6(2.9x2.8) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 1A, 700mA 100nA(ICBO) NPN, PNP 170mV @ 6mA, 300mA / 230mV @ 10mA, 300mA 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V -
2SC6000(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6000(TE16L1,NQ) -
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 ECAD 4731 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SC6000 20W PW-MOLD - 264-2SC6000(TE16L1NQ)TR EAR99 8541.29.0095 2,000 50V 7A 100nA(ICBO) NPN 180mV @ 83mA, 2.5A 250 @ 2.5A, 2V -
TK50P04M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK50P04M1(T6RSS-Q) -
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 ECAD 3751 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVI-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK50P04 MOSFET(금속) D-박 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 50A(타) 4.5V, 10V 8.7m옴 @ 25A, 10V 500μA에서 2.3V 38nC @ 10V ±20V 10V에서 2600pF - 60W(Tc)
HN3C51F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-GR(TE85L,F -
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 ECAD 3368 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 HN3C51 300mW SM6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 120V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 300mV @ 1mA, 10mA 200 @ 2mA, 6V 100MHz
RN4905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4905 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 2.2kΩ 47kΩ
2SA1429-Y(T2OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1429-Y(T2OMI,FM -
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 ECAD 3230 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SA1429 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 80V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 80MHz
MT3S20TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20TU(TE85L) -
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 ECAD 2541 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 MT3S20 900mW UFM - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 12dB 12V 80mA NPN 100 @ 50mA, 5V 7GHz 1.45dB @ 20mA, 5V
2SC2873-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2873-Y(TE12L,ZC 0.4200
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 500mW PW-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1,000 50V 2A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 120MHz
SSM6J53FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J53FE(TE85L,F) -
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 ECAD 2682 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6J53 MOSFET(금속) ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 P채널 20V 1.8A(타) 1.5V, 2.5V 136m옴 @ 1A, 2.5V 1V @ 1mA 10.6nC @ 4V ±8V 10V에서 568pF - 500mW(타)
SSM3J375F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J375F,LXHF 0.4900
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET(금속) S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 2A(타) 1.5V, 4.5V 150m옴 @ 1A, 4.5V 1V @ 1mA 4.6nC @ 4.5V +6V, -8V 10V에서 270pF - 600mW(타)
RN2413,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2413,LXHF 0.0645
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 ECAD 6865 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2413 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 47kΩ
RN4907FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4907FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4907 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 10k옴 47kΩ
2SC6139,T2F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6139,T2F(M -
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 ECAD 7133 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC6139 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 160V 1.5A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 500mA 140 @ 100mA, 5V 100MHz
RN4904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4904FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4904 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 47kΩ 47kΩ
2SA1020-Y(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y(T6FJT,AF -
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 ECAD 7274 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1020 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
SSM5H12TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H12TU(TE85L,F) -
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 ECAD 5864 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD(5리드), 플랫 리드 SSM5H12 MOSFET(금속) UFV 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 1.9A(타) 1.8V, 4V 133m옴 @ 1A, 4V 1V @ 1mA 1.9nC @ 4V ±12V 15V에서 123pF 쇼트키 다이오드(절연) 500mW(타)
RN1304,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1304,LXHF 0.3900
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1304 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 47kΩ
TK32E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK32E12N1,S1X 1.5300
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK32E12 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 120V 60A(Tc) 10V 13.8m옴 @ 16A, 10V 4V에서 500μA 34nC @ 10V ±20V 60V에서 2000pF - 98W(Tc)
RN1409,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1409,LXHF 0.0645
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1409 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 22kΩ
TPH2R805PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R805PL, LQ 1.2000
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 ECAD 9118 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 45V 100A(Tc) 4.5V, 10V 2.8m옴 @ 50A, 10V 500μA에서 2.4V 73nC @ 10V ±20V 5175pF @ 22.5V - 830mW(Ta), 116W(Tc)
2SC3328-Y,T6CKF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3328-Y,T6CKF(J -
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 ECAD 5365 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC3328 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 80V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TTA008B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTA008B,Q 0.6600
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 ECAD 250 0.00000000 도시바 및 저장 - 쟁반 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-225AA, TO-126-3 1.5W TO-126N 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 250 80V 2A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 100mA, 1A 100 @ 500mA, 2V 100MHz
SSM3K35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35AMFV,L3F 0.2300
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 ECAD 239 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 SSM3K35 MOSFET(금속) 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 N채널 20V 250mA(타) 1.2V, 4.5V 1.1옴 @ 150mA, 4.5V 1V @ 100μA 0.34nC @ 4.5V ±10V 10V에서 36pF - 500mW(타)
RN49A1(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN49A1(T5L,F,T) -
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 ECAD 6337 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN49A1 200mW US6 - 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2kΩ 47kΩ
2SC4915-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4915-Y,LF 0.4400
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 ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SC4915 100mW SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 17dB ~ 23dB 30V 20mA NPN 100@1mA, 6V 550MHz 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz
RN1108,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1108,LXHF(CT 0.3300
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1108 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22kΩ 47kΩ
TPCA8011-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8011-H(TE12LQM -
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 ECAD 5101 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8011 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 20V 40A(타) 2.5V, 4.5V 3.5m옴 @ 20A, 4.5V 200μA에서 1.3V 32nC @ 5V ±12V 2900pF @ 10V - 1.6W(Ta), 45W(Tc)
MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113(TE85L,F) 0.7000
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MT3S113 800mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 11.8dB 5.3V 100mA NPN 200 @ 30mA, 5V 12.5GHz 1.45dB @ 1GHz
TK3R2A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R2A08QM,S4X 2.1700
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSX-H 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220SIS - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 80V 92A(Tc) 6V, 10V 3.2m옴 @ 46A, 10V 3.5V @ 1.3mA 102nC @ 10V ±20V 40V에서 7670pF - 45W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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