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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
TK4A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A60D(STA4,Q,M) -
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 ECAD 6275 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK4A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 4A(타) 10V 1.7옴 @ 2A, 10V 4.4V @ 1mA 12nC @ 10V ±30V 25V에서 600pF - 35W(Tc)
2SC5095-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5095-R(TE85L,F) -
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 ECAD 9694 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SC5095 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 13dB ~ 7.5dB 10V 15mA NPN 50 @ 7mA, 6V 10GHz 1.8dB @ 2GHz
RN1304,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1304,LXHF 0.3900
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1304 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 47kΩ
RN1407,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1407,LXHF 0.3400
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1407 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 47kΩ
SSM3J372R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J372R,LF 0.4400
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 ECAD 334 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3J372 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 6A(타) 1.8V, 10V 42m옴 @ 5A, 10V 1.2V @ 1mA 8.2nC @ 4.5V +12V, -6V 15V에서 560pF - 1W(타)
SSM5H12TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H12TU(TE85L,F) -
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 ECAD 5864 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD(5리드), 플랫 리드 SSM5H12 MOSFET(금속) UFV 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 1.9A(타) 1.8V, 4V 133m옴 @ 1A, 4V 1V @ 1mA 1.9nC @ 4V ±12V 15V에서 123pF 쇼트키 다이오드(절연) 500mW(타)
TPH2R805PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R805PL, LQ 1.2000
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 ECAD 9118 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-PowerVDFN MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 45V 100A(Tc) 4.5V, 10V 2.8m옴 @ 50A, 10V 500μA에서 2.4V 73nC @ 10V ±20V 5175pF @ 22.5V - 830mW(Ta), 116W(Tc)
2SC2235-O(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O(T6FJT,AF -
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 ECAD 2992 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2235 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
RN4989FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4989FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4989 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 47kΩ 22k옴
TK25N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK25N60X,S1F 4.6600
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 ECAD 4357 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 TK25N60 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 25A(타) 10V 125m옴 @ 7.5A, 10V 3.5V @ 1.2mA 40nC @ 10V ±30V 300V에서 2400pF - 180W(Tc)
SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFE,LM 0.3300
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 ECAD 28 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 SSM6N7002 MOSFET(금속) 150mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 2 N채널(듀얼) 60V 200mA 2.1옴 @ 500mA, 10V 250μA에서 3.1V - 17pF @ 25V 게임 레벨 레벨
RN4904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4904FE,LXHF(CT 0.3800
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4904 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 47kΩ 47kΩ
TK560P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P65Y,RQ 1.3300
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK560P65 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 650V 7A(TC) 10V 560m옴 @ 3.5A, 10V 4V @ 240μA 14.5nC @ 10V ±30V 300V에서 380pF - 60W(Tc)
RN4991FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE,LF(CT 0.2500
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 ECAD 2649 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4991 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz, 200MHz 10k옴 -
2SA1020-Y(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y(T6FJT,AF -
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 ECAD 7274 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1020 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1409,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1409,LXHF 0.0645
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1409 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 22kΩ
RN2101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2101ACT(TPL3) -
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 ECAD 7160 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN2101 100mW CST3 - 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 80mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 4.7kΩ 4.7kΩ
RN2104(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2104(T5L,F,T) 0.2800
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 ECAD 727 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2104 100mW SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 47kΩ
2SC5171,MATUDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171,MATUDQ(J -
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 ECAD 1872년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC5171 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 180V 2A 5μA(ICBO) NPN 1V @ 100mA, 1A 100 @ 100mA, 5V 200MHz
TK16C60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16C60W,S1VQ -
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 ECAD 7901 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA TK16C60 MOSFET(금속) I2PAK 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 15.8A(타) 10V 190m옴 @ 7.9A, 10V 790μA에서 3.7V 38nC @ 10V ±30V 300V에서 1350pF - 130W(Tc)
TPN1600ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1600ANH,L1Q 0.8800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN1600 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 100V 17A(TC) 10V 16m옴 @ 8.5A, 10V 4V @ 200μA 19nC @ 10V ±20V 50V에서 1600pF - 700mW(Ta), 42W(Tc)
TK5A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60D(STA4,Q,M) 1.5700
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 ECAD 3980 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK5A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 5A(타) 10V 1.43옴 @ 2.5A, 10V 4.4V @ 1mA 16nC @ 10V ±30V 25V에서 700pF - 35W(Tc)
TK8A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK8A60W,S4VX 2.6600
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 ECAD 4513 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK8A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 8A(타) 10V 500m옴 @ 4A, 10V 400μA에서 3.7V 18.5nC @ 10V ±30V 300V에서 570pF - 30W(Tc)
2SC2229-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O(TE6,F,M) -
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 ECAD 6227 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2229 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120MHz
TPW4R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R008NH,L1Q 2.7900
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 ECAD 4510 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN TPW4R008 MOSFET(금속) 8-DSOP 어드밴스 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 80V 116A(Tc) 10V 4m옴 @ 50A, 10V 4V @ 1mA 59nC @ 10V ±20V 40V에서 5300pF - 800mW(Ta), 142W(Tc)
SSM3K17SU,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K17SU,LF(D -
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 ECAD 9558 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 SSM3K17 - 1(무제한) SSM3K17SULF(D EAR99 8541.21.0095 3,000 100mA(타)
TK35E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK35E08N1,S1X 1.1500
보상요청
 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK35E08 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 80V 55A(Tc) 10V 12.2m옴 @ 17.5A, 10V 300μA에서 4V 25nC @ 10V ±20V 40V에서 1700pF - 72W(Tc)
RN1706,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1706,LF 0.3000
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 ECAD 939 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1706 200mW USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 47kΩ
RN2707,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2707,LF 0.2900
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2707 200mW USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10k옴 47kΩ
RN4991FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE,LXHF(CT 0.3800
보상요청
 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4991 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz, 200MHz 10k옴 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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