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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
SSM3K35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35AMFV,L3F 0.2300
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 ECAD 239 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 SSM3K35 MOSFET(금속) 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 N채널 20V 250mA(타) 1.2V, 4.5V 1.1옴 @ 150mA, 4.5V 1V @ 100μA 0.34nC @ 4.5V ±10V 10V에서 36pF - 500mW(타)
TK32E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK32E12N1,S1X 1.5300
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TK32E12 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 120V 60A(Tc) 10V 13.8m옴 @ 16A, 10V 4V에서 500μA 34nC @ 10V ±20V 60V에서 2000pF - 98W(Tc)
2SC3328-Y,T6CKF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3328-Y,T6CKF(J -
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 ECAD 5365 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC3328 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 80V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TTA008B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTA008B,Q 0.6600
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 ECAD 250 0.00000000 도시바 및 저장 - 쟁반 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-225AA, TO-126-3 1.5W TO-126N 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 250 80V 2A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 100mA, 1A 100 @ 500mA, 2V 100MHz
SSM3J133TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J133TU,LF 0.4600
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 ECAD 71 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 SSM3J133 MOSFET(금속) UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 5.5A(타) 1.5V, 4.5V 29.8m옴 @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 12.8nC @ 4.5V ±8V 10V에서 840pF - 500mW(타)
TK14A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK14A55D(STA4,Q,M) 3.1600
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK14A55 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 550V 14A(타) 10V 370m옴 @ 7A, 10V 4V @ 1mA 40nC @ 10V ±30V 2300pF @ 25V - 50W(Tc)
TK72A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK72A08N1,S4X 2.2300
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK72A08 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 75V 80A(타) 10V 4.5m옴 @ 40A, 10V 4V @ 1mA 175nC @ 10V ±20V 8200pF @ 10V - 45W(Tc)
SSM3J145TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J145TU,LF 0.3800
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 SSM3J145 MOSFET(금속) UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 3A(타) 1.5V, 4.5V 103m옴 @ 1A, 4.5V 1V @ 1mA 4.6nC @ 4.5V +6V, -8V 10V에서 270pF - 500mW(타)
RN1966FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1966FE(TE85L,F) 0.3800
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1966 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 47kΩ
RN1107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107,LF(CT 0.2000
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1107 100mW SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 47kΩ
RN2317(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2317(TE85L,F) 0.2800
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 ECAD 962 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2317 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 4.7kΩ
2SK2845(TE16L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2845(TE16L1,Q) -
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 ECAD 5146 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2SK2845 MOSFET(금속) PW-MOLD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 900V 1A(타) 10V 9옴 @ 500mA, 10V 4V @ 1mA 15nC @ 10V ±30V 25V에서 350pF - 40W(Tc)
RN2312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2312(TE85L,F) 0.2700
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2312 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 22kΩ
SSM3J56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56ACT,L3F 0.3900
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 ECAD 32 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SC-101, SOT-883 SSM3J56 MOSFET(금속) CST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 P채널 20V 1.4A(타) 1.2V, 4.5V 390m옴 @ 800mA, 4.5V 1V @ 1mA 1.6nC @ 4.5V ±8V 10V에서 100pF - 500mW(타)
RN2314(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2314(TE85L,F) 0.2800
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2314 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 1kΩ 10kΩ
RN2706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2706JE(TE85L,F) 0.3900
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN2706 100mW ESV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 47kΩ
2SD2695,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695,T6F(J -
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 ECAD 2957 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SD2695 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 60V 2A 10μA(ICBO) NPN 1.5V @ 1mA, 1A 2000 @ 1A, 2V 100MHz
RN2971(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2971(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2971 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 10k옴 -
RN1411,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1411,LF 0.1900
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1411 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 10kΩ
SSM3J120TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J120TU,LF -
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 ECAD 2941 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 SSM3J120 MOSFET(금속) UFM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 4A(타) 1.5V, 4V 38m옴 @ 3A, 4V 1V @ 1mA 22.3nC @ 4V ±8V 1484pF @ 10V - 500mW(타)
RN1130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1130MFV,L3F 0.1000
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1130 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 100 @ 10mA, 5V 250MHz 100kΩ 100kΩ
TK46A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK46A08N1,S4X 1.0700
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 ECAD 7780 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK46A08 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 80V 46A(Tc) 10V 8.4m옴 @ 23A, 10V 4V에서 500μA 37nC @ 10V ±20V 40V에서 2500pF - 35W(Tc)
TPCA8010-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010-H(TE12L,Q -
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 ECAD 9297 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSV 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8010 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 200V 5.5A(타) 10V 450m옴 @ 2.7A, 10V 4V @ 1mA 10nC @ 10V ±20V 10V에서 600pF - 1.6W(Ta), 45W(Tc)
TK25N60X5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK25N60X5,S1F 4.5900
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 ECAD 8939 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 TK25N60 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 25A(타) 10V 140m옴 @ 7.5A, 10V 4.5V @ 1.2mA 60nC @ 10V ±30V 300V에서 2400pF - 180W(Tc)
RN2117(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2117(TE85L,F) 0.3900
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2117 100mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz 10kΩ 4.7kΩ
2SC5066-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5066-O,LF -
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 ECAD 9564 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 2SC5066 100mW SSM - RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 - 12V 30mA NPN 80 @ 10mA, 5V 7GHz 1dB @ 500MHz
RN2103(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2103(T5L,F,T) 0.2800
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN2103 100mW SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 22kΩ
2SA1972,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1972,F(J -
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 ECAD 7950 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1972 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 400V 500mA 10μA(ICBO) PNP 1V @ 10mA, 100mA 140 @ 20mA, 5V 35MHz
TTD1415B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TTD1415B,S4X(S -
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 ECAD 3496 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 활동적인 TTD1415 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50
RN1961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1961FE(TE85L,F) -
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 ECAD 8974 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1961 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

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