- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
트랜지스터 (2488)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TK13A45D (STA4, Q, M) | 2.4700 |  | 9513 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | π-mosvii | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | TK13A45 | MOSFET (금속 (() | TO-220SIS | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 450 v | 13A (TA) | 10V | 460mohm @ 6.5a, 10V | 4V @ 1MA | 25 nc @ 10 v | ± 30V | 1350 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | ||||||||||||||
 | SSM6N7002BFE, LM | 0.3300 | | 28 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | SSM6N7002 | MOSFET (금속 (() | 150MW | ES6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 200ma | 2.1ohm @ 500ma, 10V | 3.1V @ 250µA | - | 17pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||
| tk5a55d (sta4, q, m) | 1.3900 | | 50 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | π-mosvii | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | TK5A55 | MOSFET (금속 (() | TO-220SIS | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 550 v | 5A (TA) | 10V | 1.7ohm @ 2.5a, 10V | 4.4V @ 1mA | 11 NC @ 10 v | ± 30V | 540 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | ||||||||||||||
 | TJ20S04M3L (T6L1, NQ | 1.3300 | | 9822 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-Mosvi | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | TJ20S04 | MOSFET (금속 (() | DPAK+ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 40 v | 20A (TA) | 6V, 10V | 22.2MOHM @ 10A, 10V | 3V @ 1mA | 37 NC @ 10 v | +10V, -20V | 1850 pf @ 10 v | - | 41W (TC) | ||||||||||||||
 | RN2413, LXHF | 0.0645 | | 6865 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN2413 | 200 MW | S- 미니 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 120 @ 1ma, 5V | 200MHz | 47 Kohms | |||||||||||||||||||
 | TK60F10N1L, LXGQ | 2.3200 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-Mosviii-H | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | TK60F10 | MOSFET (금속 (() | TO-220SM (W) | - | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 60A (TA) | 6V, 10V | 6.11mohm @ 30a, 10V | 3.5V @ 500µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 4320 pf @ 10 v | - | 205W (TC) | |||||||||||||||
| RN2425 (TE85L, F) | 0.4000 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN2425 | 200 MW | S- 미니 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 800 MA | 500NA | pnp- 사전- | 250mv @ 1ma, 50ma | 90 @ 100MA, 1V | 200MHz | 10 KOHMS | ||||||||||||||||||
| RN1405, LXHF | 0.3400 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1405 | 200 MW | S- 미니 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 250MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||
 | RN1962TE85LF | - | | 5519 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN1962 | 500MW | US6 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 100NA (ICBO) | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 250µA, 5MA | 50 @ 10ma, 5V | 250MHz | 10kohms | 10kohms | |||||||||||||||||
 | TPCF8B01 (TE85L, F, M. | - | | 5121 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-mosiii | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | TPCF8B01 | MOSFET (금속 (() | VS-8 (2.9x1.5) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | p 채널 | 20 v | 2.7A (TA) | 1.8V, 4.5V | 110mohm @ 1.4a, 4.5v | 1.2V @ 200µA | 6 nc @ 5 v | ± 8V | 470 pf @ 10 v | Schottky 분리 (다이오드) | 330MW (TA) | |||||||||||||||
| RN4986FE, LXHF (Ct | 0.3800 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | RN4986 | 100MW | ES6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100ma | 500NA | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 250MHz, 200MHz | 4.7kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||
 | 2SC4738-GR, LXHF | 0.3300 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | 120 MW | SSM | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 150 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 250mv @ 10ma, 100ma | 200 @ 2ma, 6v | 80MHz | ||||||||||||||||||||
 | RN2109, LF (Ct | 0.2000 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | RN2109 | 100MW | SSM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 70 @ 10ma, 5V | 200MHz | 47 Kohms | 22 KOHMS | |||||||||||||||||
| RN1116, LF (Ct | 0.2000 | | 170 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | RN1116 | 100MW | SSM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 50 @ 10ma, 5V | 250MHz | 4.7 Kohms | 10 KOHMS | |||||||||||||||||
 | TPCP8001-H (TE85LFM | - | | 4459 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-mosiii | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | TPCP8001 | MOSFET (금속 (() | PS-8 (2.9x2.4) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 7.2A (TA) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 3.6a, 10V | 2.3v @ 1ma | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 640 pf @ 10 v | - | 1W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||||
 | 2SC4793, HFEF (m | - | | 4903 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | 2SC4793 | 2 w | TO-220NIS | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 230 v | 1 a | 1µA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 50MA, 500MA | 100 @ 100ma, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||
 | MT3S113P (TE12L, F) | 0.9900 | | 66 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | MT3S113 | 1.6W | PW- 미니 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 10.5dB | 5.3v | 100ma | NPN | 200 @ 30ma, 5V | 7.7GHz | 1GHz 1.45dB | ||||||||||||||||||
 | RN2317 (TE85L, F) | 0.2800 | | 962 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | RN2317 | 100MW | SC-70 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 30 @ 10ma, 5V | 200MHz | 10 KOHMS | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||
| RN1307, LF | 0.2200 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | RN1307 | 100MW | SC-70 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 250MHz | 10 KOHMS | 47 Kohms | |||||||||||||||||
 | TK10A60E, S5X | - | | 2076 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | Tk10a60 | MOSFET (금속 (() | TO-220SIS | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 10A (TA) | 10V | 750mohm @ 5a, 10V | 4V @ 1MA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 1300 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | ||||||||||||||
| TPCA8A01-H (TE12L, q | - | | 3926 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | TPCA8A01 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP Advance (5x5) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 36A (TA) | 4.5V, 10V | 5.6mohm @ 18a, 10V | 2.3v @ 1ma | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 1970 pf @ 10 v | - | 1.6W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||
| 2SA1930 (Q, M) | - | | 3597 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | 2SA1930 | 2 w | TO-220NIS | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0075 | 500 | 180 v | 2 a | 5µA (ICBO) | PNP | 1V @ 100MA, 1A | 100 @ 100ma, 5V | 200MHz | |||||||||||||||||||
 | 2SC4207-Y (TE85L, F) | 0.3500 | | 49 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74A, SOT-753 | 2SC4207 | 300MW | SMV | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 150ma | 100NA (ICBO) | 2 npn ((() 일치 한 쌍, 공통 이미 터 | 250mv @ 10ma, 100ma | 120 @ 2MA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||
 | SSM3K318R, LF | 0.4300 | | 710 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | u- 모시브 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-3 3 리드 | SSM3K318 | MOSFET (금속 (() | SOT-23F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 2.5A (TA) | 4.5V, 10V | 107mohm @ 2a, 10v | 2.8V @ 1MA | 7 nc @ 10 v | ± 20V | 235 pf @ 30 v | - | 1W (TA) | ||||||||||||||
 | 2SC3324GRE85LF | - | | 3943 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SC3324 | 150 MW | TO-236 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 120 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 1ma, 10ma | 200 @ 2ma, 6v | 100MHz | ||||||||||||||||||
 | TPH1400ANH, L1Q | 1.5000 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-Mosviii-H | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | TPH1400 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP Advance (5x5) | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 100 v | 24A (TC) | 10V | 13.6mohm @ 12a, 10V | 4V @ 300µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 1900 pf @ 50 v | - | 1.6W (TA), 48W (TC) | ||||||||||||||
| RN2406, LXHF | 0.3400 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN2406 | 200 MW | S- 미니 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 200MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||
| RN1444ATE85LF | - | | 7205 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1444 | 200 MW | S- 미니 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 20 v | 300 MA | 100NA (ICBO) | npn-사전- | 100mv @ 3ma, 30ma | 200 @ 4ma, 2v | 30MHz | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||||
 | TPC6113 (TE85L, F, M) | - | | 4053 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-Mosvi | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | TPC6113 | MOSFET (금속 (() | VS-6 (2.9x2.8) | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 5A (TA) | 2.5V, 4.5V | 55mohm @ 2.5a, 4.5v | 1.2V @ 200µA | 10 nc @ 5 v | ± 12V | 690 pf @ 10 v | - | 700MW (TA) | ||||||||||||||
| TK3P80E, RQ | 1.1500 | | 4414 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 800 v | 3A (TA) | 10V | 4.9ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 300µA | 12 nc @ 10 v | ± 30V | 500 pf @ 25 v | - | 80W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)