SIC
close
영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
RN1902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902,LXHF(CT 0.3600
보상요청
ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1902 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10k옴 10k옴
TK45P03M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK45P03M1,RQ(S -
보상요청
ECAD 5821 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVI-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK45P03 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 30V 45A(타) 4.5V, 10V 9.7m옴 @ 22.5A, 10V 2.3V @ 200μA 25nC @ 10V ±20V 1500pF @ 10V - -
RN1117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1117(T5L,F,T) -
보상요청
ECAD 6824 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1117 100mW SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 4.7kΩ
TK8A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK8A60W5,S5VX 1.7500
보상요청
ECAD 6899 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK8A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 8A(타) 10V 540m옴 @ 4A, 10V 4.5V @ 400μA 22nC @ 10V ±30V 300V에서 590pF - 30W(Tc)
2SA949-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-O(TE6,F,M) -
보상요청
ECAD 1856년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA949 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) PNP 800mV @ 1mA, 10A 70 @ 10mA, 5V 120MHz
2SD2257(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257(Q,엠) -
보상요청
ECAD 9334 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SD2257 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 100V 3A 10μA(ICBO) NPN 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 2000 @ 2A, 2V -
SSM3J35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35MFV,L3F 0.2300
보상요청
ECAD 53 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 SSM3J35 MOSFET(금속) 베스엠 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 P채널 20V 100mA(타) 8옴 @ 50mA, 4V - 12.2pF @ 3V - 150mW(타)
TPH1R403NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R403NL,L1Q 1.5500
보상요청
ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH1R403 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 60A(타) 4.5V, 10V 1.4m옴 @ 30A, 10V 500μA에서 2.3V 46nC @ 10V ±20V 4400pF @ 15V - 1.6W(Ta), 64W(Tc)
TK100S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L,LXHQ 1.7200
보상요청
ECAD 8020 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK100S04 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 100A(타) 4.5V, 10V 2.3m옴 @ 50A, 10V 500μA에서 2.5V 76nC @ 10V ±20V 5490pF @ 10V - 180W(Tc)
RN1903FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903FE,LF(CT 0.2500
보상요청
ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1903 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22k옴 22k옴
RN1971TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1971TE85LF 0.0618
보상요청
ECAD 6883 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1971 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 10k옴 -
2SA1761,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1761,F(J -
보상요청
ECAD 6832 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1761 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 3A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 75mA, 1.5A 120 @ 100mA, 2V 100MHz
TK31V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60X, LQ 5.3300
보상요청
ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 4-VSFN 옆형 패드 TK31V60 MOSFET(금속) 4-DFN-EP(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 30.8A(타) 10V 98m옴 @ 9.4A, 10V 3.5V @ 1.5mA 65nC @ 10V ±30V 300V에서 3000pF - 240W(Tc)
2SA2059(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2059(TE12L,F) 0.6300
보상요청
ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 1W PW-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1,000 20V 3A 100nA(ICBO) PNP 190mV @ 53mA, 1.6A 200 @ 500mA, 2V -
RN4989FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4989FE,LXHF(CT 0.3800
보상요청
ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4989 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 47kΩ 22k옴
2SC2655-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y,T6KEHF(M -
보상요청
ECAD 1327 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2655 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SC2235-Y(T6CN,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y(T6CN,A,F -
보상요청
ECAD 3118 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2235 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
2SC4793,HFEF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793,HFEF(J -
보상요청
ECAD 2472 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC4793 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 230V 1A 1μA(ICBO) NPN 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 100MHz
SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J507NU,LF 0.4600
보상요청
ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 SSM6J507 MOSFET(금속) 6-UDFNB(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 10A(타) 4V, 10V 20m옴 @ 4A, 10V 2.2V @ 250μA 20.4nC @ 4.5V +20V, -25V 15V에서 1150pF - 1.25W(타)
RN4991FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE,LXHF(CT 0.3800
보상요청
ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4991 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz, 200MHz 10k옴 -
2SC5095-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5095-R(TE85L,F) -
보상요청
ECAD 9694 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SC5095 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 13dB ~ 7.5dB 10V 15mA NPN 50 @ 7mA, 6V 10GHz 1.8dB @ 2GHz
2SK3309(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3309(Q) -
보상요청
ECAD 9535 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3, 단기 탭 2SK3309 MOSFET(금속) TO-220FL 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 450V 10A(타) 10V 650m옴 @ 5A, 10V 5V @ 1mA 23nC @ 10V ±30V 10V에서 920pF - 65W(Tc)
TK4A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A60D(STA4,Q,M) -
보상요청
ECAD 6275 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK4A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 4A(타) 10V 1.7옴 @ 2A, 10V 4.4V @ 1mA 12nC @ 10V ±30V 25V에서 600pF - 35W(Tc)
SSM3J66MFV,L3XHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J66MFV,L3XHF 0.3900
보상요청
ECAD 14 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SOT-723 MOSFET(금속) 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 P채널 20V 800mA(타) 1.2V, 4.5V 390m옴 @ 800mA, 4.5V 1V @ 1mA 1.6nC @ 4.5V +6V, -8V 10V에서 100pF - 150mW(타)
RN4986,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986,LXHF(CT 0.4400
보상요청
ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4986 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7kΩ 47kΩ
2SD2695(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695(T6CNO,A,F) -
보상요청
ECAD 5381 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SD2695 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 60V 2A 10μA(ICBO) NPN 1.5V @ 1mA, 1A 2000 @ 1A, 2V 100MHz
RN1415(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1415(TE85L,F) 0.3400
보상요청
ECAD 29 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1415 200mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 10kΩ
HN1B01FU-Y(L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-Y(L,F,T) -
보상요청
ECAD 9540 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B01 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN, PNP 300mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 120MHz
TK7A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK7A90E,S4X 1.6900
보상요청
ECAD 100 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVIII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK7A90 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 900V 7A(타) 10V 2옴 @ 3.5A, 10V 700μA에서 4V 32nC @ 10V ±30V 1350pF @ 25V - 45W(Tc)
RN2707,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2707,LF 0.2900
보상요청
ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2707 200mW USV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10k옴 47kΩ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고