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트랜지스터 (2488)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
SSM6J409TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J409TU (TE85L, f -
RFQ
 ECAD 3544 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSV 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6J409 MOSFET (금속 (() UF6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 9.5A (TA) 1.5V, 4.5V 22.1MOHM @ 3A, 4.5V 1V @ 1mA 15 nc @ 4.5 v ± 8V 1100 pf @ 10 v - 1W (TA)
TK12A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50W, S5X 2.1100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 11.5A (TA) 10V 300mohm @ 5.8a, 10V 3.7V @ 600µA 25 nc @ 10 v ± 30V 890 pf @ 300 v - 35W (TC)
TPH7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R506NH, L1Q 1.4700
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPH7R506 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 22A (TA) 10V 7.5mohm @ 11a, 10V 4V @ 300µA 31 NC @ 10 v ± 20V 2320 pf @ 30 v - 1.6W (TA), 45W (TC)
TPCC8002-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8002-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 2576 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSV-H 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 TPCC8002 MOSFET (금속 (() 8 3 3. (3.3x3.3) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 22A (TA) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 11a, 10V 2.5V @ 1mA 27 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 10 v - 700MW (TA), 30W (TC)
TPCP8407,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8407, LF 0.7400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 8-smd,, 리드 TPCP8407 MOSFET (금속 (() 690MW (TA) PS-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 264-TPCP8407LFCT 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 및 p 채널 40V 5A (TA), 4A (TA) 36.3mohm @ 2.5a, 10v, 56.8mohm @ 2a, 10v 3V @ 1mA 11.8NC @ 10V, 18NC @ 10V 505pf @ 10v, 810pf @ 10v -
TPCA8A02-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8A02-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 8734 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSV-H 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPCA8A02 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 34A (TA) 4.5V, 10V 5.3mohm @ 17a, 10V 2.3v @ 1ma 36 nc @ 10 v ± 20V 3430 pf @ 10 v - 1.6W (TA), 45W (TC)
SSM3J358R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J358R, LF 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSVII 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 SSM3J358 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6A (TA) 1.8V, 8V 22.1MOHM @ 6A, 8V 1V @ 1mA 38.5 nc @ 8 v ± 10V 1331 pf @ 10 v - 1W (TA)
TPH8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R903NL, LQ 0.8500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPH8R903 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 20A (TC) 10V 8.9mohm @ 10a, 10V 2.3v @ 1ma 9.8 nc @ 10 v ± 20V 820 pf @ 15 v - 1.6W (TA), 24W (TC)
2SC4793,YHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, YHF (J. -
RFQ
 ECAD 4612 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SC4793 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µA (ICBO) NPN 1.5V @ 50MA, 500MA 100 @ 100ma, 5V 100MHz
RN1705,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1705, LF 0.3000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1705 200MW USV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
RN2964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2964FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 1932 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN2964 100MW ES6 - 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 47kohms 47kohms
TPH2010FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2010FNH, L1Q 1.6200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPH2010 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 250 v 5.6A (TA) 10V 198mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 200µA 7 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 100 v - 1.6W (TA), 42W (TC)
RN2703,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2703, LF 0.2900
RFQ
 ECAD 5173 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2703 200MW USV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 200MHz 22kohms 22kohms
RN2910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910, LF (Ct 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-61AA RN2910 200MW SMQ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 4.7kohms -
RN2103,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103, LXHF (Ct 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN2103 100MW SSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 200MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
HN4B102J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4B102J (TE85L, F) 0.6100
RFQ
 ECAD 6062 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 HN4B102 750MW SMV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 30V 1.8a, 2a 100NA (ICBO) NPN, PNP 140mv @ 20ma, 600ma / 200mv @ 20ma, 600ma 200 @ 200ma, 2v -
MT3S20TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20TU (TE85L) -
RFQ
 ECAD 2541 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 MT3S20 900MW UFM - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 12db 12V 80ma NPN 100 @ 50MA, 5V 7GHz 1.45db @ 20ma, 5V
RN2109ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2109ACT (TPL3) 0.3400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN2109 100MW CST3 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 80 MA 500NA pnp- 사전- 150mv @ 250µa, 5mA 70 @ 10ma, 5V 47 Kohms 22 KOHMS
TPN30008NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN30008NH, LQ 0.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPN30008 MOSFET (금속 (() 8 3 3. (3.3x3.3) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 9.6A (TC) 10V 30mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 100µa 11 NC @ 10 v ± 20V 920 pf @ 40 v - 700MW (TA), 27W (TC)
2SA1425-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1425-Y, T2F (J. -
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-71 2SA1425 1 W. MSTM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 120 v 800 MA 100NA (ICBO) PNP 1V @ 50MA, 500MA 80 @ 100MA, 5V 120MHz
RN4910,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4910, LF 0.2800
RFQ
 ECAD 7429 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4910 200MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 4.7kohms -
TPC8110(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8110 (TE12L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 6368 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8110 MOSFET (금속 (() 8-SOP (5.5x6.0) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 8A (TA) 4V, 10V 25mohm @ 4a, 10V 2V @ 1mA 48 NC @ 10 v ± 20V 2180 pf @ 10 v - 1W (TA)
2SA1020-Y(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6FJT, AF -
RFQ
 ECAD 7274 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1020 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
2SC2229-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 6227 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC2229 800MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 150 v 50 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1ma, 10ma 70 @ 10ma, 5V 120MHz
2SA1972,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1972, F (J. -
RFQ
 ECAD 7950 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1972 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 400 v 500 MA 10µA (ICBO) PNP 1V @ 10MA, 100MA 140 @ 20MA, 5V 35MHz
2SA1162-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-GR, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 454 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW S- 미니 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 200 @ 2ma, 6v 80MHz
TPH3R10AQM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R10AQM, LQ 1.7000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powertdfn TPH3R10 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5.75) 다운로드 1 (무제한) 5,000 n 채널 100 v 180A (TA), 120A (TC) 6V, 10V 3.1mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 500µA 83 NC @ 10 v ± 20V 7400 pf @ 50 v - 3W (TA), 210W (TC)
TPH7R204PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R204PL, LQ 0.6500
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPH7R204 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 48A (TC) 4.5V, 10V 9.7mohm @ 15a, 4.5v 2.4V @ 200µA 24 nc @ 10 v ± 20V 2040 pf @ 20 v - 69W (TC)
2SK3670,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670, F (J. -
RFQ
 ECAD 2775 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SK3670 TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 670MA (TJ)
2SA1020-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6Canofm -
RFQ
 ECAD 6361 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SA1020 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 2sa1020yt6canofm 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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