SIC
close
영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 출력(V(BR)GSS) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 소스 소스(Id) - 최대
RN2908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2908FE,LXHF(CT 0.3800
보상요청
ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2908 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22k옴 47k옴
RN2306,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2306,LF 0.1900
보상요청
ECAD 2146 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2306 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 47kΩ
TPCA8023-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8023-H(TE12LQM -
보상요청
ECAD 3367 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8023 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 21A(타) 4.5V, 10V 12.9m옴 @ 11A, 10V 2.5V @ 1mA 21nC @ 10V ±20V 10V에서 2150pF - 1.6W(Ta), 30W(Tc)
RN2610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2610(TE85L,F) 0.4800
보상요청
ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-74, SOT-457 RN2610 300mW SM6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 4.7kΩ -
2SA1761,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1761,F(J -
보상요청
ECAD 6832 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1761 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 3A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 75mA, 1.5A 120 @ 100mA, 2V 100MHz
RN2965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2965FE(TE85L,F) -
보상요청
ECAD 7583 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2965 100mW ES6 - 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2kΩ 47k옴
SSM3J325F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J325F,LF 0.4100
보상요청
ECAD 17 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J325 MOSFET(금속) S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 2A(타) 1.5V, 4.5V 150m옴 @ 1A, 4.5V - 4.6nC @ 4.5V ±8V 10V에서 270pF - 600mW(타)
TPN4R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R712MD,L1Q 0.8500
보상요청
ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN4R712 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 P채널 20V 36A(티씨) 2.5V, 4.5V 4.7m옴 @ 18A, 4.5V 1.2V @ 1mA 65nC @ 5V ±12V 10V에서 4300pF - 42W(Tc)
2SC5439(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5439(F) -
보상요청
ECAD 9123 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC5439 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 450V 8A 100μA(ICBO) NPN 1V @ 640mA, 3.2A 14 @ 1A, 5V -
SSM3J35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35MFV,L3F 0.2300
보상요청
ECAD 53 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-723 SSM3J35 MOSFET(금속) 베스엠 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 P채널 20V 100mA(타) 8옴 @ 50mA, 4V - 12.2pF @ 3V - 150mW(타)
2SB1457(T6DW,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457(T6DW,F,M) -
보상요청
ECAD 5222 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SB1457 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 100V 2A 10μA(ICBO) PNP 1.5V @ 1mA, 1A 2000 @ 1A, 2V 50MHz
TK30A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK30A06N1,S4X 0.9300
보상요청
ECAD 4866 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK30A06 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 30A(Tc) 10V 15m옴 @ 15A, 10V 4V @ 200μA 16nC @ 10V ±20V 30V에서 1050pF - 25W(Tc)
TK100S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L,LXHQ 1.7200
보상요청
ECAD 8020 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK100S04 MOSFET(금속) DPAK+ 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 100A(타) 4.5V, 10V 2.3m옴 @ 50A, 10V 500μA에서 2.5V 76nC @ 10V ±20V 5490pF @ 10V - 180W(Tc)
2SD2257(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257(Q,엠) -
보상요청
ECAD 9334 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SD2257 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 100V 3A 10μA(ICBO) NPN 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 2000 @ 2A, 2V -
TK8A10K3,S5Q Toshiba Semiconductor and Storage TK8A10K3,S5Q -
보상요청
ECAD 5357 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK8A10 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 8A(타) 10V 120m옴 @ 4A, 10V 4V @ 1mA 12.9nC @ 10V ±20V 10V에서 530pF - 18W(Tc)
TPC8A06-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A06-H(TE12LQM) -
보상요청
ECAD 8606 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TPC8A06 MOSFET(금속) 8-SOP(5.5x6.0) 다운로드 1(무제한) TPC8A06HTE12LQM EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 12A(타) 4.5V, 10V 10.1m옴 @ 6A, 10V 2.3V @ 1mA 19nC @ 10V ±20V 10V에서 1800pF 쇼트키 다이오드(본체) -
TPCP8203(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCPP8203(TE85L,F) -
보상요청
ECAD 5326 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SMD, 플랫 리드 TCPP8203 MOSFET(금속) 360mW PS-8(2.9x2.4) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 40V 4.7A - 2.5V @ 1mA - - -
TK12A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A45D(STA4,Q,M) 2.2300
보상요청
ECAD 1473 0.00000000 도시바 및 저장 π-MOSVII 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK12A45 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 450V 12A(타) 10V 520m옴 @ 6A, 10V 4V @ 1mA 24nC @ 10V ±30V 25V에서 1200pF - 45W(Tc)
RN2911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2911,LXHF(CT 0.4400
보상요청
ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2911 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 10kΩ -
2SK2989(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989(T6CANO,A,F -
보상요청
ECAD 8088 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SK2989 TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 5A(티제이)
HN1A01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU-Y,LXHF 0.3700
보상요청
ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1A01 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 PNP(이중) 300mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 80MHz
TK8A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK8A60W5,S5VX 1.7500
보상요청
ECAD 6899 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK8A60 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 8A(타) 10V 540m옴 @ 4A, 10V 4.5V @ 400μA 22nC @ 10V ±30V 300V에서 590pF - 30W(Tc)
2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-Y(TE85L,F) 0.4900
보상요청
ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100mW S-미니 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 8.2pF @ 10V 50V 1.2mA @ 10V 400mV @ 100nA 6.5mA
TTB1020B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TTB1020B,S4X(S -
보상요청
ECAD 8142 0.00000000 도시바 및 저장 * 튜브 활동적인 TTB1020 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50
2SA1931,KEHINQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931,KEHINQ(M -
보상요청
ECAD 8804 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1931 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 50V 5A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 200mA, 2A 100 @ 1A, 1V 60MHz
RN1117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1117(T5L,F,T) -
보상요청
ECAD 6824 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1117 100mW SSM 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 4.7kΩ
2SA949-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-O(TE6,F,M) -
보상요청
ECAD 1856년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA949 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) PNP 800mV @ 1mA, 10A 70 @ 10mA, 5V 120MHz
RN1902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902,LXHF(CT 0.3600
보상요청
ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1902 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
TPC8207(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8207(TE12L) -
보상요청
ECAD 4725 0.00000000 도시바 및 저장 - Digi-Reel® 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) TPC8207 MOSFET(금속) 750mW 8-SOP(5.5x6.0) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 20V 6A 20m옴 @ 4.8A, 4V 200μA에서 1.2V 22nC @ 5V 2010pF @ 10V 게임 레벨 레벨
TK31V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60X, LQ 5.3300
보상요청
ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 4-VSFN 옆형 패드 TK31V60 MOSFET(금속) 4-DFN-EP(8x8) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 600V 30.8A(타) 10V 98m옴 @ 9.4A, 10V 3.5V @ 1.5mA 65nC @ 10V ±30V 300V에서 3000pF - 240W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고