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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RN2905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905,LF(CT 0.2600
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2905 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2kΩ 47k옴
2SA1931,NETQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931,NETQ(J -
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 ECAD 8766 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1931 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 50V 5A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 200mA, 2A 100 @ 1A, 1V 60MHz
RN1117MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1117MFV,L3F 0.1800
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1117 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 4.7kΩ
RN2107MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2107MFV,L3F -
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 ECAD 3225 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2107 150mW 베스엠 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 10kΩ 47kΩ
TPN5900CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN5900CNH,L1Q 1.3400
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPN5900 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.1x3.1) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 150V 9A(타) 10V 59m옴 @ 4.5A, 10V 4V @ 200μA 7nC @ 10V ±20V 75V에서 600pF - 700mW(Ta), 39W(Tc)
2SA1931,BOSCHQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931,BOSCHQ(J -
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 ECAD 2292 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1931 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 50V 5A 1μA(ICBO) PNP 400mV @ 200mA, 2A 100 @ 1A, 1V 60MHz
RN1701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1701JE(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 12 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN1701 100mW ESV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
2SC5886A,L1XHQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5886A,L1XHQ(O -
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 ECAD 7632 0.00000000 도시바 및 저장 * 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 2SC5886 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000
2SC3668-Y,T2F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3668-Y,T2F(M -
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 ECAD 8734 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 SC-71 2SC3668 1W MSTM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1416,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1416,LF 0.2000
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1416 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 10kΩ
2SA1315-Y,HOF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1315-Y,HOF(M -
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 ECAD 8164 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1315 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 80V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 80MHz
2SC2705-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2705-O(TE6,F,M) -
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 ECAD 6177 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2705 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 150V 50mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 1mA, 10mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz
RN4983FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983FE,LF(CT 0.2700
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN4983 100mW ES6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22k옴 22k옴
RN1965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1965FE(TE85L,F) 0.1000
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 ECAD 20 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1965 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 47k옴
RN1112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112CT(TPL3) -
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 ECAD 9061 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-101, SOT-883 RN1112 50mW CST3 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 300@1mA, 5V 22kΩ
RN1970FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1970FE(TE85L,F) -
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 ECAD 9551 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1970 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 4.7kΩ -
RN1132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1132MFV,L3F 0.1800
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 ECAD 2506 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1132 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200kΩ
2SC5201,T6MURAF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201,T6무라프(J -
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 ECAD 3172 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC5201 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 600V 50mA 1μA(ICBO) NPN 1V @ 500mA, 20mA 100 @ 20mA, 5V -
2SA1313-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1313-Y,LF 0.3400
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1313 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 500mA 100nA(ICBO) PNP 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 100mA, 1V 200MHz
2SA1242-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1242-Y(Q) -
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 ECAD 3646 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA 2SA1242 1W PW-MOLD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 200 20V 5A 100nA(ICBO) PNP 1V @ 100mA, 4A 160 @ 500mA, 2V 170MHz
RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV,L3F 0.1700
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1104 150mW 베스엠 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 47kΩ 47kΩ
RN2104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2104MFV,L3F -
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 ECAD 2607 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2104 150mW 베스엠 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) RN2104MFVL3F EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 47kΩ
2SD2206,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206,T6F(J -
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 ECAD 1678년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SD2206 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 100V 2A 10μA(ICBO) NPN 1.5V @ 1mA, 1A 2000 @ 1A, 2V 100MHz
RN1911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1911(T5L,F,T) -
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 ECAD 2298 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1911 100mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 4.7kΩ -
2SA1869-Y,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1869-Y,Q(J -
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 ECAD 3028 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SA1869 10W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 50V 3A 1μA(ICBO) PNP 600mV @ 200mA, 2A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SK2847(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2847(F) -
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 ECAD 1737년 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 2SK2847 MOSFET(금속) TO-3P(N)IS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 900V 8A(타) 10V 1.4옴 @ 4A, 10V 4V @ 1mA 58nC @ 10V ±30V 2040pF @ 25V - 85W(Tc)
2SD2695(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695(T6CANO,F,M -
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 ECAD 9371 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SD2695 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 60V 2A 10μA(ICBO) NPN 1.5V @ 1mA, 1A 2000 @ 1A, 2V 100MHz
2SA965-Y,SWFF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y,SWFF(M -
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 ECAD 8844 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA965 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 120V 800mA 100nA(ICBO) PNP 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120MHz
RN1311,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1311,LF 0.2200
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 ECAD 5946 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1311 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 250MHz 10kΩ
TK45P03M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK45P03M1,RQ(S -
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 ECAD 5821 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVI-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK45P03 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 30V 45A(타) 4.5V, 10V 9.7m옴 @ 22.5A, 10V 2.3V @ 200μA 25nC @ 10V ±20V 1500pF @ 10V - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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