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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
TK62N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60W5,S1VF 11.3800
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 ECAD 18 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 600V 61.8A(타) 10V 45m옴 @ 30.9A, 10V 4.5V @ 3.1mA 205nC @ 10V ±30V 300V에서 6500pF - 400W(Tc)
RN1705JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1705JE(TE85L,F) 0.4700
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 ECAD 769 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN1705 100mW ESV 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 47kΩ
SSM6N815R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N815R,LF 0.4500
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6N815 MOSFET(금속) 1.8W(타) 6-TSOP-F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 100V 2A(타) 103m옴 @ 2A, 10V 100μA에서 2.5V 3.1nC @ 4.5V 290pF @ 15V 레벨 레벨 컨트롤러, 4V 구동
RN1908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1908FE(TE85L,F) 0.0639
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 ECAD 7284 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN1908 100mW ES6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22k옴 47kΩ
TPCA8105(TE12L,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8105(TE12L,Q,M -
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 ECAD 5105 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8105 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 12V 6A(타) 1.8V, 4.5V 33m옴 @ 3A, 4.5V 200μA에서 1.2V 18nC @ 5V ±8V 10V에서 1600pF - 1.6W(Ta), 20W(Tc)
SSM3K315T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K315T(TE85L,F) -
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 ECAD 5970 0.00000000 도시바 및 저장 유모스크롤(U-MOSIV) 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K315 MOSFET(금속) TSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 6A(타) 4.5V, 10V 27.6m옴 @ 4A, 10V 2.5V @ 1mA 10.1nC @ 10V ±20V 15V에서 450pF - 700mW(타)
TK17N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK17N65W,S1F 3.8600
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 ECAD 7047 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 TK17N65 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 17.3A(타) 10V 200m옴 @ 8.7A, 10V 900μA에서 3.5V 45nC @ 10V ±30V 300V에서 1800pF - 165W(Tc)
RN1106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV,L3XHF(CT 0.3400
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN1106 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 80 @ 1mA, 5V 4.7kΩ 47kΩ
2SD2206(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206(TE6,F,M) -
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 ECAD 7464 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SD2206 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 100V 2A 10μA(ICBO) NPN 1.5V @ 1mA, 1A 2000 @ 1A, 2V 100MHz
TPH11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH11006NL,LQ 0.8000
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 ECAD 35 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN TPH11006 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 60V 17A(TC) 4.5V, 10V 11.4m옴 @ 8.5A, 10V 2.5V @ 200μA 23nC @ 10V ±20V 2000pF @ 30V - 1.6W(Ta), 34W(Tc)
SSM3K7002CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002CFU,LF 0.1800
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 ECAD 33 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 SSM3K7002 MOSFET(금속) USM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 170mA(타) 4.5V, 10V 3.9옴 @ 100mA, 10V 2.1V @ 250μA 0.35nC @ 4.5V ±20V 17pF @ 10V - 150mW(타)
RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1302,LF 0.2600
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN1302 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
RN2406,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2406,LXHF 0.3400
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2406 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 47kΩ
2SA1020-Y,HOF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y,HOF(M -
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 ECAD 4288 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SA1020 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 50V 2A 1μA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN2423(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2423(TE85L,F) 0.4100
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 ECAD 130 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2423 200mW S-미니 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 800mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250mV @ 1mA, 50mA 70 @ 100mA, 1V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
RN2964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2964FE(TE85L,F) -
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 ECAD 1932년 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2964 100mW ES6 - 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 47kΩ
TK10A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A50W,S5X 1.9200
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 ECAD 144 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK10A50 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 500V 9.7A(타) 10V 380m옴 @ 4.9A, 10V 500μA에서 3.7V 20nC @ 10V ±30V 300V에서 700pF - 30W(Tc)
2SC2229-Y(SHP,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y(SHP,F,M) -
보상요청
 ECAD 7291 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2229 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 150V 50mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120MHz
RN2904,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904,LF(CT 0.2800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2904 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 47kΩ
TK11P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK11P65W,RQ 1.7300
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TK11P65 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 650V 11.1A(타) 10V 440m옴 @ 5.5A, 10V 450μA에서 3.5V 25nC @ 10V ±30V 300V에서 890pF - 100W(Tc)
RN2905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905,LXHF(CT 0.4400
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2905 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2kΩ 47kΩ
RN4989(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4989(TE85L,F) 0.3400
보상요청
 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4989 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 47kΩ 22k옴
RN2309,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2309,LF 0.1800
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2309 100mW SC-70 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 47kΩ 22kΩ
RN2907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907,LF(CT 0.2700
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 ECAD 6 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2907 200mW US6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10k옴 47kΩ
2SB1375,CLARIONF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1375,클라리온F(M -
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 ECAD 5769 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SB1375 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 1 60V 3A 10μA(ICBO) PNP 1.5V @ 200mA, 2A 100 @ 500mA, 5V 9MHz
SSM3J304T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J304T(TE85L,F) -
보상요청
 ECAD 9160 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIII 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J304 MOSFET(금속) TSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 2.3A(타) 1.8V, 4V 127m옴 @ 1A, 4V - 6.1nC @ 4V ±8V 10V에서 335pF - 700mW(타)
SSM3J375F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J375F,LF 0.4100
보상요청
 ECAD 28 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J375 MOSFET(금속) S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 2A(타) 1.5V, 4.5V 150m옴 @ 1A, 4.5V 1V @ 1mA 4.6nC @ 4.5V +6V, -8V 10V에서 270pF - 600mW(타)
GT40RR21(STA1,E Toshiba Semiconductor and Storage GT40RR21(STA1,E 3.6500
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 ECAD 1369 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 GT40RR21 기준 230W TO-3P(엔) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 25 280V, 40A, 10옴, 20V 600ns - 1200V 40A 200A 2.8V @ 15V, 40A -, 540μJ(꺼짐) -
TK14N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK14N65W,S1F 3.3800
보상요청
 ECAD 8957 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 TK14N65 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 13.7A(타) 10V 250m옴 @ 6.9A, 10V 3.5V @ 690μA 35nC @ 10V ±30V 300V에서 1300pF - 130W(Tc)
RN2104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2104MFV,L3XHF(CT 0.3400
보상요청
 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-723 RN2104 150mW 베스엠 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47kΩ 47kΩ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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