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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
RN1108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1108 (T5L, F, T) 0.2300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN1108 100MW SSM 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 22 KOHMS 47 Kohms
2SC5201,T6MURAF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201, T6muraf (J. -
RFQ
ECAD 3172 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SC5201 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1 600 v 50 MA 1µA (ICBO) NPN 1V @ 500MA, 20MA 100 @ 20ma, 5V -
TK25N60X5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK25N60X5, S1F 4.5900
RFQ
ECAD 8939 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv-h 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 TK25N60 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 25A (TA) 10V 140mohm @ 7.5a, 10V 4.5V @ 1.2MA 60 nc @ 10 v ± 30V 2400 pf @ 300 v - 180W (TC)
2SD2695(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695 (T6Cano, F, m -
RFQ
ECAD 9371 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SD2695 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 60 v 2 a 10µA (ICBO) NPN 1.5v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 2v 100MHz
RN2706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2706JE (TE85L, F) 0.3900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-553 RN2706 100MW ESV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 pnp--바이어스 (이중 이중) (이미 터 커플 링) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 4.7kohms 47kohms
RN1110(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1110 (T5L, F, T) -
RFQ
ECAD 5975 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75, SOT-416 RN1110 100MW SSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms
2SA1668 Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1668 -
RFQ
ECAD 4425 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 활동적인 2SA166 - rohs 준수 1 (무제한) 2SA1668TS 0000.00.0000 50
RN1112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112CT (TPL3) -
RFQ
ECAD 9061 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-101, SOT-883 RN1112 50 MW CST3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 150mv @ 250µa, 5mA 300 @ 1ma, 5V 22 KOHMS
TPHR8504PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR8504PL, L1Q 1.9400
RFQ
ECAD 5381 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPHR8504 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 150A (TC) 4.5V, 10V 0.85mohm @ 50a, 10V 2.4V @ 1mA 103 NC @ 10 v ± 20V 9600 pf @ 20 v - 1W (TA), 170W (TC)
TTD1509B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTD1509B, Q (s -
RFQ
ECAD 2966 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 활동적인 TTD1509 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 250
TK14A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK14A65W5, S5X 2.8900
RFQ
ECAD 4496 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK14A65 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 13.7A (TA) 10V 300mohm @ 6.9a, 10V 4.5V @ 690µA 40 nc @ 10 v ± 30V 1300 pf @ 300 v - 40W (TC)
RN1906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1906FE, LF (Ct 0.2400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN1906 100MW ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
TPN14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN14006NH, L1Q 0.3533
RFQ
ECAD 4019 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPN14006 MOSFET (금속 (() 8 1 3. (3.1x3.1) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 13A (TA) 6.5V, 10V 14mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 200µA 15 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 30 v - 700MW (TA), 30W (TC)
RN4901,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4901, LF -
RFQ
ECAD 2952 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4901 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 30 @ 10ma, 5V 200MHz, 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN2304,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2304, LXHF 0.3900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN2304 100MW SC-70 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 47 Kohms 47 Kohms
RN4987FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987FE, LF (Ct 0.2700
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN4987 100MW ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz, 200MHz 10kohms 47kohms
RN4908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4908 (T5L, F, T) -
RFQ
ECAD 6703 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4908 200MW US6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 22kohms 47kohms
SSM6K504NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K504NU, LF 0.3800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSVII 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 SSM6K504 MOSFET (금속 (() 6-udfnb (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9A (TA) 4.5V, 10V 19.5mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 100µa 4.8 NC @ 4.5 v ± 20V 620 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm6p15fe (te85l, f) 0.4200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SSM6P15 MOSFET (금속 (() 150MW ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 30V 100ma 12ohm @ 10ma, 4v 1.7V @ 100µA - 9.1pf @ 3v 논리 논리 게이트
TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQH, LQ 2.0000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 264-tph9r00cqhlqtr 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 150 v 64A (TC) 8V, 10V 9mohm @ 32a, 10V 4.3V @ 1mA 44 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 75 v - 960MW (TA), 210W (TC)
2SC5085-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5085-Y (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 3125 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2SC5085 100MW SC-70 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 11dB ~ 16.5dB 12V 80ma NPN 120 @ 20MA, 10V 7GHz 1.1db @ 1ghz
RN2310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2310 (TE85L, F) 0.0474
RFQ
ECAD 6131 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN2310 100MW SC-70 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 4.7 Kohms
2SD2695(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695 (T6CNO, A, F) -
RFQ
ECAD 5381 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2SD2695 900 MW TO-92 모드 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1 60 v 2 a 10µA (ICBO) NPN 1.5v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 2v 100MHz
TK9A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk9a45d (sta4, q, m) 1.7100
RFQ
ECAD 8473 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK9A45 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 450 v 9A (TA) 10V 770mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 1MA 16 nc @ 10 v ± 30V 800 pf @ 25 v - 40W (TC)
SSM3K35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35CTC, L3F 0.3200
RFQ
ECAD 109 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosiii 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 SSM3K35 MOSFET (금속 (() CST3C 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 250MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.1ohm @ 150ma, 4.5v 1V @ 100µA 0.34 nc @ 4.5 v ± 10V 36 pf @ 10 v - 500MW (TA)
RN4902FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4902FE (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 4313 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 RN4902 100MW ES6 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 50 @ 10ma, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
RN1970(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1970 (TE85L, F) 0.4700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1970 200MW US6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 250MHz 4.7kohms -
TK42A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK42A12N1, S4X 1.4900
RFQ
ECAD 210 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK42A12 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 120 v 42A (TC) 10V 9.4mohm @ 21a, 10V 4V @ 1MA 52 NC @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 60 v - 35W (TC)
RN2313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2313 (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 4403 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 RN2313 100MW SC-70 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 120 @ 1ma, 5V 200MHz 47 Kohms
TPH6400ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH6400ENH, L1Q 1.7300
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPH6400 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 200 v 13A (TA) 10V 64mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 300µA 11.2 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 100 v - 1.6W (TA), 57W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고