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트랜지스터(2488)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
RN4908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4908(T5L,F,T) -
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 ECAD 6703 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4908 200mW US6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22k옴 47k옴
TW140Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW140Z120C,S1F 10.2200
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 ECAD 120 0.00000000 도시바 및 저장 - 튜브 활동적인 175°C 스루홀 TO-247-4 SiC(실리콘 카바이드 및 반도체) TO-247-4L(X) - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 30 N채널 1200V 20A(TC) 18V 191m옴 @ 10A, 18V 5V @ 1mA 24nC @ 18V +25V, -10V 800V에서 691pF - 107W(Tc)
TPCC8005-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8005-H(TE12LQM -
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 ECAD 7033 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVI-H 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-VDFN 옆 패드 TPCC8005 MOSFET(금속) 8-TSON 고급(3.3x3.3) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 26A(타) 4.5V, 10V 6.4m옴 @ 13A, 10V 500μA에서 2.3V 35nC @ 10V ±20V 2900pF @ 10V - 700mW(Ta), 30W(Tc)
TPH1R306PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL1,LQ 2.4200
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 ECAD 9668 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSIX-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-SOP 고급(5x5.75) - 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 100A(Tc) 4.5V, 10V 1.34m옴 @ 50A, 10V 2.5V @ 1mA 91nC @ 10V ±20V 30V에서 8100pF - 960mW(Ta), 210W(Tc)
SSM6J808R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R,LF 0.6400
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 ECAD 5 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 SSM6J808 MOSFET(금속) 6-TSOP-F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 40V 7A(타) 4V, 10V 35m옴 @ 2.5A, 10V 100μA에서 2V 24.2nC @ 10V +10V, -20V 1020pF @ 10V - 1.5W(타)
TK110A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A65Z,S4X 4.2300
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 ECAD 51 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSVI 튜브 활동적인 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK110A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 24A(타) 10V 110m옴 @ 12A, 10V 4V @ 1.02mA 40nC @ 10V ±30V 300V에서 2250pF - 45W(Tc)
T2N7002BK,LM Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002BK,LM 0.1700
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 ECAD 187 0.00000000 도시바 및 저장 U-MOSVII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 T2N7002 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 400mA(타) 4.5V, 10V 1.5옴 @ 100mA, 10V 2.1V @ 250μA 0.6nC @ 4.5V ±20V 10V에서 40pF - 320mW(타)
SSM3K341TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K341TU,LXHF 0.5900
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 3-SMD, 플랫 리드 MOSFET(금속) UFM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 60V 6A(타) 4V, 10V 36m옴 @ 4A, 10V 100μA에서 2.5V 9.3nC @ 10V ±20V 10V에서 550pF - 1W(타)
2SC4793,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793,N세이키프(J -
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 ECAD 8903 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC4793 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 230V 1A 1μA(ICBO) NPN 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 100MHz
TK8A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK8A65W,S5X 1.7800
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 ECAD 50 0.00000000 도시바 및 저장 DTMOSIV 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TK8A65 MOSFET(금속) TO-220SIS 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 7.8A(타) 10V 650m옴 @ 3.9A, 10V 3.5V @ 300μA 16nC @ 10V ±30V 300V에서 570pF - 30W(Tc)
SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K345R,LF 0.4300
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 ECAD 8 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 SSM3K345 MOSFET(금속) SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 20V 4A(타) 1.5V, 4.5V 33m옴 @ 4A, 4.5V 1V @ 1mA 3.6nC @ 4.5V ±8V 10V에서 410pF - 1W(타)
2SC5085-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5085-Y(TE85L,F) -
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 ECAD 3125 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 2SC5085 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 11dB ~ 16.5dB 12V 80mA NPN 120 @ 20mA, 10V 7GHz 1.1dB @ 1GHz
TPCA8016-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8016-H(TE12LQM -
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 ECAD 6814 0.00000000 도시바 및 저장 - Digi-Reel® 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8016 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 60V 25A(타) 21m옴 @ 13A, 10V 2.3V @ 1mA 22nC @ 10V 1375pF @ 10V -
XPH2R106NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH2R106NC,L1XHQ 2.1700
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 ECAD 9 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVIII-H 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C 표면 실장 8-SOIC(0.197", 5.00mm 폭) XPH2R106 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 110A(타) 2.1m옴 @ 55A, 10V 2.5V @ 1mA 104nC @ 10V ±20V 6900pF @ 10V - 960mW(Ta), 170W(Tc)
HN1C01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-GR,LXHF 0.3900
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 ECAD 7 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 HN1C01 100mW ES6 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 150mA 100nA(ICBO) 2 NPN(이중) 250mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
TPCA8109(TE12L1,V Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8109(TE12L1,V -
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 ECAD 3844 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 8-PowerVDFN TPCA8109 MOSFET(금속) 8-SOP 사전(5x5) - 1(무제한) 264-TPCA8109(TE12L1VTR EAR99 8541.29.0095 5,000 P채널 30V 24A(타) 4.5V, 10V 9m옴 @ 12A, 10V 2V에서 500μA 56nC @ 10V +20V, -25V 10V에서 2400pF - 1.6W(Ta), 30W(Tc)
RN2966FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2966FE(TE85L,F) -
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 ECAD 3228 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 RN2966 100mW ES6 - 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 47k옴
RN2965(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2965(TE85L,F) 0.4800
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2965 200mW US6 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2kΩ 47k옴
RN2303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2303(TE85L,F) 0.2700
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 ECAD 367 0.00000000 도시바 및 저장 - 컷테이프(CT) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2303 100mW SC-70 다운로드 RoHS 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22kΩ 22kΩ
2SK2962,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962,T6WNLF(J -
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 ECAD 1755년 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SK2962 TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 1 1A(티제이)
RN1402,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1402,LF 0.2200
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 ECAD 1364 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1402 200mW S-미니 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
2SC5171(ONK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171(ONK,Q,M) -
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 ECAD 9307 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 2SC5171 2W TO-220NIS 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.29.0075 1 180V 2A 5μA(ICBO) NPN 1V @ 100mA, 1A 100 @ 100mA, 5V 200MHz
2SC4738-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4738-GR,LXHF 0.3300
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 표면 실장 SC-75, SOT-416 120mW SSM 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
RN2312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2312(TE85L,F) 0.2700
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 ECAD 3 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2312 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 120@1mA, 5V 200MHz 22kΩ
SSM3J56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56ACT,L3F 0.3900
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 ECAD 32 0.00000000 도시바 및 저장 유모스비 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C 표면 실장 SC-101, SOT-883 SSM3J56 MOSFET(금속) CST3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 P채널 20V 1.4A(타) 1.2V, 4.5V 390m옴 @ 800mA, 4.5V 1V @ 1mA 1.6nC @ 4.5V ±8V 10V에서 100pF - 500mW(타)
2SC2705-O(TPE6,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2705-O(TPE6,F) -
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 ECAD 4015 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SC2705 800mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 150V 50mA 100nA(ICBO) NPN 1V @ 1mA, 10mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz
RN1101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101,LF(CT 0.2000
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 ECAD 2 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-75, SOT-416 RN1101 100mW SSM 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
RN2314(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2314(TE85L,F) 0.2800
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 ECAD 1 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 RN2314 100mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 300mV, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 1kΩ 10kΩ
RN2706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2706JE(TE85L,F) 0.3900
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 ECAD 4 0.00000000 도시바 및 저장 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-553 RN2706 100mW ESV 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100nA(ICBO) 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)(이미터) 250μA에서 300mV, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 47k옴
2SD2695,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695,T6F(J -
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 ECAD 2957 0.00000000 도시바 및 저장 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 2SD2695 900mW TO-92MOD 다운로드 1(무제한) EAR99 8541.21.0075 1 60V 2A 10μA(ICBO) NPN 1.5V @ 1mA, 1A 2000 @ 1A, 2V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

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