| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 테스트 조건 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SA1587-BL,LF | 0.2700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 125°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | 2SA1587 | 100mW | SC-70 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 120V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP | 300mV @ 1mA, 10mA | 350 @ 2mA, 6V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RN4984(T5L,F,T) | 0.1400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN4984 | 200mW | US6 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100μA(ICBO) | NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) | 250μA에서 300mV, 5mA | 80 @ 10mA, 5V | 250MHz, 200MHz | 47k옴 | 47k옴 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1362-GR,LF | 0.4000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SA1362 | 200mW | S-미니 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 15V | 800mA | 100nA(ICBO) | PNP | 200mV @ 8mA, 400mA | 200 @ 100mA, 1V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM6J206FE(TE85L,F | - | ![]() | 3596 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | SSM6J206 | MOSFET(금속) | ES6 | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | P채널 | 20V | 2A(타) | 1.8V, 4V | 130m옴 @ 1A, 4V | 1V @ 1mA | ±8V | 10V에서 335pF | - | 500mW(타) | |||||||||||||||||||||
![]() | SSM6N7002BFU(T5L,F | - | ![]() | 3812 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 컷테이프(CT) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SSM6N7002 | MOSFET(금속) | 300mW | US6 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 N채널(듀얼) | 60V | 200mA | 2.1옴 @ 500mA, 10V | 250μA에서 3.1V | - | 17pF @ 25V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||
![]() | TK5R3E08QM,S1X | 1.5800 | ![]() | 98 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSX-H | 튜브 | 활동적인 | 175°C | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 80V | 120A(Tc) | 6V, 10V | 5.3m옴 @ 50A, 10V | 700μA에서 3.5V | 55nC @ 10V | ±20V | 40V에서 3980pF | - | 150W(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | TK72A12N1,S4X | 3.0100 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSVIII-H | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TK72A12 | MOSFET(금속) | TO-220SIS | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 120V | 72A(Tc) | 10V | 4.5m옴 @ 36A, 10V | 4V @ 1mA | 130nC @ 10V | ±20V | 60V에서 8100pF | - | 45W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | GT50JR21(STA1,E,S) | 4.7900 | ![]() | 6501 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 튜브 | 활동적인 | 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-3P-3, SC-65-3 | 기준 | 230W | TO-3P(엔) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 264-GT50JR21(STA1ES) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | - | - | 600V | 50A | 100A | 2V @ 15V, 50A | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3309(TE24L,Q) | - | ![]() | 7505 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 2SK3309 | MOSFET(금속) | TO-220SM | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 450V | 10A(타) | 10V | 650m옴 @ 5A, 10V | 5V @ 1mA | 23nC @ 10V | ±30V | 10V에서 920pF | - | 65W(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | RN4982FE,LXHF(CT | 0.3800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | RN4982 | 100mW | ES6 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 500nA | NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) | 250μA에서 300mV, 5mA | 50 @ 10mA, 5V | 250MHz, 200MHz | 10k옴 | 10k옴 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TK4K1A60F,S4X | 0.8300 | ![]() | 8560 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 튜브 | 활동적인 | 150°C | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TK4K1A60 | MOSFET(금속) | TO-220SIS | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 2A(타) | 10V | 4.1옴 @ 1A, 10V | 4V @ 190μA | 8nC @ 10V | ±30V | 300V에서 270pF | - | 30W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | RN2412,LXHF | 0.0645 | ![]() | 2650 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN2412 | 200mW | S-미니 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 300mV, 5mA | 120@1mA, 5V | 200MHz | 22kΩ | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1131MFV,L3F | 0.1800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SOT-723 | RN1131 | 150mW | 베스엠 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA에서 300mV, 5mA | 120@1mA, 5V | 100kΩ | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1101CT(TPL3) | - | ![]() | 2343 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SC-101, SOT-883 | RN1101 | 50mW | CST3 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 20V | 50mA | 500nA | NPN - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 150mV, 5mA | 30 @ 10mA, 5V | 4.7kΩ | 4.7kΩ | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2106MFV,L3XHF(CT | 0.3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SOT-723 | RN2106 | 150mW | 베스엠 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100mA | 500nA | PNP - 사전 바이어스됨 | 500μA에서 300mV, 5mA | 80 @ 10mA, 5V | 250MHz | 4.7kΩ | 47kΩ | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TPH1R405PL,L1Q | 1.5800 | ![]() | 9110 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSIX-H | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 175°C | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | TPH1R405 | MOSFET(금속) | 8-SOP 사전(5x5) | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 45V | 120A(Tc) | 4.5V, 10V | 1.4m옴 @ 50A, 10V | 500μA에서 2.4V | 74nC @ 10V | ±20V | 6300pF @ 22.5V | - | 960mW(Ta), 132W(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | XPH6R30ANB,L1XHQ | 1.8400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSVIII-H | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 175°C | 표면 실장 | 8-SOIC(0.197", 5.00mm 폭) | XPH6R30 | MOSFET(금속) | 8-SOP 사전(5x5) | - | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 100V | 45A(타) | 6V, 10V | 6.3m옴 @ 22.5A, 10V | 500μA에서 3.5V | 52nC @ 10V | ±20V | 10V에서 3240pF | - | 960mW(Ta), 132W(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | TPCC8105,L1Q | 0.8200 | ![]() | 3350 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 유모스비 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C | 표면 실장 | 8-VDFN 옆 패드 | MOSFET(금속) | 8-TSON 고급(3.3x3.3) | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | P채널 | 30V | 23A(타) | 4.5V, 10V | 7.8m옴 @ 11.5A, 10V | 2V에서 500μA | 76nC @ 10V | +20V, -25V | 10V에서 3240pF | - | 700mW(Ta), 30W(Tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RN1315,LXHF | 0.3900 | ![]() | 8527 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | RN1315 | 100mW | SC-70 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500nA | NPN - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 300mV, 5mA | 50 @ 10mA, 5V | 250MHz | 2.2kΩ | 10kΩ | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1412,LXHF | 0.0645 | ![]() | 6934 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1412 | 200mW | S-미니 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 300mV, 5mA | 120@1mA, 5V | 250MHz | 22kΩ | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TK170V65Z,LQ | 3.6700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | DTMOSVI | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C | 표면 실장 | 4-VSFN 옆형 패드 | TK170V65 | MOSFET(금속) | 4-DFN-EP(8x8) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 650V | 18A(타) | 10V | 170m옴 @ 9A, 10V | 4V @ 730μA | 29nC @ 10V | ±30V | 300V에서 1635pF | - | 150W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | TK560A60Y,S4X | 1.5300 | ![]() | 1059 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | DTMOSV | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TK560A60 | MOSFET(금속) | TO-220SIS | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 7A(TC) | 10V | 560m옴 @ 3.5A, 10V | 4V @ 240μA | 14.5nC @ 10V | ±30V | 300V에서 380pF | - | 30W | ||||||||||||||||||||
![]() | TPCA8062-H,LQ(CM | - | ![]() | 4497 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSVII-H | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | TPCA8062 | MOSFET(금속) | 8-SOP 사전(5x5) | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 28A(타) | 4.5V, 10V | 5.6m옴 @ 14A, 10V | 300μA에서 2.3V | 34nC @ 10V | ±20V | 2900pF @ 10V | - | 1.6W(Ta), 42W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | RN2704,LF | 0.3100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | RN2704 | 200mW | USV | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 500nA | 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) | 250μA에서 300mV, 5mA | 80 @ 10mA, 5V | 200MHz | 47k옴 | 47k옴 | |||||||||||||||||||||||
![]() | RN2410,LF | 0.1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN2410 | 200mW | S-미니 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 300mV, 5mA | 120@1mA, 5V | 200MHz | 4.7kΩ | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1414,LF | 0.1900 | ![]() | 4137 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1414 | 200mW | S-미니 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 500nA | NPN - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 300mV, 5mA | 50 @ 10mA, 5V | 250MHz | 1kΩ | 10kΩ | |||||||||||||||||||||||
![]() | TPH4R50ANH1,LQ | 1.5400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSVIII-H | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 8-SOP 고급(5x5.75) | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 100V | 92A(Tc) | 10V | 4.5m옴 @ 46A, 10V | 4V @ 1mA | 58nC @ 10V | ±20V | 5200pF @ 50V | - | 800mW(타) | |||||||||||||||||||||
![]() | TPCC8002-H(TE12LQM | - | ![]() | 2576 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSV-H | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-VDFN 옆 패드 | TPCC8002 | MOSFET(금속) | 8-TSON 고급(3.3x3.3) | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 22A(타) | 4.5V, 10V | 8.3m옴 @ 11A, 10V | 2.5V @ 1mA | 27nC @ 10V | ±20V | 10V에서 2500pF | - | 700mW(Ta), 30W(Tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | TPH7R006PL,L1Q | 0.8500 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSIX-H | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | TPH7R006 | MOSFET(금속) | 8-SOP 사전(5x5) | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 60V | 60A(Tc) | 4.5V, 10V | 13.5m옴 @ 10A, 4.5V | 2.5V @ 200μA | 22nC @ 10V | ±20V | 30V에서 1875pF | - | 81W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | SSM3J35CTC,L3F | 0.3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSVII | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-101, SOT-883 | SSM3J35 | MOSFET(금속) | CST3C | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | P채널 | 20V | 250mA(타) | 1.2V, 4.5V | 1.4옴 @ 150mA, 4.5V | 1V @ 100μA | ±10V | 10V에서 42pF | - | 500mW(타) |

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

전세계 제조업체

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