| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TPH1500CNH,L1Q | 1.9800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSVIII-H | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | TPH1500 | MOSFET(금속) | 8-SOP 사전(5x5) | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 150V | 38A(Tc) | 10V | 15.4m옴 @ 19A, 10V | 4V @ 1mA | 22nC @ 10V | ±20V | 75V에서 2200pF | - | 1.6W(Ta), 78W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | TPC8221-H,LQ(S | - | ![]() | 1370 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | TPC8221 | MOSFET(금속) | 450mW | 8-SOP | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 N채널(듀얼) | 30V | 6A | 25m옴 @ 3A, 10V | 100μA에서 2.3V | 12nC @ 10V | 830pF @ 10V | - | ||||||||||||||||
![]() | TK6Q65W,S1Q | 1.4000 | ![]() | 8899 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | DTMOSIV | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 스텁 레코드, IPak | TK6Q65 | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 650V | 5.8A(타) | 10V | 1.05옴 @ 2.9A, 10V | 180μA에서 3.5V | 11nC @ 10V | ±30V | 300V에서 390pF | - | 60W(Tc) | |||||||||||||
![]() | TK5P65W,RQ | 1.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | DTMOSIV | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | DPAK | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 650V | 5.2A(타) | 10V | 1.22옴 @ 2.6A, 10V | 170μA에서 3.5V | 10.5nC @ 10V | ±30V | 300V에서 380pF | - | 60W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | 2SC2655-Y(T6CANOFM | - | ![]() | 8697 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 | 2SC2655 | 900mW | TO-92MOD | 다운로드 | 1(무제한) | 2SC2655YT6CANOFM | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 2A | 1μA(ICBO) | NPN | 500mV @ 50mA, 1A | 70 @ 500mA, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | SSM3J114TU(T5L,T) | - | ![]() | 2761 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-SMD, 플랫 리드 | SSM3J114 | MOSFET(금속) | UFM | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 1.8A(타) | 1.5V, 4V | 149m옴 @ 600mA, 4V | 1V @ 1mA | 7.7nC @ 4V | ±8V | 10V에서 331pF | - | 500mW(타) | ||||||||||||||
![]() | TK7A45DA(STA4,Q,M) | 1.4000 | ![]() | 5114 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | π-MOSVII | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TK7A45 | MOSFET(금속) | TO-220SIS | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 450V | 6.5A(타) | 10V | 1.2옴 @ 3.3A, 10V | 4.4V @ 1mA | 11nC @ 10V | ±30V | 25V에서 540pF | - | 35W(Tc) | |||||||||||||
![]() | TPCA8045-H(T2L1,VM | - | ![]() | 3369 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSVI-H | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | TPCA8045 | MOSFET(금속) | 8-SOP 사전(5x5) | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 40V | 46A(타) | 4.5V, 10V | 3.6m옴 @ 23A, 10V | 2.3V @ 1mA | 90nC @ 10V | ±20V | 7540pF @ 10V | - | 1.6W(Ta), 45W(Tc) | |||||||||||||
![]() | TPN11003NL,LQ | 0.6800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSVIII-H | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | TPN11003 | MOSFET(금속) | 8-TSON 고급(3.1x3.1) | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 11A(티씨) | 4.5V, 10V | 11m옴 @ 5.5A, 10V | 100μA에서 2.3V | 7.5nC @ 10V | ±20V | 15V에서 660pF | - | 700mW(Ta), 19W(Tc) | |||||||||||||
![]() | 2SK2962,T6F(J | - | ![]() | 4247 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 | 2SK2962 | TO-92MOD | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 1A(티제이) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1108(T5L,F,T) | 0.2300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SC-75, SOT-416 | RN1108 | 100mW | SSM | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 500nA | NPN - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 300mV, 5mA | 80 @ 10mA, 5V | 250MHz | 22kΩ | 47kΩ | ||||||||||||||||
![]() | RN2422TE85LF | 0.4200 | ![]() | 4270 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN2422 | 200mW | S-미니 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 800mA | 500nA | PNP - 사전 바이어스됨 | 250mV @ 1mA, 50mA | 65 @ 100mA, 1V | 200MHz | 2.2kΩ | 2.2kΩ | ||||||||||||||||
![]() | TPH6400ENH,L1Q | 1.7300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSVIII-H | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | TPH6400 | MOSFET(금속) | 8-SOP 사전(5x5) | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 200V | 13A(타) | 10V | 64m옴 @ 6.5A, 10V | 300μA에서 4V | 11.2nC @ 10V | ±20V | 100V에서 1100pF | - | 1.6W(Ta), 57W(Tc) | |||||||||||||
![]() | RN1421TE85LF | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1421 | 200mW | S-미니 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 800mA | 500nA | NPN - 사전 바이어스됨 | 250mV @ 2mA, 50mA | 60 @ 100mA, 1V | 300MHz | 1kΩ | 1kΩ | ||||||||||||||||
![]() | TK14A65W5,S5X | 2.8900 | ![]() | 4496 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | DTMOSIV | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TK14A65 | MOSFET(금속) | TO-220SIS | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 13.7A(타) | 10V | 300m옴 @ 6.9A, 10V | 690μA에서 4.5V | 40nC @ 10V | ±30V | 300V에서 1300pF | - | 40W(Tc) | |||||||||||||
![]() | 2SA1020-O(F,M) | - | ![]() | 4526 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 | 2SA1020 | 900mW | TO-92MOD | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 2A | 1μA(ICBO) | PNP | 500mV @ 50mA, 1A | 70 @ 500mA, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | RN2605(TE85L,F) | 0.4700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SC-74, SOT-457 | RN2605 | 300mW | SM6 | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) | 250μA에서 300mV, 5mA | 80 @ 10mA, 5V | 200MHz | 2.2k옴 | 47k옴 | ||||||||||||||||
![]() | RN2118(T5L,F,T) | - | ![]() | 7756 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SC-75, SOT-416 | RN2118 | 100mW | SSM | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 500nA | PNP - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 300mV, 5mA | 50 @ 10mA, 5V | 200MHz | 47kΩ | 10kΩ | |||||||||||||||||
![]() | TPCA8105(TE12L,Q,M | - | ![]() | 5105 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | TPCA8105 | MOSFET(금속) | 8-SOP 사전(5x5) | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 12V | 6A(타) | 1.8V, 4.5V | 33m옴 @ 3A, 4.5V | 200μA에서 1.2V | 18nC @ 5V | ±8V | 10V에서 1600pF | - | 1.6W(Ta), 20W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | RN1403,LXHF | 0.0645 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1403 | 200mW | S-미니 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500nA | NPN - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 300mV, 5mA | 70 @ 10mA, 5V | 250MHz | 22kΩ | 22kΩ | ||||||||||||||||
![]() | TPN14006NH,L1Q | 0.3533 | ![]() | 4019 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSVIII-H | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | TPN14006 | MOSFET(금속) | 8-TSON 고급(3.1x3.1) | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 60V | 13A(타) | 6.5V, 10V | 14m옴 @ 6.5A, 10V | 4V @ 200μA | 15nC @ 10V | ±20V | 30V에서 1300pF | - | 700mW(Ta), 30W(Tc) | |||||||||||||
![]() | TJ15P04M3,RQ(S | 0.8700 | ![]() | 878 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 유모스비 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TJ15P04 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | P채널 | 40V | 15A(타) | 4.5V, 10V | 36m옴 @ 7.5A, 10V | 100μA에서 2V | 26nC @ 10V | ±20V | 1100pF @ 10V | - | 29W(Tc) | |||||||||||||
![]() | TK1K2A60F,S4X | 1.0400 | ![]() | 40 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 유모식스 | 튜브 | 활동적인 | 150°C | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TK1K2A60 | MOSFET(금속) | TO-220SIS | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 6A(타) | 10V | 1.2옴 @ 3A, 10V | 4V @ 630μA | 21nC @ 10V | ±30V | 300V에서 740pF | - | 35W(Tc) | |||||||||||||
![]() | TW015N120C,S1F | 68.0400 | ![]() | 2613 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 튜브 | 활동적인 | 175°C | 스루홀 | TO-247-3 | SiCFET(탄화규소) | TO-247 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 1200V | 100A(Tc) | 18V | 20m옴 @ 50A, 18V | 5V @ 11.7mA | 158nC @ 18V | +25V, -10V | 6000pF @ 800V | - | 431W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | SSM3K35MFV(TPL3) | - | ![]() | 8872 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | π-모스비 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-723 | SSM3K35 | MOSFET(금속) | 베스엠 | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | N채널 | 20V | 180mA(타) | 1.2V, 4V | 3옴 @ 50mA, 4V | 1V @ 1mA | ±10V | 9.5pF @ 3V | - | 150mW(타) | ||||||||||||||
![]() | SSM3K35CTC,L3F | 0.3200 | ![]() | 109 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | U-MOSIII | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-101, SOT-883 | SSM3K35 | MOSFET(금속) | CST3C | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | N채널 | 20V | 250mA(타) | 1.2V, 4.5V | 1.1옴 @ 150mA, 4.5V | 1V @ 100μA | 0.34nC @ 4.5V | ±10V | 10V에서 36pF | - | 500mW(타) | |||||||||||||
![]() | RN1309(TE85L,F) | 0.2700 | ![]() | 895 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | RN1309 | 100mW | SC-70 | 다운로드 | RoHS 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 500nA | NPN - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 300mV, 5mA | 70 @ 10mA, 5V | 250MHz | 47kΩ | 22kΩ | ||||||||||||||||
![]() | TK13A45D(STA4,Q,M) | 2.4700 | ![]() | 9513 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | π-MOSVII | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TK13A45 | MOSFET(금속) | TO-220SIS | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 450V | 13A(타) | 10V | 460m옴 @ 6.5A, 10V | 4V @ 1mA | 25nC @ 10V | ±30V | 1350pF @ 25V | - | 45W(Tc) | |||||||||||||
![]() | TPCC8136.LQ | - | ![]() | 7165 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | 유모스비 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | TPCC8136 | MOSFET(금속) | 8-TSON 고급(3.1x3.1) | - | 1(무제한) | 264-TPCC8136.LQTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 9.4A(타) | 1.8V, 4.5V | 16m옴 @ 9.4A, 4.5V | 1.2V @ 1mA | 36nC @ 5V | ±12V | 2350pF @ 10V | - | 700mW(Ta), 18W(Tc) | |||||||||||||
![]() | 2SC2229-Y(T6MIT1FM | - | ![]() | 1667년 | 0.00000000 | 도시바 및 저장 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 | 2SC2229 | 800mW | TO-92MOD | 다운로드 | 1(무제한) | 2SC2229YT6MIT1FM | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 150V | 50mA | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 1mA, 10mA | 70 @ 10mA, 5V | 120MHz |

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