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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 테스트 조건 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 모델 지수(dB 일반 @ f)
IRF512 Harris Corporation IRF512 0.4600
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 100V 4.9A(Tc) 10V 740m옴 @ 3.4A, 10V 4V @ 250μA 7.7nC @ 10V ±20V 25V에서 135pF - 43W(Tc)
CA3096CM96 Harris Corporation CA3096CM96 0.9000
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 CA3096 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH의 영향을 받아들입니다. 2156-CA3096CM96-600026 1
2N5323 Harris Corporation 2N5323 -
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ECAD 9647 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 2N532 10W TO-5 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 50V 2A - PNP - - -
IRF151 Harris Corporation IRF151 1.5600
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ECAD 342 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AE MOSFET(금속) TO-204AE 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 40A(Tc) 10V 55m옴 @ 20A, 10V 4V @ 250μA 120nC @ 10V ±20V 2000pF @ 25V - 150W(Tc)
IRFP244 Harris Corporation IRFP244 -
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ECAD 5094 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247AC 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 500 N채널 250V 15A(Tc) 10V 280m옴 @ 9A, 10V 4V @ 250μA 63nC @ 10V ±20V 25V에서 1400pF - 150W(Tc)
HFA3128B Harris Corporation HFA3128B 4.9200
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH의 영향을 받아들입니다. 2156-HFA3128B-600026 1
IRFU222 Harris Corporation IRFU222 0.4000
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ECAD 900 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 200V 3.8A(Tc) 10V 1.2옴 @ 2.4A, 10V 4V @ 250μA 18nC @ 10V ±20V 330pF @ 25V - 50W(Tc)
2N6792 Harris Corporation 2N6792 1.5900
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ECAD 10 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-205AF 금속 캔 MOSFET(금속) TO-205AF (TO-39) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 189 N채널 400V 2A(TC) 10V 1.8옴 @ 1.25A, 10V 4V @ 1mA ±20V 25V에서 600pF - 20W(Tc)
IRF626 Harris Corporation IRF626 0.5300
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ECAD 997 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 275V 3.8A(Tc) 10V 1.1옴 @ 1.4A, 10V 4V @ 250μA 22nC @ 10V ±20V 340pF @ 25V - 40W(Tc)
RFP50N06R4034 Harris Corporation RFP50N06R4034 0.6100
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ECAD 3 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 RFP50 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 -
RFM10N50 Harris Corporation RFM10N50 -
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ECAD 3405 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 MOSFET(금속) TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 500V 10A(TC) 10V 600m옴 @ 5A, 10V 4V @ 1mA ±20V 3000pF @ 25V - 150W(Tc)
IRFU220 Harris Corporation IRFU220 0.8700
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ECAD 13 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA IRFU2 MOSFET(금속) TO-251AA 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 N채널 200V 4.8A(Tc) 800m옴 @ 2.9A, 10V 4V @ 250μA 14nC @ 10V 25V에서 260pF -
RFP2N12 Harris Corporation RFP2N12 0.4600
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 120V 2A(TC) 10V 1.75옴 @ 2A, 10V 4V @ 250μA ±20V 200pF @ 25V - 25W(Tc)
IRF433 Harris Corporation IRF433 -
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ECAD 8910 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-204AA MOSFET(금속) TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 154 N채널 450V 4A - - - - - 75W
BD244B Harris Corporation BD244B 0.1900
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ECAD 2813 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 65W TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 271 80V 6A 700μA PNP 1.5V @ 1A, 6A 15 @ 3A, 4V 3MHz
RFP45N02L Harris Corporation RFP45N02L 0.4600
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 20V 45A(Tc) 5V 22m옴 @ 45A, 5V 2V @ 250μA 60nC @ 10V ±10V 15V에서 1300pF - 90W(Tc)
HGTH20N50E1D Harris Corporation HGTH20N50E1D 3.4000
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ECAD 325 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-218-3 탭, TO-218AC 기준 100W TO-218 절연 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - - 500V 20A 35A 3.2V @ 20V, 35A - 33nC -
RFD16N05L Harris Corporation RFD16N05L 1.1700
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ECAD 32 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) TO-251AA 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 50V 16A(티씨) 4V, 5V 47m옴 @ 16A, 5V 2V @ 250mA 80nC @ 10V ±10V - 60W(Tc)
HGTH12N50C1D Harris Corporation HGTH12N50C1D 2.3000
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ECAD 483 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-218-3 탭, TO-218AC 기준 75W TO-218 절연 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - 100ns - 500V 12A 17.5A 3.2V @ 20V, 17.5A - 19nC -
IRF823 Harris Corporation IRF823 0.4100
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 450V 2.2A(Tc) 10V 4옴 @ 1.4A, 10V 4V @ 250μA 19nC @ 10V ±20V 360pF @ 25V - 50W(Tc)
IRF723 Harris Corporation IRF723 0.7800
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ECAD 79 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 350V 2.8A(Tc) 10V 2.5옴 @ 1.8A, 10V 4V @ 250μA 20nC @ 10V ±20V 360pF @ 25V - 50W(Tc)
2N6771 Harris Corporation 2N6771 0.3300
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 40W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 1 450V 1A 100μA NPN 1V @ 200mA, 1A 20 @ 300mA, 3V 50MHz
2N6487 Harris Corporation 2N6487 0.9600
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2N6487 1.8W TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 314 60V 15A 1mA NPN 3.5V @ 5A, 15A 20 @ 5A, 4V 5MHz
RFP4N05 Harris Corporation RFP4N05 0.5700
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ECAD 6 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 50V 4A(TC) 10V 800m옴 @ 4A, 10V 4V @ 250μA ±20V 200pF @ 25V - 25W(Tc)
RF1S25N06SM9A Harris Corporation RF1S25N06SM9A 0.6300
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ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 800
IRFD210 Harris Corporation IRFD210 0.9100
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) IRFD210 MOSFET(금속) 4-DIP, 해트립, HVMDIP 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 200V 600mA(타) 10V 1.5옴 @ 360mA, 10V 4V @ 250μA 8.2nC @ 10V ±20V 25V에서 140pF - 1W(타)
IGTH20N50A Harris Corporation IGTH20N50A 2.6100
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ECAD 5178 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-218-3 탭, TO-218AC 기준 TO-218 절연 다운로드 EAR99 8542.39.0001 38 - - 500V 20A - - -
HFA3127B96 Harris Corporation HFA3127B96 -
보상요청
ECAD 7981 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 125°C (TJ) 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 150mW 16-SOIC - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-HFA3127B96-600026 1 - 12V 65mA 5 NPN 40 @ 10mA, 2V 8GHz 3.5dB @ 1GHz
D45D3 Harris Corporation D45D3 -
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ECAD 9669 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2.1W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 124 60V 6A 10μA PNP-달링턴 1.5V @ 3mA, 3A 2000 @ 1A, 2V -
2N3440 Harris Corporation 2N3440 12.5600
보상요청
ECAD 15 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N34 800mW TO-39 (TO-205AD) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 24 250V 1A 2μA NPN 500mV @ 4mA, 50mA 40 @ 20mA, 10V 15MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고