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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
2N6475 Harris Corporation 2N6475 1.1300
RFQ
ECAD 6073 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 40 W. TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 200 100 v 4 a 1MA PNP 2.5V @ 2A, 4A 15 @ 1.5a, 4v 4MHz
HGT1S15N120C3 Harris Corporation HGT1S15N120C3 3.7100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 기준 164 w I2PAK (TO-262) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 - - 1200 v 35 a 120 a 3.5V @ 15V, 15a - 100 NC -
HGT1S12N60B3 Harris Corporation HGT1S12N60B3 1.2600
RFQ
ECAD 917 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 기준 104 w I2PAK (TO-262) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 480V, 12A, 25OHM, 15V - 600 v 27 a 110 a 2.1V @ 15V, 12a 304µJ (on), 250µJ (OFF) 68 NC 26ns/150ns
RCA1C04 Harris Corporation RCA1C04 -
RFQ
ECAD 1421 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 - rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
HUF76129P3 Harris Corporation HUF76129P3 0.7600
RFQ
ECAD 24 0.00000000 해리스 해리스 Ultrafet ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 56A (TC) 4.5V, 10V 16ohm @ 56a, 10V 3V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 25 v - 105W (TC)
2N5492 Harris Corporation 2N5492 1.0200
RFQ
ECAD 7456 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 50 W. TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 292 55 v 7 a 1MA NPN 1V @ 250MA, 2.5A 20 @ 2.5a, 4v 800kHz
MJE13071 Harris Corporation MJE13071 0.9200
RFQ
ECAD 967 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 80 W. TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 6 v 5 a 500µA NPN 3v @ 1a, 5a 8 @ 3a, 5V
MJ13091 Harris Corporation MJ13091 4.4200
RFQ
ECAD 272 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 175 w TO-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 6 v 15 a 500µA NPN 3v @ 3a, 15a 8 @ 10a, 3v -
IRFF223 Harris Corporation IRFF223 1.1600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AF af 캔 MOSFET (금속 (() TO-205AF (TO-39) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 150 v 3A (TC) 10V 1.2ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 25 v - 20W (TC)
IRFU321 Harris Corporation IRFU321 -
RFQ
ECAD 8903 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 350 v 3.1A (TA) 10V 1.8ohm @ 1.7a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 50W (TC)
IRFR221 Harris Corporation IRFR221 0.4400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 150 v 4.6A (TC) 10V 800mohm @ 2.4a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 330 pf @ 25 v - 50W (TC)
IRFF232 Harris Corporation IRFF232 1.0100
RFQ
ECAD 341 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-205AF af 캔 MOSFET (금속 (() TO-205AF (TO-39) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 4.5A (TC) - - - - - 25W
IRFD323 Harris Corporation IRFD323 1.4000
RFQ
ECAD 982 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) MOSFET (금속 (() 4-DIP, Hexdip 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 350 v 400MA (TC) 10V 2.5ohm @ 250ma, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 455 pf @ 25 v - 1W (TC)
IRF9621 Harris Corporation IRF9621 -
RFQ
ECAD 4095 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 150 v 3.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 40W (TC)
IRFF322 Harris Corporation IRFF322 0.6500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AF af 캔 MOSFET (금속 (() TO-205AF (TO-39) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 400 v 2A (TC) 10V 2.5ohm @ 1.25a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v 20V 450 pf @ 25 v - 20W (TC)
IRFF9132 Harris Corporation IRFF9132 0.9900
RFQ
ECAD 1666 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AF af 캔 MOSFET (금속 (() TO-205AF (TO-39) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 19 p 채널 100 v 5.5A (TC) 10V 400mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 500 pf @ 25 v - 25W (TC)
HGTP12N60C3R Harris Corporation HGTP12N60C3R 1.1600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 104 w TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 480V, 12A, 25OHM, 15V 37 ns - 600 v 24 a 48 a 2.2V @ 15V, 12a 400µJ (on), 340µJ (OFF) 71 NC 37ns/120ns
IRF831 Harris Corporation IRF831 1.3000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 450 v 4.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 600 pf @ 25 v - 75W (TC)
IRF9632 Harris Corporation IRF9632 1.5400
RFQ
ECAD 455 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 200 v 5.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 550 pf @ 25 v - 75W (TC)
HGTH12N40C1D Harris Corporation HGTH12N40C1D -
RFQ
ECAD 1099 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-218-3 8 된 탭, TO-218AC 기준 75 w TO-218 분리 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 - 100 ns - 400 v 12 a 17.5 a 3.2V @ 20V, 17.5A - 19 NC -
IRF647 Harris Corporation IRF647 0.9600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 275 v 13A (TC) 10V 340mohm @ 8a, 10V 4V @ 250µA 59 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
HGTP10N40C1D Harris Corporation HGTP10N40C1D 2.6100
RFQ
ECAD 206 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 기준 75 w TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 - - 400 v 17.5 a 3.2V @ 20V, 17.5A - 19 NC -
BD751C Harris Corporation BD751C 2.2700
RFQ
ECAD 274 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204 250 W. TO-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 130 v 20 a 500µA NPN 1V @ 500MA, 5A 25 @ 5a, 2v
IRF623 Harris Corporation IRF623 0.3300
RFQ
ECAD 1757 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 737 n 채널 150 v 4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 25 v - 40W (TC)
IRF723 Harris Corporation IRF723 0.7800
RFQ
ECAD 79 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 350 v 2.8A (TC) 10V 2.5ohm @ 1.8a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 50W (TC)
IRF151 Harris Corporation IRF151 1.5600
RFQ
ECAD 342 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AE MOSFET (금속 (() TO-204AE 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 40A (TC) 10V 55mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 25 v - 150W (TC)
BUX14 Harris Corporation bux14 -
RFQ
ECAD 4595 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 150 W. TO-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 15 400 v 10 a 1.5MA NPN 1.5V @ 1.2A, 6A 15 @ 3a, 4v 8MHz
HGT1S3N60C3D Harris Corporation HGT1S3N60C3D 0.9000
RFQ
ECAD 365 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 기준 33 w I2PAK (TO-262) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 - - 600 v 6 a 24 a 2V @ 15V, 3A - 13.8 NC -
HGT1S7N60B3D Harris Corporation HGT1S7N60B3D 1.1700
RFQ
ECAD 400 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 기준 60 W. I2PAK (TO-262) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 480V, 7A, 50ohm, 15V 21 ns - 600 v 14 a 56 a 2.1V @ 15V, 7A 160µJ (on), 120µJ (OFF) 30 NC 26ns/130ns
HGT1S20N60C3R Harris Corporation HGT1S20N60C3R 1.8000
RFQ
ECAD 580 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 기준 164 w I2PAK (TO-262) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 - - 600 v 40 a 80 a 2.2V @ 15V, 20A - 116 NC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고