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트랜지스터(836)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 입력하다 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
IRFD111 Harris Corporation IRFD111 -
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 ECAD 5736 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 4-DIP(0.300", 7.62mm) MOSFET(금속) 4-DIP, 해먹 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 108 N채널 80V 1A(Tc) 10V 600m옴 @ 800mA, 10V 4V @ 250μA 7nC @ 10V ±20V 25V에서 135pF - 1W(Tc)
IRF830 Harris Corporation IRF830 1.4600
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 ECAD 329 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 N채널 500V 4.5A(Tc) 1.5옴 @ 2.5A, 10V 4V @ 250μA 32nC @ 10V ±20V 25V에서 600pF - 75W(Tc)
GSI510 Harris Corporation GSI510 -
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 ECAD 5045 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 100
RFP23N06LE Harris Corporation RFP23N06LE 0.4100
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 1
IRF631 Harris Corporation IRF631 0.7900
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 ECAD 5 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 381 N채널 150V 9A(TC) 10V 400m옴 @ 5A, 10V 4V @ 250μA 30nC @ 10V ±20V 25V에서 600pF - 75W(Tc)
IRF623 Harris Corporation IRF623 0.3300
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 ECAD 1757년 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 737 N채널 150V 4A(TC) 10V 1.2옴 @ 2.5A, 10V 4V @ 250μA 15nC @ 10V ±20V 25V에서 450pF - 40W(Tc)
HGTP10N40C1 Harris Corporation HGTP10N40C1 1.0800
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 기준 60W TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - - 400V 10A 17.5A 3.2V @ 20V, 17.5A - 19nC -
HGTG40N60B3 Harris Corporation HGTG40N60B3 1.0000
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 ECAD 4143 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 290W TO-247 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 450 480V, 40A, 3옴, 15V - 600V 70A 330A 2V @ 15V, 40A 1.05mJ(켜짐), 800μJ(꺼짐) 250nC 47ns/170ns
RF1S540 Harris Corporation RF1S540 1.1100
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 ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 100V 28A(TC) 10V 77m옴 @ 17A, 10V 4V @ 250μA 59nC @ 10V ±20V 25V에서 1450pF - 150W(Tc)
2N1700 Harris Corporation 2N1700 47.2100
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 ECAD 148 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 7
2N6131 Harris Corporation 2N6131 -
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 ECAD 7894 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1
IRF9542 Harris Corporation IRF9542 1.7800
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 ECAD 497 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 169 P채널 100V 15A(Tc) 10V 300m옴 @ 10A, 10V 4V @ 250μA 90nC @ 10V ±20V 25V에서 1100pF - 150W(Tc)
RFD10N05SM Harris Corporation RFD10N05SM 0.6600
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 ECAD 11 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 50V - - - - - - -
HGTD6N40E1S Harris Corporation HGTD6N40E1S -
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 ECAD 7291 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 기준 60W TO-252-3(DPAK) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - - 400V 7.5A 2.5V @ 10V, 3A - 6.9nC -
10N50F1D Harris Corporation 10N50F1D -
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 ECAD 9713 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 169
IGT6D10 Harris Corporation IGT6D10 2.0700
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 ECAD 8868 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-204AA 논리 75W TO-3 다운로드 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 106 - - 400V 10A 40A 2.7V @ 15V, 10A - -
IRFU420 Harris Corporation IRFU420 -
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 ECAD 8809 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) TO-251AA 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 395 N채널 500V 2.4A(Tc) 3옴 @ 1.4A, 10V 4V @ 250μA 19nC @ 10V ±20V 360pF @ 25V - 2.5W(Ta), 42W(Tc)
BFT28C Harris Corporation BFT28C -
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 ECAD 3340 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 5W TO-39 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 324 250V 1A 5μA(ICBO) PNP 5V @ 1mA, 10mA 20 @ 10mA, 10V
JANSR2N7292 Harris Corporation JANSR2N7292 407.6400
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-254-3, TO-254AA MOSFET(금속) TO-254AA 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 N채널 100V 25A(TC) 10V 70m옴 @ 20A, 10V 5V @ 1mA 552nC @ 20V ±20V - 125W(Tc)
RFH75N05 Harris Corporation RFH75N05 4.1100
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 ECAD 80 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-218-3 탭, TO-218AC MOSFET(금속) TO-218 절연 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 80 N채널 50V - - - - - - -
IRF840RU Harris Corporation IRF840RU -
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 ECAD 5093 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 150
IRFP141 Harris Corporation IRFP141 1.2500
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 ECAD 288 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 80V 31A(Tc) 10V 77m옴 @ 19A, 10V 4V @ 250μA 59nC @ 10V ±20V 25V에서 1275pF - 180W(Tc)
IRF9532 Harris Corporation IRF9532 0.6700
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 ECAD 19 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 P채널 100V 10A(TC) 10V 400m옴 @ 6.5A, 10V 4V @ 250μA 45nC @ 10V ±20V 25V에서 500pF - 75W(Tc)
HGT1S15N120C3 Harris Corporation HGT1S15N120C3 3.7100
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 ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA 기준 164W I2PAK(TO-262) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - - 1200V 35A 120A 3.5V @ 15V, 15A - 100nC -
HC5523IM Harris Corporation HC5523IM 3.3300
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH의 영향을 받아들입니다. 2156-HC5523IM-600026 1
HUF76139S3 Harris Corporation HUF76139S3 1.2200
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 ECAD 800 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 30V 75A(Tc) 4.5V, 10V 7.5m옴 @ 75A, 10V 3V @ 250μA 78nC @ 10V ±16V 2700pF @ 25V - 200W(Tc)
2N6773 Harris Corporation 2N6773 0.3700
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 ECAD 860 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 40W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 860 650V 1A 100μA NPN 1V @ 200mA, 1A 20 @ 300mA, 3V 50MHz
RFP2N10 Harris Corporation RFP2N10 0.2900
보상요청
 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 100V 2A(TC) 10V 1.05옴 @ 2A, 5V 4V @ 250μA ±20V 200pF @ 25V - 25W(Tc)
RF1S9630SM Harris Corporation RF1S9630SM 0.9700
보상요청
 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 P채널 200V 6.5A - - - - - -
RFD16N05 Harris Corporation RFD16N05 0.9300
보상요청
 ECAD 17 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 75 N채널 50V 16A(티씨) 10V 47m옴 @ 16A, 10V 4V @ 250μA 80nC @ 20V ±20V 25V에서 900pF - 72W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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