- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
트랜지스터 (836)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TIP32C119 | - |  | 3566 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| buw41 | - | | 8024 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 100 W. | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 300 v | 8 a | 100µA | NPN | 2V @ 4A, 8A | 10 @ 5a, 3v | 60MHz | ||||||||||||||||
| BFT19 | 0.4600 | | 2 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-205AD | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 1 a | 100µA (ICBO) | PNP | 2.5V @ 3MA, 30MA | 25 @ 5MA, 10V | - | ||||||||||||||||
 | IRFP150 | 1.5200 | | 14 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 100 v | 41A (TC) | 10V | 55mohm @ 25a, 10V | 4V @ 250µA | 140 NC @ 10 v | ± 20V | 2800 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | ||||||||||||||
 | IRFF213 | 0.8000 | | 6019 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AF af 캔 | MOSFET (금속 (() | TO-205AF (TO-39) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 89 | n 채널 | 150 v | 1.8A (TC) | 10V | 2.4ohm @ 1.25a, 10V | 4V @ 250µA | 7.5 NC @ 10 v | ± 20V | 135 pf @ 25 v | - | 15W (TC) | ||||||||||||
 | IRF9520 | 0.9600 | | 8 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 314 | p 채널 | 100 v | 6A (TC) | 600mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 300 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | |||||||||||||
| CA3127ex | 1.6700 | | 597 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | * | 대부분 | 활동적인 | CA3127 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| RFD3055RLESM9A | 0.4400 | | 7327 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | * | 대부분 | 활동적인 | RFD3055 | - | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 590 | - | |||||||||||||||||||||||||||
| TIP100 | 0.4400 | | 1 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 80 W. | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 v | 8 a | 50µA | npn-달링턴 | 2.5V @ 80MA, 8A | 1000 @ 3A, 4V | 4MHz | ||||||||||||||||||
 | HUF75309D3 | 0.2700 | | 14 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | rohs 비준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n 채널 | 55 v | 19A (TC) | 10V | 70mohm @ 19a, 10V | 4V @ 250µA | 24 nc @ 20 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 55W (TC) | ||||||||||||||
| GE10020 | 4.7600 | | 107 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AE | 250 W. | TO-204AE | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 60 a | 250µA | npn-달링턴 | 2.4V @ 1.2A, 30A | 600 @ 15a, 5V | - | ||||||||||||||||
| bux31 | 0.2200 | | 1197 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 150 W. | TO-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 105 | 400 v | 8 a | - | NPN | - | 8 @ 4a, 3v | 15MHz | ||||||||||||||||
| GE6062 | 4.4500 | | 2 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 125 w | TO-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 68 | 450 v | 20 a | 250µA (ICBO) | npn-달링턴 | 2V @ 2A, 20A | 40 @ 10a, 5V | - | ||||||||||||||||
| MJE13070 | 0.4900 | | 2202 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 80 W. | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2 | 6 v | 5 a | 500µA | NPN | 3v @ 1a, 5a | 8 @ 3a, 5V | |||||||||||||||||
| D44D1 | - | | 5613 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 2.1 w | TO-220 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 441 | 40 v | 6 a | 10µA | npn-달링턴 | 1.5V @ 3MA, 3A | 2000 @ 1a, 2v | - | ||||||||||||||||
 | MJ15002 | - | | 5196 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 200 w | To-204 (To-3) | - | rohs 비준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | 140 v | 15 a | 250µA | PNP | 1V @ 400MA, 4A | 25 @ 4a, 2v | 2MHz | ||||||||||||||||||
| MJH16012 | 5.9200 | | 171 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| RFP4N35 | - | | 7495 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 350 v | 4A (TC) | 10V | 2ohm @ 2a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 750 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | |||||||||||||
 | TIP32B | 0.1700 | | 3047 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 2 w | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,267 | 80 v | 3 a | 300µA | PNP | 1.2v @ 375ma, 3a | 10 @ 3a, 4v | 3MHz | ||||||||||||||||||
 | HFA3127MJR4598 | 26.7200 | | 28 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | CA3246M | - | | 1524 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | - | 14 -Soic | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | 5 NPN | - | 3GHz | - | ||||||||||||||||
| BD751A | 1.8000 | | 5493 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 53 | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRF610 | - | | 1431 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF610 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 200 v | 3.3A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 36W (TC) | |||||||||||
 | IRF353 | 4.3000 | | 460 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (금속 (() | TO-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 350 v | 13A (TC) | 10V | 400mohm @ 8a, 10V | 4V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 2000 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||
| RJH6678 | 5.5400 | | 188 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-218-3 8 된 탭, TO-218AC | 175 w | TO-218 분리 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 400 v | 15 a | 100µA | NPN | 1.5V @ 3a, 15a | 8 @ 15a, 3v | 50MHz | ||||||||||||||||
| IRFF222 | 1.0000 | | 3948 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AF af 캔 | MOSFET (금속 (() | TO-205AF (TO-39) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 3A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 450 pf @ 25 v | - | 20W (TC) | ||||||||||||
| IRFF211 | 1.1600 | | 1 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AF af 캔 | MOSFET (금속 (() | TO-205AF (TO-39) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 150 v | 2.2A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.25a, 10V | 4V @ 250µA | 7.5 NC @ 10 v | ± 20V | 135 pf @ 25 v | - | 15W (TC) | ||||||||||||
 | IRFR420 | 0.8800 | | 779 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR420 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 342 | n 채널 | 500 v | 2.4A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.4a, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 360 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||||||||
| RFL1N15 | 1.5300 | | 4 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AF af 캔 | MOSFET (금속 (() | TO-205AF (TO-39) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 150 v | 1A (TC) | 10V | 1.9ohm @ 1a, 10V | 4V @ 250µA | ± 20V | 200 pf @ 25 v | - | 8.33W (TC) | |||||||||||||
| RF1S22N10 | 0.8800 | | 1 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | * | 대부분 | 활동적인 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)