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트랜지스터(836)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
RF1S25N06 Harris Corporation RF1S25N06 -
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 ECAD 1196 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 25A(TC) 10V 47m옴 @ 25A, 10V 4V @ 250μA 80nC @ 20V ±20V 25V에서 975pF - 72W(Tc)
IRF843 Harris Corporation IRF843 1.0000
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 ECAD 700 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 450V 7A(TC) 10V 1.1옴 @ 4.4A, 10V 4V @ 250μA 63nC @ 10V ±20V 25V에서 1225pF - 125W(Tc)
IRFF9222 Harris Corporation IRFF9222 1.7400
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 ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-205AF 금속 캔 MOSFET(금속) TO-205AF (TO-39) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 P채널 200V 2A(타) 10V 2.4옴 @ 1.5A, 10V 4V @ 250μA 22nC @ 10V ±20V 25V에서 350pF - 20W(Tc)
RF1S9640 Harris Corporation RF1S9640 1.2000
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 ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 P채널 200V 11A(티씨) 500m옴 @ 6A, 10V 4V @ 250μA 90nC @ 10V ±20V 25V에서 1100pF - 125W(Tc)
RFP7N40 Harris Corporation RFP7N40 1.2100
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 ECAD 471 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 400V 7A(TC) 10V 750m옴 @ 3.5A, 10V 4V @ 1mA ±20V 25V에서 1600pF - 75W(Tc)
RF1S22N10 Harris Corporation RF1S22N10 0.8800
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1
HUF75343S3 Harris Corporation HUF75343S3 1.0800
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 ECAD 557 0.00000000 해리스 코퍼레이션 UltraFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA HUF75 MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 55V 75A(Tc) 10V 9m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 205nC @ 20V ±20V 3000pF @ 25V - 270W(Tc)
RFG50N05 Harris Corporation RFG50N05 4.8200
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 ECAD 145 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 50V 50A(Tc) 10V 22m옴 @ 50A, 10V 4V @ 250nA 160nC @ 20V ±20V - 132W(Tc)
BD751A Harris Corporation BD751A 1.8000
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 ECAD 5493 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 53
2N3773V Harris Corporation 2N3773V 2.0000
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 0000.00.0000 1
D42C1 Harris Corporation D42C1 0.3400
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-202 롱탭 2.1W TO-202AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 1 30V 3A 10μA NPN 500mV @ 100mA, 1A 25 @ 200mA, 1V
HGT1S7N60B3DS Harris Corporation HGT1S7N60B3DS -
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 ECAD 2475 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 60W TO-263AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 480V, 7A, 50옴, 15V 37ns - 600V 14A 56A 2.1V @ 15V, 7A 160μJ(켜짐), 120μJ(꺼짐) 30nC 26ns/130ns
IRF9530 Harris Corporation IRF9530 1.3500
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 ECAD 3 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 P채널 100V 12A(TC) 300m옴 @ 6.5A, 10V 4V @ 250μA 45nC @ 10V ±20V 25V에서 500pF - 75W(Tc)
RFD4N06L Harris Corporation RFD4N06L 0.3000
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 ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 4A(TC) 5V 600m옴 @ 1A, 5V 2.5V @ 250μA 8nC @ 10V ±10V - 30W(Tc)
IRFF323 Harris Corporation IRFF323 0.5200
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 ECAD 1611 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-IRFF323 EAR99 8541.29.0095 1
IRFP250S2453 Harris Corporation IRFP250S2453 1.6000
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 ECAD 450 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 IRFP250 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 1 -
HGTG40N60C3R Harris Corporation HGTG40N60C3R 8.3800
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 ECAD 45 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 291W TO-247 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - - 600V 75A 200A 2.2V @ 15V, 40A - 330nC -
RFP10P12 Harris Corporation RFP10P12 1.0600
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 ECAD 300 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 300 N채널 120V 10A(TC) 10V 500m옴 @ 5A, 10V 4V @ 1mA ±20V 25V에서 1700pF - 75W(Tc)
MJ15002 Harris Corporation MJ15002 -
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 ECAD 5196 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 200W TO-204 (TO-3) - RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 100 140V 15A 250μA PNP 1V @ 400mA, 4A 25 @ 4A, 2V 2MHz
HGTP15N40C1 Harris Corporation HGTP15N40C1 2.9100
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 ECAD 368 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 기준 75W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - - 400V 15A 35A 3.2V @ 20V, 35A - 33nC -
GE10022 Harris Corporation GE10022 4.7600
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 ECAD 161 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 TO-204AE 250W TO-204AE 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 240V 40A 250μA NPN-달링턴 2.5V @ 1A, 20A 1000 @ 10A, 5V -
RCA1A18 Harris Corporation RCA1A18 0.6400
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 ECAD 627 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 1
2N6293 Harris Corporation 2N6293 0.5400
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 ECAD 2239 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 40W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 105 80V 7A 1mA NPN 3.5V @ 3A, 7A 30 @ 2A, 4V 10MHz
RFD14N05S2515 Harris Corporation RFD14N05S2515 0.3100
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 ECAD 1023 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 RFD14 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 900 -
2N6751 Harris Corporation 2N6751 -
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 ECAD 9949 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-204AA 150W TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0075 226 400V 10A 100μA NPN 3V @ 3A, 10A 8 @ 5A, 3V 60MHz
IRFPC40 Harris Corporation IRFPC40 1.4300
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 ECAD 968 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IRFPC40 MOSFET(금속) TO-247-3 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 210 N채널 600V 6.8A(Tc) 10V 1.2옴 @ 4.1A, 10V 4V @ 250μA 60nC @ 10V ±20V 25V에서 1300pF - 150W(Tc)
IGTM10N50A Harris Corporation IGTM10N50A 1.6000
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 ECAD 484 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-204AA, TO-3 기준 TO-3 다운로드 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 - - 500V 10A - - -
HGTH20N50C1 Harris Corporation HGTH20N50C1 6.2900
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 ECAD 4 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-218-3 탭, TO-218AC 기준 100W TO-218 절연 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 - - 500V 20A 35A 3.2V @ 20V, 35A - 33nC -
BUW64A Harris Corporation BUW64A 0.6000
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 ECAD 600 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 50W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 600 90V 7A 100μA NPN 1.5V @ 700mA, 7A 30 @ 200mA, 2V 200MHz
BUX16 Harris Corporation BUX16 3.4500
보상요청
 ECAD 171 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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