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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
CA3045F98 Harris Corporation CA3045F98 0.7300
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ECAD 8789 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 77
IRFR220119 Harris Corporation IRFR220119 -
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ECAD 2647 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 IRFR220 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 675 -
IRF743 Harris Corporation IRF743 1.0700
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ECAD 1418 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 200 N채널 350V 8A(TC) 10V 800m옴 @ 5.2A, 10V 4V @ 250μA 63nC @ 10V ±20V 25V에서 1250pF - 125W(Tc)
CA3127ER2489 Harris Corporation CA3127ER2489 0.9400
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ECAD 500 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 1
HUF75639S3 Harris Corporation HUF75639S3 1.3400
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ECAD 5 0.00000000 해리스 코퍼레이션 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 224 N채널 100V 56A(티씨) 10V 25m옴 @ 56A, 10V 4V @ 250μA 130nC @ 20V ±20V 2000pF @ 25V - 200W(Tc)
HGTP6N40EID Harris Corporation HGTP6N40EID 0.7100
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ECAD 800 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 0000.00.0000 1
RFL1N15L Harris Corporation RFL1N15L 1.8100
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-205AF 금속 캔 MOSFET(금속) TO-205AF (TO-39) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 150V 1A(Tc) 5V 1.9옴 @ 1A, 5V 2V @ 250μA ±10V 200pF @ 25V - 8.33W(Tc)
RFG50N05 Harris Corporation RFG50N05 4.8200
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ECAD 145 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 50V 50A(Tc) 10V 22m옴 @ 50A, 10V 4V @ 250nA 160nC @ 20V ±20V - 132W(Tc)
IRFF9222 Harris Corporation IRFF9222 1.7400
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ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-205AF 금속 캔 MOSFET(금속) TO-205AF (TO-39) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 P채널 200V 2A(타) 10V 2.4옴 @ 1.5A, 10V 4V @ 250μA 22nC @ 10V ±20V 25V에서 350pF - 20W(Tc)
IRF645 Harris Corporation IRF645 -
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ECAD 3101 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK (TO-263) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 265 N채널 250V 13A(티씨) 10V 340m옴 @ 8A, 10V 4V @ 250μA 59nC @ 10V ±20V 25V에서 1300pF - 125W(Tc)
HGTP3N60A4 Harris Corporation HGTP3N60A4 1.2900
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ECAD 106 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 기준 70W TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 800 390V, 3A, 50옴, 15V - 600V 17A 40A 2.7V @ 15V, 3A 37μJ(켜짐), 25μJ(꺼짐) 21nC 6ns/73ns
2N6772 Harris Corporation 2N6772 -
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ECAD 9761 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 40W TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 536 550V 1A 100μA NPN 1V @ 200mA, 1A 20 @ 300mA, 3V 50MHz
HUF75332P3 Harris Corporation HUF75332P3 0.8900
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ECAD 9 0.00000000 해리스 코퍼레이션 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 364 N채널 55V 60A(Tc) 10V 19m옴 @ 60A, 10V 4V @ 250μA 85nC @ 20V ±20V 25V에서 1300pF - 145W(Tc)
BDX33C Harris Corporation BDX33C 0.3900
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 BDX33 70W TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 842 100V 10A 500μA NPN-달링턴 2.5V @ 6mA, 3A 750 @ 3A, 3V -
IGT6E10 Harris Corporation IGT6E10 -
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ECAD 3154 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 78
HC5513IPA02 Harris Corporation HC5513IPA02 3.6400
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ECAD 192 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-HC5513IPA02-600026 1
HC5513BIP Harris Corporation HC5513BIP 3.9300
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ECAD 640 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH의 영향을 받아들입니다. 2156-HC5513BIP-600026 1
BD534 Harris Corporation BD534 0.3300
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ECAD 1909년 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 50W TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.29.0095 44 45V 8A 100μA PNP 800mV @ 600mA, 6A 25 @ 2A, 2V -
HUF76132S3 Harris Corporation HUF76132S3 1.0000
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ECAD 2738 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 - RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1
HGT1S12N60B3S Harris Corporation HGT1S12N60B3S 1.4100
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ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 104W D2PAK (TO-263) 다운로드 RoHS 비준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 480V, 12A, 25옴, 15V - 600V 27A 110A 2.1V @ 15V, 12A 304μJ(켜짐), 250μJ(꺼짐) 68nC 26ns/150ns
IRF9530 Harris Corporation IRF9530 1.3500
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ECAD 3 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 0000.00.0000 1 P채널 100V 12A(TC) 300m옴 @ 6.5A, 10V 4V @ 250μA 45nC @ 10V ±20V 25V에서 500pF - 75W(Tc)
RFP25N05L Harris Corporation RFP25N05L -
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ECAD 2796 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 50V 25A(TC) 4V, 5V 47m옴 @ 25A, 5V 2V @ 250μA 80nC @ 10V ±10V - 60W(Tc)
RF1S45N02LSM Harris Corporation RF1S45N02LSM 0.5100
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ECAD 800 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 20V 45A - - - - - -
IRFR222 Harris Corporation IRFR222 0.4300
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ECAD 944 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 200V 3.8A(Tc) 10V 1.2옴 @ 2.4A, 10V 4V @ 250μA 18nC @ 10V ±20V 330pF @ 25V - 50W(Tc)
2N4125 Harris Corporation 2N4125 -
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ECAD 5127 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625mW TO-92 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 1 30V 200mA 50nA(ICBO) PNP 400mV @ 5mA, 50mA 50 @ 2mA, 1V 200MHz
IGTP10N40 Harris Corporation IGTP10N40 0.7800
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ECAD 934 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-220-3 기준 TO-220AB 다운로드 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 - - 400V 10A - - -
IRF9522 Harris Corporation IRF9522 0.7600
보상요청
ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 P채널 100V 5A(Tc) 10V 800m옴 @ 3.5A, 10V 4V @ 250μA 22nC @ 10V ±20V 25V에서 300pF - 40W(Tc)
RCA9166A Harris Corporation RCA9166A 2.4100
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ECAD 3 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -65°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 TO-204AA, TO-3 250W TO-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 250V 16A 1mA NPN 1V @ 300mA, 3A 30 @ 3A, 4V 20MHz
HGT1S12N60B3DS Harris Corporation HGT1S12N60B3DS 1.4100
보상요청
ECAD 1 0.00000000 해리스 코퍼레이션 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 104W TO-263AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 480V, 12A, 25옴, 15V - 600V 27A 110A 2.1V @ 15V, 12A 304μJ(켜짐), 250μJ(꺼짐) 78nC 26ns/150ns
RFD8P05SM9AS2463 Harris Corporation RFD8P05SM9AS2463 0.4600
보상요청
ECAD 2 0.00000000 해리스 코퍼레이션 * 대부분 활동적인 RFD8P05 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고